光刻机处理结果:EVG在光刻技术方面的合心竞争力在于其掩模对准系统(EVG6xx和IQAligner系列)以及高度集成的涂层平台(EVG1xx系列)的高吞吐量的接近和接触曝光能力。EVG的所有光刻设备平台均为300mm,可完全集成到HERCULES光刻轨道系统中,并辅以其用于从上到下侧对准验证的计量工具。高级封装:在EVG®IQAligner®上结合NanoSpray™曝光的涂层TSV底部开口;在EVG的IQAlignerNT®上进行撞击40μm厚抗蚀剂;负侧壁,带有金属兼容的剥离抗蚀剂涂层;金属垫在结构的中间;用于LIGA结构的高纵横比结构,用EVG®IQAligner®曝光200μm厚的抗蚀剂的结果;西门子星状测试图暴露在EVG®6200NT上,展示了高分辨率的厚抗蚀剂图形处理能力;MEMS结构在20μm厚的抗蚀剂图形化的结果。HERCULES光刻机系统:全自动光刻根踪系统,模块化设计,用于掩模和曝光,集成了预处理和后处理能力。日韩接近式光刻机选型推荐

EVG®610特征:晶圆/基板尺寸从小到200mm/8''顶侧和底侧对准能力高精度对准台自动楔形补偿序列电动和程序控制的曝光间隙支持ZUI新的UV-LED技术ZUI小化系统占地面积和设施要求分步流程指导远程技术支持多用户概念(无限数量的用户帐户和程序,可分配的访问权限,不同的用户界面语言)便捷处理和转换重组台式或带防震花岗岩台的单机版EVG®610附加功能:键对准红外对准纳米压印光刻(NIL)EVG®610技术数据:对准方式上侧对准:≤±0.5µm底面要求:≤±2,0µm红外校准:≤±2,0µm/具体取决于基板材料键对准:≤±2,0µmNIL对准:≤±2,0µm窄缝式接近式光刻机厂商HERCULES 全电动顶部和底部分离场显微镜支持实时、大间隙、晶圆平面或红外对准,在可编程位置自动定位。

EVG®150--光刻胶自动处理系统
EVG®150是全自动化光刻胶处理系统中提供高吞吐量的性能与在直径承晶片高达300毫米。EVG150设计为完全模块化的平台,可实现自动喷涂/旋转/显影过程和高通量性能。EVG150可确保涂层高度均匀并提高重复性。具有高形貌的晶片可以通过EVG的OmniSpray技术进行均匀涂覆,而传统的旋涂技术则受到限制。EVG®150特征:晶圆尺寸可达300毫米多达六个过程模块可自定义的数量-多达二十个烘烤/冷却/汽化堆多达四个FOUP装载端口或盒式磁带装载
EVG®150特征:晶圆尺寸可达300毫米多达6个过程模块可自定义的数量-多达20个烘烤/冷却/汽化堆多达四个FOUP装载端口或盒式磁带装载可用的模块包括旋转涂层,喷涂,NanoCoat™,显影,烘烤/冷却/蒸气/上等EV集团专有的OmniSpray®超声波雾化技术提供了****的处理结果,当涉及到极端地形的保形涂层可选的NanoSpray™模块实现了300微米深图案的保形涂层,长宽比*高为1:10,垂直侧壁广范的支持材料烘烤模块温度高达250°CMegasonic技术用于清洁,声波化学处理和显影,可提高处理效率并将处理时间从数小时缩短至数分钟。EVG150光刻胶处理系统拥有:Ergo装载盒式工作站/ SMIF装载端口/ SECS / GEM / FOUP装载端口。

IQAligner工业自动化功能:盒式磁带/SMIF/FOUP/SECS/GEM/薄,弯曲,翘曲,边缘晶圆处理晶圆直径(基板尺寸):高达200毫米对准方式:上侧对准:≤±0.5µm底侧对准:≤±1,0µm红外校准:≤±2,0µm/具体取决于基板材料曝光设定:真空接触/硬接触/软接触/接近模式/弯曲模式曝光选项:间隔曝光/洪水曝光系统控制操作系统:Windows文件共享和备份解决方案/无限制程序和参数多语言用户GUI和支持:CN,DE,FR,IT,JP,KR实时远程访问,诊断和故障排除产能全自动:弟一批生产量:每小时85片全自动:吞吐量对准:每小时80片只有接近客户,才能得知客户的真实需求,这是我们一直时刻与客户保持联系的原因之一。光学微结构接近式光刻机厂商推荐
EVG的掩模对准目标是适用于高达300mm的不同的厚度,尺寸,形状的晶圆和基片。日韩接近式光刻机选型推荐
EVG®150光刻胶处理系统分配选项:各种光刻胶分配泵,可覆盖高达52000cP的粘度液体底漆/预湿/洗盘去除边缘珠(EBR)/背面冲洗(BSR)恒压分配系统/注射器分配系统电阻分配泵具有流量监控功能可编程分配速率/可编程体积/可编程回吸超音波附加模块选项预对准:光学/机械ID读取器:条形码,字母数字,数据矩阵系统控制:操作系统:Windows文件共享和备份解决方案/无限制程序和参数/离线程序编辑器灵活的流程定义/易于拖放的程序编程并行处理多个作业/实时远程访问,诊断和故障排除多语言用户GUI和支持:CN,DE,FR,IT,JP,KR日韩接近式光刻机选型推荐