应用方案支持:公司不仅提供器件,更注重理解客户需求,针对开关电源、电机驱动、电池保护等具体应用场景,提供相应的技术参考设计和应用支持,帮助客户缩短开发周期,优化系统性能。品质保障体系:建立完善的质量管...
宽禁带半导体器件(SiC & GaN): 这表示了功率电子技术的未来方向。碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)材料凭借其远超传统硅材料的禁带宽度、高临界击穿电场强度、高热导率等天然优势,可明显降低器件的...
产业链协同: 从衬底、外延、芯片、封装到应用,需要全产业链的紧密协作、标准统一和生态构建,才能加速技术成熟与规模化应用。应用技术深化: 充分发挥SiC高速开关的优势,需要与之匹配的高性能栅极驱动设计、...
工艺与制造的硬实力: 依托先进的晶圆制造(Fab)生产线和封装测试基地,公司在关键工艺环节(如超薄晶圆加工、高精度光刻、离子注入、薄膜沉积、背面工艺、激光应用)以及封装技术(如低热阻/低电感设计、高性...
功率器件,作为现代电力电子系统的底层支柱,其每一次技术跃迁都深刻重塑着能源利用的方式与效率。从硅基器件的持续精进到宽禁带半导体的锋芒初露,功率技术的创新步伐从未停歇。在迈向高效、低碳、智能未来的征途上...
产业链协同: 从衬底、外延、芯片、封装到应用,需要全产业链的紧密协作、标准统一和生态构建,才能加速技术成熟与规模化应用。应用技术深化: 充分发挥SiC高速开关的优势,需要与之匹配的高性能栅极驱动设计、...
从智能手机的快充到数据中心的高效供电,从电动工具的强劲动力到新能源车的中心电控,低压MOS管都在默默发挥着不可或缺的作用。随着工艺、封装与设计技术的不断精进,低压MOS管将在效率提升、功率密度增加、系...
挑战与创新前沿尽管成就斐然,功率器件领域仍面临挑战,驱动持续创新:成本优化:尤其对于宽禁带器件,衬底材料成本、制造良率仍需持续改善,加速市场普及。模块封装技术:应对更高功率密度、更高开关速度带来的散热...
功率半导体分立器件的基石:中低压MOS管的技术演进与应用解析在电力电子系统的精密架构中,**率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)如同不可或缺的“电子开关”,其性能直接影响着能量转换的效能与可...