无锡商甲半导体专业从事各类MOSFET/IGBT/SIC 产品。 随着电子技术在工业、交通、消费、医疗等领域的蓬勃发展，当代社会对电力电子设备的要求也越来越高，功率半导体就是影响这些电力电子设备成本和效率的直接因素之一。自从二十世纪五十年代真空管被固态器件代替以来，以硅(Si)材料为主的功率半导体器件就一直扮演着重要的角色，功率MOSFET是其中**典型的**。 MOSFET，全称金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor），是一种非常重要的电子元件，广泛应用于各种电子电路中。它的基本作用是作为一...

无锡商甲半导体提供专业mosfet产品,二十多年行业经验,提供技术支持,品质保证,**全国!发货快捷,质量保证. MOSFET选型原则行业技术发展总趋势为：小型化、表贴化，高频化，高功率密度化，高效率化，高可靠性，集成化，绿色化。重点突出高频化，高功率密度化，高可靠性及集成化。 行业技术发展趋势主要体现在MOSFET芯片材料，晶圆技术，芯片技术及封装技术的演进及发展。 选型原则如下：禁止选用处于生命周期末期的插件封装器件（能源用TO220，TO247除外）及封装为SO8，DPAK的表贴器件。对于信号MOSFET推荐选用栅极集成TVS保护的小型化表贴器件。 无锡商甲半导体有...

击穿电压（BV）的影响因素**影响因素 外延层参数：厚度（Tepi）：BV与Tepi²成正比（近似关系）。 掺杂浓度（Nepi）：BV与Nepi⁻¹成正比。高掺杂会降低BV，但需权衡Rds(on)。 屏蔽栅的电荷平衡作用： 电场屏蔽机制：屏蔽栅通过引入反向电荷（如P型掺杂区），中和漏极电场在漂移区的集中分布，使电场在横向更均匀。 实验验证：在200V SGT器件中，屏蔽栅可使峰值电场降低30%，BV从180V提升至220V。 材料与工艺缺陷： 外延层缺陷：晶**错或杂质会导致局部电场畸变，BV下降20%-50%。 沟槽刻蚀精度：侧壁倾斜角需控...