国产替代GEN测试系统研发

    GT600SoC测试机在测试高可靠性产品（如车规芯片、工业级MCU、航天电子、医疗设备芯片）时，展现出精度、***性、稳定性与可追溯性四大**优势，确保产品在极端环境下长期稳定运行。首先，高精度参数测量是可靠性的基石。GT600配备每通道PPMU（参数测量单元），可精确测量nA级静态漏电流（Iddq），识别因制造缺陷导致的微小漏电或潜在短路。这种“亚健康”芯片在常温下可能功能正常，但在高温或长期使用后极易失效。GT600通过精密筛查，提前剔除隐患，大幅提升产品早期失效率（InfantMortality）的控制能力。其次，支持***的可靠性测试项目。GT600可配合温控系统进行高温老化测试（Burn-in），在高温高压下运行芯片数百小时，加速暴露早期缺陷。其浮动SMU电源板卡能模拟车载12V/24V或工业设备的复杂电源环境，验证芯片在电压波动、负载突变下的稳定性。对于通信类高可靠产品，高精度TMU（10ps分辨率）可检测信号时序漂移，确保长期通信无误码。再次，高稳定性与长周期测试能力。GT600硬件设计冗余，散热优良，支持7x24小时连续运行，可执行长达数周的耐久性测试，模拟产品十年生命周期。128M向量深度确保长周期测试程序不中断，数据完整。***，数据可追溯性强。 国磊GT600SoC测试机DPS板卡支持动态Force输出，可用于HBM电源上电时序（PowerSequencing）验证。国产替代GEN测试系统研发

国际数据公司（IDC）预测的人工智能服务器市场高速增长（2024年1251亿美元→2028年2227亿美元），本质上是高算力芯片（GPU、ASIC）在功耗、密度与可靠性层面极限挑战的集中体现。每一块AI加速卡背后，都是数百瓦功耗、数千电源引脚、多级电压域、复杂电源门控与瞬态电流管理的设计博弈。而这些，正是国磊GT600SoC测试机凭借其高精度电源与功耗验证能力，**切入并把握产业机遇的技术支点。AI芯片普遍采用7nm/5nm等先进工艺，静态漏电（Leakage）随工艺微缩呈指数增长。国磊GT600通过每通道PPMU，支持nA级静态电流测量，可**识别G**SIC在待机、休眠模式下的异常漏电，确保电源门控（PowerGating）机制有效，避免“隐形功耗”拖累整机能效。其高精度浮动SMU板卡支持-2.5V~7V宽电压输出，可**控制AI芯片的Core、Memory、I/O等多电源域，验证上电时序（PowerSequencing）与电压裕量（VoltageMargining），防止因电源顺序错误导致的闩锁或功能失效。杭州国磊GEN3测试系统研发GM8800高阻测试系统可长时间稳定运行1-9999小时。

智能汽车芯片的“安全卫士” 随着比亚迪、蔚来、小鹏等车企加速自研芯片，车规级MCU、功率半导体需求激增。这些芯片必须通过AEC-Q100等严苛认证，确保在-40℃~150℃极端环境下稳定运行十年以上。杭州国磊GT600凭借每通道PPMU，可精确测量nA级静态漏电流（Iddq），识别因制造缺陷导致的微小漏电，从源头剔除“体质虚弱”的芯片。其浮动SMU电源板卡可模拟车载12V/24V供电系统，验证电源管理单元在电压波动、负载突变下的稳定性，防止“掉电重启”或“逻辑错乱”。杭州国磊GT600还支持高温老化测试（Burn-in）接口，配合温控系统进行早期失效筛选，大幅提升车载芯片的长期可靠性。在“安全至上”的汽车电子领域，杭州国磊GT600以“微电流级检测+真实工况模拟”，为每一程出行筑起安全防线。

    杭州国磊（Guolei）的GT600SoC测试系统本质上是一款面向高性能系统级芯片（SoC）量产与工程验证的自动测试设备（ATE），其**能力聚焦于高精度数字、模拟及混合信号测试。虽然该设备本身并非为量子计算设计，但在当前科技融合加速发展的背景下，杭州国磊（Guolei）SoC测试系统确实可以在特定环节与量子科技产生间接但重要的联系。量子芯片控制与读出电路的测试需求目前实用化的量子处理器（如超导量子比特、硅基自旋量子比特）本身无法**工作，必须依赖大量经典控制电子学模块——包括高速任意波形发生器（AWG）、低噪声放大器、高精度数模/模数转换器（DAC/ADC）以及低温CMOS读出电路。这些**控制芯片多为定制化SoC或ASIC，需在极端条件下（如低温、低噪声）进行功能与参数验证。GT600配备的高精度AWG板卡（THD达-122dB）、24位混合信号测试能力及GT-TMUHA04时间测量单元（10ps分辨率），恰好可用于验证这类量子控制芯片的信号保真度、时序同步性与电源完整性，从而间接支撑量子系统的稳定运行。 每通道测试时间＜15ms，256通道全测不超过60秒，高效节能。

环境应力测试兼容性，部分工业或车规级MEMS需在高低温、高湿等环境下工作。国磊（Guolei）GT600支持与温控探针台/分选机联动，通过GPIB/TTL接口实现自动化环境应力筛选（ESS）。其小型化、低功耗设计也便于集成到温箱内部，确保在-40℃~125℃范围内稳定运行，满足AEC-Q100等车规认证要求。国产替代保障MEMS产业链安全 中国是全球比较大的MEMS消费市场，但**MEMS芯片及测试设备长期依赖进口。国磊（Guolei）GT600作为国产高性能ATE，已在部分国内MEMS厂商中部署，用于替代Teradyne J750或Advantest T2000等平台。这不仅降低采购与维护成本，更避免因国际供应链波动影响产能，助力构建“MEMS设计—制造—封装—测试”全链条自主可控生态。虽然国磊SoC测试机不直接测试MEMS的机械结构（如谐振频率、Q值等需**激光多普勒或阻抗分析仪），但它精细覆盖了MEMS产品中占比70%以上的电子功能测试环节。随着MEMS向智能化、集成化、高精度方向发展，其配套SoC/ASIC的复杂度将持续提升，对测试设备的要求也将水涨船高。国磊（Guolei）GT600凭借高精度、高灵活性与国产化优势，正成为支撑中国MEMS产业高质量发展的关键测试基础设施。国磊GT600支持选配高精度浮动SMU板卡，可在-2.5V至7V范围内精确施加电压，监测各电源域的动态与静态电流。国产替代导电阳极丝测试系统精选厂家

国磊GT600向量存储深度32/64/128M，支持长Pattern测试序列，适用于带数字校准功能的智能传感器芯片。国产替代GEN测试系统研发

    低温CMOS芯片的常温预筛与参数表征许多用于量子计算的控制芯片需在毫开尔文温度下工作，但其制造仍基于标准CMOS工艺。在封装并送入稀释制冷机前，必须通过常温下的严格电性测试进行预筛选。杭州国磊（Guolei）GT600支持每引脚PPMU（参数测量单元）和可编程浮动电源（），能精确测量微弱电流、漏电及阈值电压漂移等关键参数，有效剔除早期失效器件，避免昂贵的低温测试资源浪费。量子测控SoC的量产验证平台随着量子计算机向百比特以上规模演进，集成化“量子测控SoC”成为趋势（如Intel的HorseRidge芯片）。这类芯片集成了多通道微波信号调制、频率合成、反馈控制等功能，结构复杂度接近**AI或通信SoC。GT600的512~2048通道并行测试能力、128M向量深度及400MHz测试速率，完全可满足此类**SoC在工程验证与小批量量产阶段的功能覆盖与性能分bin需求。 国产替代GEN测试系统研发