国产GEN3测试系统市价

AI芯片在推理或训练突发负载下，电流可在微秒级剧烈波动，易引发电压塌陷（VoltageDroop）。国磊GT600SoC测试机支持高采样率动态电流监测，可捕获电源门控开启瞬间的浪涌电流（InrushCurrent）与工作过程中的瞬态功耗波形，帮助设计团队优化去耦电容布局与电源完整性（PI）设计。其128M向量响应存储深度支持长时间功耗行为记录，用于分析AI工作负载的能耗模式。现代AISoC集成CPU、NPU、HBM、SerDes等模块，引脚数常超2000。国磊GT600支持**2048个数字通道与400MHz测试速率，可完整覆盖AI芯片的I/O接口功能验证。其512Sites高并行测试架构**提升测试吞吐量，降低单颗芯片测试成本，满足AI服务器芯片大规模量产需求。
国磊GT600SoC测试机400MHz测试速率可覆盖HBM2e/HBM3接口逻辑层的高速功能验证。国产GEN3测试系统市价

高性能GPU的功耗管理直接影响系统稳定性与能效比。“风华3号”支持多级电源域与动态频率调节，要求测试平台具备高精度DC参数测量能力。国磊GT600测试机每通道集成PPMU，支持nA级静态电流（IDDQ）测量，可**识别GPU在待机、低功耗模式下的漏电异常。其可选配高精度浮动SMU板卡，支持-2.5V~7V电压范围与1A驱动能力，可用于DVFS电压切换测试、电源上电时序（PowerSequencing）验证及电源抑制比（PSRR）分析。GT-TMUHA04时间测量单元提供10ps分辨率，可精确测量GPU**唤醒延迟、中断响应时间与时钟同步偏差，确保AI训推与实时渲染任务的时序可靠性。国产GEN3测试系统市价国磊GT600每通道集成PPMU，支持nA级电流分辨率，可精确测量SoC在睡眠、深度睡眠或关断模式下的静态漏电流。

    高通道密度（512~2048数字通道）——适配复杂AISoC引脚规模，现代AI芯片引脚数常超2000（如集成HBM堆栈、多核NPU、多电源域），传统测试设备通道不足。支持**多2048个数字通道，可一次性完成全引脚并行测试，避免分时复用导致的测试盲区。满足寒武纪、壁仞、华为昇腾等国产AI芯片的高集成度测试需求，助力其快速进入数据中心与边缘计算市场。超大向量深度（**高128M/通道）——实现真实AI负载场景回放，AI推理/训练涉及复杂算法流（如Transformer、CNN），需长时间、高覆盖率的功能验证。128M向量存储深度支持完整运行真实AI工作负载测试向量，捕获边界条件下的功能异常或功耗峰值。不仅验证逻辑功能，更能模拟实际应用场景，提升芯片可靠性，加速客户产品上市周期。

杭州国磊GT600支持比较高400MHz测试速率，意味着每秒可执行4亿次信号激励与采样，这是验证现代高速SoC的基石。在智能手机场景中，麒麟芯片的LPDDR5内存接口、PCIe 4.0存储总线、USB4高速传输均工作在GHz级频率。GT600的400MHz速率虽非直接运行在接口全速，但足以覆盖其协议层的功能测试与时序验证。通过“降频测试+向量仿真”，GT600能精确捕捉信号边沿、验证数据完整性。在AI芯片测试中，该速率可驱动NPU**进行高吞吐矩阵运算测试，确保算力达标。400MHz还支持复杂状态机跳转、多模块协同仿真，避免因测试速率不足导致功能覆盖缺失。这一参数使GT600能胜任从5G通信到边缘计算的各类高速芯片验证，成为国产**SoC量产的“***道高速关卡”。国磊半导体致力于为全球客户提供高性能的测试解决方案。

可穿戴设备的“微功耗**” AI眼镜、智能手表等可穿戴设备依赖电池供电，对SoC功耗极其敏感。一颗芯片若待机漏电超标，可能导致设备“一天三充”。杭州国磊GT600的PPMU可精确测量nA级静态电流（Iddq），相当于每秒流过数亿个电子的微小电流，能识别芯片内部的“隐形漏电点”。通过FVMI模式，杭州国磊GT600可在不同电压下测试芯片功耗，验证其电源门控（Power Gating）与休眠唤醒机制是否有效。其高精度测量能力确保只有“省电体质”的芯片进入量产。同时，杭州国磊GT600支持混合信号测试，可验证传感器融合、语音唤醒等低功耗功能。在追求“轻薄长续航”的可穿戴市场，杭州国磊GT600以“微电流级”检测能力，为国产芯片的用户体验提供底层保障。国磊GT600支持单一部署的NPU芯片如寒武纪、天玑NPU低功耗状态机、唤醒延迟、静态电流与混合信号接口验证。金门CAF测试系统生产厂家

国磊GT600SoC测试机支持高达2048个数字通道，满足HBM接口千级I/O引脚的并行测试需求。国产GEN3测试系统市价

集成PPMU与动态电流监测——赋能“每瓦特算力”优化 背景：AI芯片能效比（Performance per Watt）成为核心竞争力，尤其在数据中心“双碳”目标下。每通道集成PPMU，支持nA级静态电流与A级动态电流测量； 可捕获微秒级浪涌电流（Inrush Current）与电压塌陷（Voltage Droop）； 支持FVMI/FIMV等模式，绘制功耗-性能曲线。帮助芯片设计团队优化电源完整性（PI）与低功耗策略（如电源门控），打造高能效国产AI芯片。512 Sites并行测试架构——降低量产成本，抢占市场先机。AI芯片年出货量动辄百万级，测试成本直接影响产品竞争力。512站点并行测试能力，使单颗芯片测试成本降低70%以上，测试效率呈指数级提升。为国产AI芯片大规模量产提供“超级测试流水线”，实现“测得快、卖得起、用得稳”。开放软件生态（GTFY + C++ + Visual Studio）——加速AI芯片创新迭代 背景：AI架构快速演进（如存算一体、类脑计算），需高度灵活的测试平台。开放编程环境支持自定义测试逻辑，高校与企业可快速开发新型测试方案。不仅是量产工具，更是科研创新的“开放实验台”，推动中国AI芯片从“跟随”走向“**”。国产GEN3测试系统市价