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常州霍尔电流传感器发展现状

来源: 发布时间:2023年12月22日

然而,由于难以精确装配,且易受周围工作环境的影响,它能达到的比较好精度只有0.5%,不能满足日益增长的高精度需求。2、罗氏线圈(RogowskiCoil)罗氏线圈是基于法拉第电磁感应和安培环路定理来进行测量的。罗氏线圈是一个空心的环形线圈,当被测电流沿轴线通过罗氏线圈中心时,在环形绕组所包围的体积内产生相应变化的磁场,由于没有磁芯而具有较高的线性度、较宽的带宽、较好的电隔离性能以及较轻的重量等优点。在线圈内感应到的电压与电流的变化率成正比例关系,适用于瞬态电流的测量,尤其适用于高频大电流的测量。然而,在测量瞬态电流时,线圈的自感和寄生电容构成了谐振电路,为了增加谐振频率会降低匝数,但是匝数的降低会导致传感器灵敏度的降低。为了减小零点漂移,可以采取以下措施:选择具有低零点漂移的霍尔电流传感器。常州霍尔电流传感器发展现状

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充电至t1时刻后,由于铁芯C1饱和,激磁感抗ZL迅速变小,因此t1~t2期间,激磁电流iex迅速增大,当激磁电流iex达到充电电流Im=ρVOH/RS时,电路环路增益11ρAv>>1满足振荡电路起振条件,方波激磁电压发生反转,输出电压由正向峰值电压VOH变为反向峰值电压VOL,即t2时刻,VO=VOL。t2时刻起,铁芯C1工作点由正向饱和区B开始向线性区A移动。在t2~t3期间,铁芯C1仍工作于正向饱和区B,激磁感抗ZL小,而输出方波电压反向,此时加在非线性电感L上反相端电压V-=ρVOL,产生的充电电流反向,因此非线性电感L开始迅速放电,激磁电流iex开始降低,于t3时刻激磁电流iex降至正向激磁电流阈值I+th。上海高线性度电流传感器厂家在新型磁通门电流传感器中,传感器探头是关键部件。

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其中一次绕组 WP 中流过一次电流为 IP ,匝数为 NP 。一次电流绕组穿过环形铁芯 C1 及 C2 的中心,铁芯 C1 上均匀绕制有匝数为 N1 的激磁绕组 W1 ,铁芯 C2 上均匀绕制 有匝数为 N2  的激磁绕组 W2 。同时环形铁芯 C1 及 C2 上同时均匀缠绕有匝数为 NF  的反 馈绕组 WF 。反馈绕组 WF  中串接终端测量电阻 RM 。其中新型交直流电流传感器的电流 检测模块即零磁通交直流检测器包括环形铁芯C1 和C2、比较放大器U1、反向放大器U2 、 采样电阻 RS1 、分压电阻 R1 和 R2 。低通滤波器 LPF 及高通滤波器 HPF 构成新型交直流 电流传感器的信号处理模块。图中 PI  比例积分放大电路构成新型交直流电流传感器的 误差控制模块。图中 PA 功率放大电路配合反馈绕组 WF 及终端测量电阻 RM 构成构成新 型交直流电流传感器的电流反馈模块。

自激振荡磁通门传感器其稳定性与采样电阻 RS 稳定性密切相关。 影响采样电阻 RS  稳定性的主要因素为阻值精度及温度系数。因此需要选择温度系数较 小, 阻值精度高的采样电阻。在满足同样额定功率情形下, 由于采样电阻越大, 功耗越 大, 因此选择阻值较小的采样电阻有利于解决温升导致的稳定性变差问题, 但传感器整 体功耗会有所增加,因此需要选择合适的采样电阻阻值。自激振荡磁通门传感器灵敏度 SD 主要取决于一次绕组匝数 Np 及激磁绕组匝数 N1 之比及采样电阻 RS 阻值大小。选择较大阻值的采样电阻可以提高 自激振荡磁通门传感器灵敏度 SD ,但为了提高自激振荡磁通门传感器的线性度及稳定 性,适宜选取较小阻值的采样电阻。而从信噪比角度考虑, 采样电阻不宜取值太小。因 此在设计自激振荡磁通门传感器及终新型交直流传感器时需要对这些关键性能进行 取舍后,综合考虑以选择合适的电路参数。激励磁场振荡产生一个交变的磁场,这个交变的磁场会在被测导体中感应出电流。

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无锡纳吉伏公司结合自激振荡磁通门技术与传统电流比较仪结构,设计了新型交直流电流传感器。通过分析新型交直流传感器的误差来源,对传统单铁芯自激振荡磁通门传感器进行改进,提出了双铁芯结构自激振荡磁通门传感器,同时对解调电路进行了优化。并建立了新型交直流电流传感器稳态误差模型,为优化设计参数以减小交直流比例误差提供理论依据。依据上述研究,通过铁芯选型、绕组设计、零磁通交直流检测器电路、误差控制电路、电流反馈电路和电磁屏蔽设计,研制了一台500A双铁芯三绕组低成本交直流电流传感器样机。罗氏线圈传感器的输出信号与被测电流的平方成正比,因此它适用于测量中低成本的交流电流。合肥光伏逆变器电流传感器出厂价

磁通门电流传感器适用于动力电池电量监测和高精度电流监测等应用场合,如电动汽车电池管理系统。常州霍尔电流传感器发展现状

光学效应:光学效应是指光照射在物质上时,物质会吸收光能并转化为电能的现象。光学电流传感器利用光学效应来测量电流,具有无电磁干扰、非接触测量等优点。但是,它们通常需要复杂的信号处理和光学系统。 霍尔效应:霍尔效应是指当电流通过半导体时,会在垂直于电流的方向上产生一个横向电压。这个电压与通过半导体的电流成正比。霍尔电流传感器利用这个效应来测量电流,具有结构简单、测量范围广、精度高等优点。但是,它们通常需要稳定的电源和复杂的信号处理电路。常州霍尔电流传感器发展现状