北京小型去胶机供应商家

等离子去胶机设备**结构——真空腔体的设计要点真空腔体作为反应容器，设计需兼顾密封性、耐腐蚀性与易维护性。材质选用304或316L不锈钢，内壁精密抛光（粗糙度≤Ra0.4μm），减少胶层残留附着；**设备内壁镀膜（氧化铝、氧化钇），提升耐磨性与抗污染能力；配备高精度压力传感器与温度传感器，实时监控腔内环境（压力1-100Pa，温度室温-80℃）；腔体开口设计便于基材取放与日常清洁，减少设备停机时间（downtime），保障量产效率。等离子去胶机，专业针对光刻胶，处理更高效。北京小型去胶机供应商家

若想通俗理解等离子去胶机，可将其类比为“微观世界的清洁工程师”。假设基材表面的光刻胶是“顽固污渍”，设备的工作过程就像三步操作：第一步，通过电源“***”工作气体，让其变成充满能量的“清洁小队”（等离子体）；第二步，“清洁小队”中的高能粒子像“小锤子”一样敲碎胶层结构（物理作用），自由基则像“分解剂”一样将胶层转化为气体（化学作用）；第三步，用“吸尘器”（真空系统）将气体杂质彻底吸走，不留任何残留。整个过程无需用水或化学试剂，既不会划伤基材，也不会造成二次污染，完美适配精密器件的清洁需求。北京小型去胶机供应商家等离子去胶机，适用于酚醛树脂，除胶更彻底。

去胶过程结束后，设备会自动停止等离子体生成，关闭气体供应，然后通入惰性气体（如氮气）破真空，待腔体压力恢复至大气压后，操作人员打开腔体取出基材，进入后处理与质量检测阶段。后处理主要是用无尘布轻轻擦拭基材表面，去除可能残留的微量反应产物；质量检测则通过多种手段进行，包括用光学显微镜观察基材表面是否有胶层残留、用膜厚仪测量去胶厚度并计算均匀性、用原子力显微镜检测基材表面粗糙度。若检测结果达标，基材可进入下一工序；若不达标，需分析原因（如参数设置不当、腔体污染），调整参数后重新处理，直至满足质量要求。

等自理去胶机在半导体晶圆制造中的光刻后去胶应用晶圆光刻后，需去除边缘及背面的光刻胶（EBR工艺），避免后续工序异常。此时等离子去胶机采用低功率（100-200W）、高均匀性模式，以氧气为工作气体，在30-60秒内完成12英寸晶圆处理。边缘胶层残留会影响切割精度，背面残留则污染光刻设备吸盘，等离子去胶机设备需精细控制等离子体作用范围，以确保晶圆正面光刻图案无损，去胶均匀性达到≤±3%，满足量产线每小时数百片的效率要求。等离子去胶机，助力航空航天，提升部件性能。

等离子去胶机的设备**结构——等离子体发生系统的组成等离子体发生系统由电源、电极、匹配网络构成，决定等离子体质量。电源分为13.56MHz射频电源（适配大面积、高均匀性场景，如显示面板）与2.45GHz微波电源（产生高能量密度等离子体，适配难去胶场景）；电极结构有平行板电极（均匀性好）与电感耦合电极（等离子体密度高）；能匹配网络调节电源与等离子体的阻抗匹配，减少能量反射，确保能量传递效率≥90%，以避免电源过载损坏。等离子去胶机，适用于柔性基材，除胶无褶皱。江苏国产去胶机有哪些

等离子去胶机，无化学污染，绿色生产之选。北京小型去胶机供应商家

等离子去胶机的去胶均匀性直接决定器件质量一致性，行业对半导体级设备要求偏差≤±5%，其技术保障集中在三点。一是采用多通道气体进气系统，通过精密流量控制确保气体在腔体内均匀扩散；二是优化电极结构，如平行板电极设计可形成均匀的等离子体鞘层，避免局部能量不均；三是搭载分区温控系统，防止因腔体温度差异导致的等离子体分布失衡，尤其在大面积基板（如8.5代OLED基板）处理中，等离子去胶机 的均匀性控制更显得尤为为关键。北京小型去胶机供应商家

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