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关键性能参数与设计权衡深入理解低压MOS管的性能，需关注以下关键参数及其相互关联：导通电阻（Rds(on))：这是衡量器件导通损耗...
在汽车电子领域，东海半导体正加速车规级 IGBT 的研发与产业化布局。针对新能源汽车车载充电机（OBC），公司开发的 650V 车...
SiC MOSFET： SiC MOSFET是当前市场的主力器件。其结合了高输入阻抗（电压控制）和低导通电阻的优点。江东东海半导体...
功率器件：赋能现代工业的隐形基石 在工业自动化的脉动、新能源汽车的疾驰、家用电器无声运转的背后，一种关键半导体元件——功率器件——...
IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是一种广泛应用于电力电子领域的功率半导体器件，具有高电压、大电流、高开关频率等优点。江苏东海半导体股...
栅极阈值电压（VGE(th)）VGE(th)是使IGBT开始导通的**小栅极-发射极电...
江东东海在拥抱新材料体系的同时，也持续挖掘硅基器件潜力，通过三维结构、逆导技术等创新方案延伸硅基IGBT的性能边界。先进封装技术对...
东海半导体是国内前沿的功率器件产品供应商，专注于先进功率器件的研发设计、封装制造和应用研究，为客户提供IGBT单管/模块、中低压MOS、高压MOS、FRD、SiC Diode/MOS/模块、GaN、IPM等功率器件产品解决方案。东海半导体成立于2004年，总部位于无锡；公司致力于为客户提供高质量、高性价比功率器件产品，产品广泛应用于光伏储能、新能源汽车、工业控制、逆变焊机、电源、电动工具、轻型电动...
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