故仍旧会有少量的药液51喷洒在挡液板结构10上而留下该药液51的水滴，而该药液51的水滴亦不能落入该基板20上，以避免基板20的蚀刻不均的现象产生；此外，该输送装置30用以承载并运送至少一该基板20于该湿式蚀刻机内运行，并接受湿式蚀刻的喷洒装置50的制程运作，故该输送装置30具有一驱动机构以驱动该滚轮31转动，以带动该基板20由该喷洒装置50下端部朝向该风刀装置40的该***风刀41下端部的方向移动。步骤三s3：使用一设置于该挡液板结构10下方的风刀装置40对该基板20吹出一气体43，以使该基板20干燥；在本实用新型其一较佳实施例中，该风刀装置40设置于该挡液板结构10的一端部，该风刀装置40...

以带动该基板20由该喷洒装置50下端部朝向该风刀装置40的该***风刀41下端部的方向移动。该风刀装置40设置于该挡液板结构10的一端部，该风刀装置40包括有一设置于该基板20上方的***风刀41，以及一设置于该基板20下方的第二风刀42，其中该***风刀41与该第二风刀42分别吹出一气体43至该基板20，以将该基板20上的一药液51带往与相反于该基板20的行进方向，以使该基板20上该药液51减少，其中该气体43远离该***风刀41与该第二风刀42的方向分别与该基板20的法线方向夹设有一第三夹角θ3，且该第三夹角θ3介于20度至35度之间。此外，请一并参阅图8与图9所示，为本实用新型蚀刻设备其...

本发明涉及蚀刻液组合物及选择添加于该蚀刻液组合物的硅烷系偶联剂的方法。背景技术：参照图1，可以确认3dnand闪存(flashmemory)制造工序中的一部分。3dnand闪存可以通过在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*选择性去除氮化物膜的工序(wetremovalofnitride)来制造。在不损伤氧化物膜的同时将氮化物膜完全去除是这样的氮化物膜去除工序(wetremovalofnitride)的**技术之一。一般而言，氮化物膜去除工序中所使用的蚀刻液组合物利用具有防蚀能力的添加剂以获得在不损伤氧化物膜的同时*将氮化物膜完全去除的效果。但是，想要在不损伤氧化物膜的范围内将氮化物膜完全去除时，会使...

将蚀刻液通过回流管抽入到一号排液管中，并由进液管导入到伸缩管中，直至蚀刻液由喷头重新喷到电解池中，可以充分的将蚀刻液中的亚铜离子电解转化为金属铜，起到循环电解蚀刻液的作用；该回收处理装置通过设置有伸缩管与伸缩杆，能够在蚀刻液通过进液管流入到电解池中时，启动液压缸带动伸缩杆向上移动，从而通过圆环块配合伸缩管带动喷头向上移动，进而将蚀刻液缓慢的由喷头喷入到电解池中，避免蚀刻液对电解池造成冲击而影响其使用寿命，具有保护电解池的功能；该回收处理装置通过设置有集气箱与蓄水箱，能够在电解蚀刻液结束后，启动抽气泵，将电解池中产生的有害气体抽入到排气管并导入到集气箱中，实现有害气体的清理，接着启动增压泵并打开...

以带动该基板20由该喷洒装置50下端部朝向该风刀装置40的该***风刀41下端部的方向移动。该风刀装置40设置于该挡液板结构10的一端部，该风刀装置40包括有一设置于该基板20上方的***风刀41，以及一设置于该基板20下方的第二风刀42，其中该***风刀41与该第二风刀42分别吹出一气体43至该基板20，以将该基板20上的一药液51带往与相反于该基板20的行进方向，以使该基板20上该药液51减少，其中该气体43远离该***风刀41与该第二风刀42的方向分别与该基板20的法线方向夹设有一第三夹角θ3，且该第三夹角θ3介于20度至35度之间。此外，请一并参阅图8与图9所示，为本实用新型蚀刻设备其...

本实用涉及蚀刻设备技术领域，具体为一种ito蚀刻液制备装置。背景技术：蚀刻是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术，蚀刻技术分为湿蚀刻和干蚀刻，其中，湿蚀刻是采用化学试剂，经由化学反应达到蚀刻的目的，薄膜场效应晶体管液晶显示器(tft～lcd)、发光二极管(led)、有机发光二极管(oled)等行业用作面板过程中铟锡氧化物半导体透明导电膜(ito)的蚀刻通常采用盐酸和硝酸的混合水溶液。现有的制备装置在进行制备时会发***热反应，使得装置外壳稳定较高，工作人员直接接触有烫伤风险，热水与盐酸接触会产生较为剧烈的反应，溅出容易伤害工作人员，保护性不足，盐酸硝酸具有较强的腐蚀性，常规的搅拌装置容...

对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。实施例一，请参阅图1-4，本实用新型提供技术方案：高蚀刻速率无残留酸性铝蚀刻液生产装置，包括装置主体1、支撑腿2、电源线3和单片机4，装置主体1的底端固定连接有支撑腿2，装置主体1的后面一侧底部固定连接有电源线3，装置主体1的一侧中间部位固定连接有控制器5，装置主体1的内部底端一侧固定连接有单片机4，装置主体1的顶部一端固定连接有去离子水储罐14，装置主体1...

所述制备装置主体的内部中间部位活动连接有高效搅拌装置，所述制备装置主体的一侧中间部位嵌入连接有翻折观察板，所述制备装置主体的底端固定连接有装置底座，所述装置底座的内部底部固定连接有成品罐，所述装置底座的顶端一侧固定连接有盐酸装罐，所述装置底座的顶端另一侧固定连接有硝酸装罐，所述高效搅拌装置的内部顶部中间部位活动连接有旋转摇匀转盘，所述高效搅拌装置的内部顶部两侧活动连接有震荡弹簧件，所述震荡弹簧件的顶端固定连接有运转电机组，所述运转电机组的顶端电性连接有控制面板，所述高效搅拌装置的内部中间部位固定连接有致密防腐杆，所述致密防腐杆的内部内侧贯穿连接有搅动孔，所述盐酸装罐的内部一侧嵌入连接有嵌入引流...

引线框架的腐蚀是如何生产的呢？引线框架的材料主要是电子铜带，常见在引线框架中通过亮镍、锡和锡铅镀层下进行镀镍完成保护金属材料的目的，在材质过程中42合金引线相对来说容易发生应力-腐蚀引发的裂纹。为了保障引线框架的优异的导电性和散热性，处理方式通过电镀银、片式电镀线，将引线和基岛表面作特殊处理，这样能够保障焊线和引线框架的良好焊接性能。引线框架电镀银蚀刻工艺流程主要分：上料-电解除油-活化-预镀铜-预镀银-局部镀银-退银-防银胶扩散-防铜变色-烘干-收料。通过该蚀刻工艺流程能够保障引线框架蚀刻过程中电镀层的厚度、光亮度、粗糙度、洁净度等。因此，蚀刻引线框架对工艺和工厂的管理需要严格控制。上海和辉...

银蚀刻液主要用于印刷线路板制造，银器及银合金的蚀刻、标牌制作。二、突出特点1．蚀刻速度快，效率高。使用方便。蚀刻最高速度可达2000纳米/秒。2．可循环使用，无废液排放。三、理化指标外观：液体；气味：微；比重：1.05±0.1；pH：偏碱性四、使用方法1．预处理：如银或铜合金表面不洁净，需对表面进行洁净处理，如除油、除杂等。2．蚀刻：(1).将图案模板纸粘附于银板或银器上，再将银蚀刻液用喷淋设备喷于图案处，时间1分钟到几十分钟不定（用户可根据蚀刻要求自行试验时间，因模板纸不同，时间也不同），揭去模板纸，用清水冲掉残物。(2).用100-200T的丝网，75度硬度的聚酯刮胶，将光固化抗蚀刻油墨印...

将装置主体1内部的蚀刻液进行清洗，具有很好的清理作用。工作原理：对于这类的回收处理装置，首先将蚀刻液倒入进液漏斗6并由过滤网7过滤到进液管8中，之后蚀刻液流入到承载板3上的电解池4中时，启动液压缸11带动伸缩杆12向上移动，从而通过圆环块13配合连接杆14和伸缩管9带动喷头10向上移动，进而将蚀刻液缓慢的由喷头10喷入到电解池4中，避免蚀刻液对电解池4造成冲击而影响其使用寿命，具有保护电解池4的功能，之后金属铜在隔膜5左侧析出；其次在蚀刻液初次电解后，通过控制面板30启动增压泵16并打开一号电磁阀18，将蚀刻液通过回流管15抽入到一号排液管17中，并由进液管8导入到伸缩管9中，直至蚀刻液由喷头...

所述硫醚系化合物推荐为选自由甲硫氨酸、乙硫氨酸及3-(甲硫基)丙酸所组成的群组中的至少一种。本发明的蚀刻液推荐进一步含有α-羟基羧酸和/或其盐。所述α-羟基羧酸推荐为选自由酒石酸、苹果酸、柠檬酸、乳酸及甘油酸所组成的群组中的至少一种。推荐为，所述酸的浓度为20重量％至70重量％，所述有机硫化合物的浓度为％至10重量％。另外，所述α-羟基羧酸和/或其盐的浓度推荐为％至5重量％。另外，本发明涉及一种使用所述蚀刻液在铜的存在下选择性地蚀刻钛的蚀刻方法。发明的效果本发明的蚀刻液可在铜的存在下选择性地蚀刻钛。另外，本发明的蚀刻液实质上不含氢氟酸及过氧化氢，因此毒性低，保存稳定性优异。具体实施方式本发明的...

下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍。图1是实施例一中公开的储存罐与拖车的安装结构图；图2是实施例二中公开的储存罐与拖车的安装结构图；图3是实施例三中公开的储存罐与拖车的安装结构图；图4是实施例四中公开的储存罐与拖车的安装结构图。具体实施方式下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。实施例一铝蚀刻液生产设备，包括混合罐、过滤器和数个小型的储存罐，混合罐通过液管与过滤器连接，过滤器的出液口处安装有气动升降式出液管，每个储存罐的进液口和出液口中安装有一只单向液动阀，过滤器的出液管自动下行插入储存罐的进液口中，将过滤后的铝蚀刻液注入储存罐内暂...

技术实现要素：本实用新型的目的在于提供高蚀刻速率无残留酸性铝蚀刻液生产装置，以解决上述背景技术中提出密封性差，连接安装步骤繁琐的问题。为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：高蚀刻速率无残留酸性铝蚀刻液生产装置，包括装置主体、支撑腿、电源线和单片机，所述装置主体的底端固定连接有支撑腿，所述装置主体的后面一侧底部固定连接有电源线，所述装置主体的一侧中间部位固定连接有控制器，所述装置主体的内部底端一侧固定连接有单片机，所述装置主体的顶部一端固定连接有去离子水储罐，所述装置主体的顶部一侧固定连接有磷酸储罐，所述磷酸储罐的底部固定连接有搅拌仓，所述搅拌仓的内部顶部固定连接有搅拌电机，所述搅拌仓的另...

该宣泄孔121的上孔径a1与下孔径a2亦不相等，且该上孔径a1小于该下孔径a2，或该宣泄孔121由该第二挡板12的下表面122朝向上表面123的方向渐缩，以维持毛细现象而避免该药液51滴入该基板20上而造成蚀刻不均的问题。当该风刀装置40的***风刀41与该第二风刀42为了减少该基板(本图式未标示)上所残留的药液51而吹出该气体43时，该气体43碰到该挡液板结构10后部分会往该复数个宣泄孔121流动，并朝向该第二挡板12的该上表面123宣泄而出(如图10与图11所示)，除了保有原有挡液板的防止该药液51喷溅而造成的显影不均现象，亦可达到避免该气体43在该基板20附近形成涡流而造成真空吸引问题；...

本实用新型涉及资源回收再利用领域，特别是涉及含铜蚀刻液气液分离装置。背景技术：线路板生产工业中，会对已经使用于蚀刻线路板的含铜蚀刻废液进行回收利用，在回收过程中，废液在加热器中通过蒸汽进行换热，换热完的废液在高温状态下进入分离器，会在分离器中发生闪蒸，闪蒸产生的二次蒸汽中，携带有大小不等的液滴，现有技术因缺乏有效的分离气液的手段，含有铜的液体随着蒸汽被排走，导致了产品发生损失。技术实现要素：基于此，有必要针对现有技术气液分离率低的问题，提供一种含铜蚀刻液气液分离装置。一种含铜蚀刻液气液分离装置，包括分离器及加热器，所述分离器设有液体入口、蒸汽出口及滤液出口，所述液体入口用于将加热器产生的液体输...

可用于银镍合金、银铜合金以及纯银的蚀刻，蚀刻后板面平整光滑。剂对油墨没有影响，可用于花纹蚀刻处理。三、使用方法：1、原液使用，不须加水，操作温度可以是25℃-60℃，温度越高，速度越快。2、将银板浸泡在银蚀刻剂中。用软毛刷来回轻轻刷动，使药水与银充分均匀反应；或者也可以用摇床，使药水来回动运，使板蚀刻速度加快。但不能超声波，以免破坏（感光）油墨。参考数据：50℃→5分钟→0.1毫米深度。30℃→20分钟→0.1毫米深度。3、水洗后做后续处理。哪家公司的蚀刻液的是口碑推荐？无锡铜钛蚀刻液蚀刻液销售公司下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍。图1是实施例一中公开的储存罐与拖车的安装结构图...

本实用涉及蚀刻设备技术领域，具体为一种ito蚀刻液制备装置。背景技术：蚀刻是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术，蚀刻技术分为湿蚀刻和干蚀刻，其中，湿蚀刻是采用化学试剂，经由化学反应达到蚀刻的目的，薄膜场效应晶体管液晶显示器(tft～lcd)、发光二极管(led)、有机发光二极管(oled)等行业用作面板过程中铟锡氧化物半导体透明导电膜(ito)的蚀刻通常采用盐酸和硝酸的混合水溶液。现有的制备装置在进行制备时会发***热反应，使得装置外壳稳定较高，工作人员直接接触有烫伤风险，热水与盐酸接触会产生较为剧烈的反应，溅出容易伤害工作人员，保护性不足，盐酸硝酸具有较强的腐蚀性，常规的搅拌装置容...

以及一设置于基板下方的第二风刀，其中***风刀与第二风刀分别吹出一气体至基板。如上所述的蚀刻设备，其中蚀刻设备可进一步设置有一喷洒装置，喷洒装置相对于风刀装置一端而设置于挡液板结构的另一端部。如上所述的蚀刻设备，其中喷洒装置喷洒一药液至基板上。如上所述的蚀刻设备，其中挡液板结构与基板的垂直距离介于8mm至15mm之间。如上所述的蚀刻设备，其中滚轮呈顺时针方向转动，并带动基板由喷洒装置下端部朝向风刀装置的***风刀下端部的方向移动。如上所述的蚀刻设备，其中气体远离***风刀与第二风刀的方向分别与基板的法线方向夹设有一第三夹角。如上所述的蚀刻设备，其中第三夹角介于20度至35度之间。再者，为了达到...

且过滤部件能将内部的过滤板进行拆卸更换，有效的提高了装置连接安装的便利性。2.高蚀刻速率无残留酸性铝蚀刻液生产装置，连接构件，连接构件设置在搅拌仓的底部，连接构件与搅拌仓固定连接，连接构件能将装置主体内部的两个构件进行连接并固定，且在将两构件进行连接或拆卸的时候，不需要使用任何工具就能完成安装和拆卸工作，有效的提高了装置连接的实用性。附图说明图1为本实用新型的整体结构示意图；图2为本实用新型的过滤部件剖视图；图3为本实用新型的连接构件剖视图；图4为本实用新型的内部构件连接框架图。图中：1、装置主体，2、支撑腿，3、电源线，4、单片机，5、控制器，6、防滑纹，7、密封阀门(z45x-16)，8、...

可以维持合适的蚀刻速度且提高sin/sio2选择比。(b)硅烷系偶联剂本发明的蚀刻液组合物中所包含的上述硅烷(silane)系偶联剂作为防蚀剂可以在防止包含氧化物膜和氮化物膜的膜中的氧化物膜被上述磷酸氧化时使用。上述硅烷系偶联剂推荐使上述硅烷系偶联剂的反应位点(activesite)的数量除以上述硅烷系偶联剂的水解(hydrolysis)了的形态的分子量之后乘以，更推荐满足。上述硅烷系偶联剂推荐按照蚀刻液组合物的蚀刻程度(etchingamount，e/a)满足以上以下的范围的浓度来添加。上述硅烷系偶联剂推荐为选自由原硅酸四乙酯(tetraethylorthosilicate)、双(三乙氧基甲...

本实用新型涉及资源回收再利用领域，特别是涉及含铜蚀刻液气液分离装置。背景技术：线路板生产工业中，会对已经使用于蚀刻线路板的含铜蚀刻废液进行回收利用，在回收过程中，废液在加热器中通过蒸汽进行换热，换热完的废液在高温状态下进入分离器，会在分离器中发生闪蒸，闪蒸产生的二次蒸汽中，携带有大小不等的液滴，现有技术因缺乏有效的分离气液的手段，含有铜的液体随着蒸汽被排走，导致了产品发生损失。技术实现要素：基于此，有必要针对现有技术气液分离率低的问题，提供一种含铜蚀刻液气液分离装置。一种含铜蚀刻液气液分离装置，包括分离器及加热器，所述分离器设有液体入口、蒸汽出口及滤液出口，所述液体入口用于将加热器产生的液体输...

本实用新型涉及资源回收再利用领域，特别是涉及含铜蚀刻液气液分离装置。背景技术：线路板生产工业中，会对已经使用于蚀刻线路板的含铜蚀刻废液进行回收利用，在回收过程中，废液在加热器中通过蒸汽进行换热，换热完的废液在高温状态下进入分离器，会在分离器中发生闪蒸，闪蒸产生的二次蒸汽中，携带有大小不等的液滴，现有技术因缺乏有效的分离气液的手段，含有铜的液体随着蒸汽被排走，导致了产品发生损失。技术实现要素：基于此，有必要针对现有技术气液分离率低的问题，提供一种含铜蚀刻液气液分离装置。一种含铜蚀刻液气液分离装置，包括分离器及加热器，所述分离器设有液体入口、蒸汽出口及滤液出口，所述液体入口用于将加热器产生的液体输...

为本实用新型挡液板结构其二较佳实施例的宣泄孔排列示意图，以及其三较佳实施例的宣泄孔排列示意图，在本实用新型其二较佳实施例中，开设于该第二挡板12上的宣泄孔121亦呈千鸟排列的直通孔态样，且位于同一列的宣泄孔121之间具有相同的距离，例如：图4中所示的w1，其中w1大于图3的w或图5的w2，其中w2大于w，而该宣泄孔121的一孔径a0亦小于3mm，以使该宣泄孔121的孔洞内产生毛细现象，若该第二挡板12的该上表面123有水滴出现时，则该水滴不至于经由该宣泄孔121落至下表面，但仍旧可以提供空气宣泄的管道，以借由该宣泄孔121平衡该第二挡板12上、下二端部的压力。此外，请参阅图6与图7所示，为本实...

负的值表示厚度减小。上述蚀刻液组合物以在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*选择性蚀刻上述氮化物膜为特征，上述氧化物膜推荐包含sio2，上述氮化物膜推荐包含sin。上述蚀刻液组合物用于3dnand闪存制造工序，能够使上述氮化物膜去除工序中发生的副反应氧化物的残留和氧化物膜损伤不良问题**少化。本发明的蚀刻液组合物包含如上选择的添加剂，在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*选择性蚀刻氮化物膜时，能够使因副反应氧化物的残留时间变长而氮化物膜未被完全去除的不良(参照图2)以及氮化物膜虽被完全去除但也造成氧化物膜损伤(damage)的工序不良(参照图3)的发生**少化。因副反应氧化物的残留时间变长而氮化物膜未被完...

本发明涉及回收处理技术领域，具体为一种废铜蚀刻液的回收处理装置。背景技术：废铜蚀刻液含有可回收的金属，所以需要进行回收处理，目前通用的做法是，使用化学方法回收废液内的铜，或提炼成硫酸铜产品，工艺落后，铜回收不彻底，处理的经济效益不明显，有二次污染污染物排放，一旦处理不当往外排放，势必对水体生态系统造成大的冲击。市场上的废铜蚀刻液的回收处理装置只能简单的对蚀刻液进行回收处理，不能对蚀刻液进行循环电解，使得剩余蚀刻液中的铜离子转化不充分，而且蚀刻液导入到电解池中会对电解池造成冲击，进而影响电解池的使用寿命，并且在回收处理中会产生有害气体而影响空气环境，也不能在回收结束后对装置内部进行清理，为此，我...

下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍。图1是实施例一中公开的储存罐与拖车的安装结构图；图2是实施例二中公开的储存罐与拖车的安装结构图；图3是实施例三中公开的储存罐与拖车的安装结构图；图4是实施例四中公开的储存罐与拖车的安装结构图。具体实施方式下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。实施例一铝蚀刻液生产设备，包括混合罐、过滤器和数个小型的储存罐，混合罐通过液管与过滤器连接，过滤器的出液口处安装有气动升降式出液管，每个储存罐的进液口和出液口中安装有一只单向液动阀，过滤器的出液管自动下行插入储存罐的进液口中，将过滤后的铝蚀刻液注入储存罐内暂...

从蚀刻速度及安全性的观点来看，推荐为40℃至70℃，更推荐为45℃至55℃。处理时间视对象物的表面状态及形状等而变化，通常为30秒至120秒左右。实施例然后，对本发明的实施例与比较例一起进行说明。此外，本发明并非限定于下述实施例而解释。制备表1及表2所示的组成的各蚀刻液，在下述条件下进行蚀刻试验及蚀刻液的稳定性试验。此外，表1及表2所示的组成的各蚀刻液中，剩余部分为离子交换水。另外，表1及表2所示的盐酸的浓度为以氯化氢计的浓度。(蚀刻试验)通过溅镀法在树脂上形成50nm的钛膜，然后成膜200nm的铜膜，进而通过电镀铜在该铜膜上形成图案，将所得的基板用作试样。使用铜的蚀刻液，将试样的溅镀铜膜溶解...

铜蚀刻液近期成为重要的微电子化学品产品，广泛应用于平板显示、LED制造及半导体制造领域。随着新技术的不断进步，对该蚀刻液也有了更高的要求。并且之前市场上的铜蚀刻液成分普遍存在含氟、硝酸或高浓度双氧水的情况。在此基础上我司自主进行了无氟，无硝酸，低双氧水浓度铜蚀刻液的研发，并可兼容于不同CuMo镀膜厚度之工艺。产品特点：1.6%双氧水浓度的铜蚀刻液lifetime可至7000ppm。2.末期铜蚀刻液工艺温度（32）下可稳定72H，常温可稳定120H；无暴沸现象。3.铜蚀刻液CD-Loss均一性良好，taper符合制程要求。4.铜蚀刻液可兼容MoCu结构不同膜厚度的机种。「博洋化学」专业生产蚀刻液...

故仍旧会有少量的药液51喷洒在挡液板结构10上而留下该药液51的水滴，而该药液51的水滴亦不能落入该基板20上，以避免基板20的蚀刻不均的现象产生；此外，该输送装置30用以承载并运送至少一该基板20于该湿式蚀刻机内运行，并接受湿式蚀刻的喷洒装置50的制程运作，故该输送装置30具有一驱动机构以驱动该滚轮31转动，以带动该基板20由该喷洒装置50下端部朝向该风刀装置40的该***风刀41下端部的方向移动。步骤三s3：使用一设置于该挡液板结构10下方的风刀装置40对该基板20吹出一气体43，以使该基板20干燥；在本实用新型其一较佳实施例中，该风刀装置40设置于该挡液板结构10的一端部，该风刀装置40...