离子迁移测试系统供应商

高性能GPU的功耗管理直接影响系统稳定性与能效比。“风华3号”支持多级电源域与动态频率调节，要求测试平台具备高精度DC参数测量能力。国磊GT600测试机每通道集成PPMU，支持nA级静态电流（IDDQ）测量，可**识别GPU在待机、低功耗模式下的漏电异常。其可选配高精度浮动SMU板卡，支持-2.5V~7V电压范围与1A驱动能力，可用于DVFS电压切换测试、电源上电时序（PowerSequencing）验证及电源抑制比（PSRR）分析。GT-TMUHA04时间测量单元提供10ps分辨率，可精确测量GPU**唤醒延迟、中断响应时间与时钟同步偏差，确保AI训推与实时渲染任务的时序可靠性。国磊GT600为采用先进工艺、集成多电源域、支持复杂低功耗策略的SoC提供了从研发验证到量产测试的全程支持。离子迁移测试系统供应商

GT600每通道集成PPMU，具备nA级电流分辨率。在电源门控测试中，将PPMU连接至被门控模块的电源引脚（VDD）或地引脚（VSS），在门控信号（PG_EN）关闭后，测量该模块的静态电流（IDDQ）。若电流**高于设计预期（如>1μA），则表明存在异常漏电，可能由工艺缺陷或电源开关未完全关断导致。GT600支持多路**SMU/PPMU，可同时监测主电源域与被门控电源域的电流。测试时，保持主逻辑供电，关闭目标模块的电源门控信号，通过对比门控前后该域电流的变化，精确提取**由门控网络控制的漏电成分，排除其他模块干扰。GT600支持电压扫描（VoltageSweeping）和温控联动（通过探针台接口），可在高温（如125°C）和高电压条件下进行测试，放大漏电效应，提升缺陷检出率。例如，在VDD=1.2V、125°C下测量关断电流，可暴露常温下难以发现的微小漏电。通过GTFY软件系统编写C++脚本，可自动化执行：施加正常工作电压；发送指令进入低功耗模式并触发电源门控；延时稳定（如10ms）；启动PPMU进行电流采样；重复多次以验证一致性。该流程确保测试可重复，并能捕捉间歇性漏电。离子迁移测试系统供应商国磊GT600的高精度参数测量能力、灵活的电源管理测试支持、低功耗信号检测精度适配现代低功耗SoC设计需求。

测试数据闭环助力量子芯片协同优化，国磊（Guolei）GT600支持STDF、CSV等格式输出，并具备数据分析与图形化显示功能。这些测试数据可与量子芯片的设计仿真平台联动，形成“测试—反馈—优化”闭环。例如，若某批次控制芯片的相位噪声超标，可反向指导量子比特布局或滤波器设计，提升整体系统相干时间。国产化替代保障量子科技供应链安全 量子技术属于国家战略科技力量，其**装备的自主可控至关重要。国磊（Guolei）作为国产**ATE厂商，其GT600系统已实现对国际同类设备（如Advantest、Teradyne）部分功能的替代。

智能驾驶对高性能SoC芯片的依赖日益加深。随着L2+至L4级自动驾驶技术的快速演进，车载计算平台对SoC（系统级芯片）的性能、可靠性与实时性提出了前所未有的高要求。这些SoC通常集成了CPU、GPU、NPU、ISP及**AI加速单元，用于处理多传感器融合、路径规划与决策控制等复杂任务。然而，如此复杂的芯片架构对测试环节构成了巨大挑战。杭州国磊GT600 SoC测试机凭借高达400 MHz的测试速率、512至2048个数字通道以及每通道高达128M的向量存储深度，能够高效覆盖智能驾驶SoC在功能验证阶段所需的高并发、高精度测试场景，为芯片从设计到量产提供坚实保障。现代低功耗SoC普遍采用动态电压频率调节以平衡性能与能耗。国磊GT600可通过使用SMU动态切换供电电压。

AI芯片在推理或训练突发负载下，电流可在微秒级剧烈波动，易引发电压塌陷（VoltageDroop）。国磊GT600SoC测试机支持高采样率动态电流监测，可捕获电源门控开启瞬间的浪涌电流（InrushCurrent）与工作过程中的瞬态功耗波形，帮助设计团队优化去耦电容布局与电源完整性（PI）设计。其128M向量响应存储深度支持长时间功耗行为记录，用于分析AI工作负载的能耗模式。现代AISoC集成CPU、NPU、HBM、SerDes等模块，引脚数常超2000。国磊GT600支持**2048个数字通道与400MHz测试速率，可完整覆盖AI芯片的I/O接口功能验证。其512Sites高并行测试架构**提升测试吞吐量，降低单颗芯片测试成本，满足AI服务器芯片大规模量产需求。
低功耗SoC应用于物联网、可穿戴设备等高量产场景。国磊GT600支持512Sites并行测试，降低芯片的测试成本。离子迁移测试系统供应商

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高精度模拟测试能力匹配MEMS信号链要求，MEMS传感器输出信号微弱（如微伏级电容变化或纳安级电流），对测试系统的本底噪声和分辨率要求极高。国磊（Guolei）GT600可选配的GT-AWGLP02 AWG板卡具备**-122dB THD**（总谐波失真）和110dB SNR（信噪比），能生成超纯净激励信号；同时其Digitizer支持20~24位采样，可精确捕获微弱响应。这种能力对于测试MEMS麦克风的灵敏度、压力传感器的满量程输出或磁力计的偏置稳定性至关重要。支持低功耗与宽电压范围测试 许多MEMS器件用于可穿戴设备、物联网节点等电池供电场景，对功耗极为敏感。国磊（Guolei）GT600的GT-DPSMV08电源板卡支持**-2.5V ~ +7V、1A**输出，并具备每引脚**电源控制（PPMU），可精确测量待机/工作/休眠各模式下的电流（nA~mA级），验证MEMS-SoC是否满足ULP（**功耗）设计目标，这对通过终端产品能效认证（如Energy Star）具有直接价值。离子迁移测试系统供应商