南京PCB测试系统精选厂家

国磊（Guolei）的SoC测试机（如GT600）虽然主要面向高性能系统级芯片（SoC）的数字、模拟及混合信号测试，但其技术能力与MEMS（微机电系统）领域存在多维度、深层次的联系。尽管MEMS器件本身结构特殊（包含机械微结构、传感器/执行器等），但在实际应用中，绝大多数MEMS芯片都需与**ASIC或SoC集成封装（如惯性测量单元IMU、麦克风、压力传感器等），而这些配套电路的测试正是国磊SoC测试机的**应用场景。MEMS-ASIC协同封装的测试需求，现代MEMS产品极少以“裸传感器”形式存在，通常采用MEMS+ASIC的异质集成方案。例如，加速度计/陀螺仪中的MEMS结构负责感知物理量，而配套的ASIC则完成信号调理、模数转换、温度补偿和数字接口输出。这类ASIC往往具备高精度模拟前端（如低噪声放大器、Σ-Δ ADC）、可编程增益控制和I²C/SPI数字接口，属于典型的混合信号SoC。 国磊GT600配备24位高精度AWG/Digitizer板卡、PPMU每引脚参数测量单元及TMU时间测量功能，可***验证此类MEMS配套ASIC的线性度、噪声性能、时序响应和电源抑制比，确保传感器整体精度与可靠性。国磊GT600可使用AWG生成模拟输入信号，Digitizer捕获输出，计算INL、DNL、SNR、THD等指标。南京PCB测试系统精选厂家

    AI加速芯片（如思元系列）专为云端推理与边缘计算设计，**诉求是“高算力密度、***能效比、毫秒级稳定响应”。这类芯片往往集成数千个AI**与高速互联总线，测试复杂度高、功耗敏感、量产规模大，传统测试设备难以兼顾效率与精度。国磊GT600凭借512站点并行测试能力，可同时对512颗芯片进行功能与参数验证，极大缩短测试周期，摊薄单颗芯片成本——这对动辄数万片出货的数据中心级芯片而言，意味着数千万级成本优化。在功耗控制上，国磊GT600的PPMU单元可精确测量芯片在待机、轻载、满载等多场景下的静态与动态电流，结合FVMI（强制电压测电流）模式，验证芯片在不同电压域下的功耗表现，确保其在7x24小时运行的数据中心中实现“每瓦特算力比较大化”。同时，其高精度TMU（时间测量单元，10ps分辨率）可检测AI**间数据同步的时序抖动，避免因时钟偏移导致的推理错误或延迟波动，保障AI服务的稳定低时延。 广州CAF测试系统研发GT600通过高采样率动态电流监测捕获电流波形，若峰值电流超过安全阈值，可判定存在电源设计风险。

国磊GT600支持可选配高精度浮动SMU板卡，每块SMU可**输出电压与监测电流。对于具有多个电源域（如VDD_CORE、VDD_IO、VDD_SRAM、VDD_PG）的SoC，GT600可为每个域分配**SMU通道，实现各电源域**上电/断电、不同电压值（如1.8V、1.2V、0.9V）同时施加、防止电源域间相互干扰。现代SoC要求多个电源域按特定顺序上电（如先VDD_IO，后VDD_CORE）以避免闩锁效应。国磊GT600通过GTFY软件系统编程控制各SMU的开启时间，精确设置各域电压的上升延迟（精度达ms级），验证SoC在正确与错误时序下的行为，确保设计符合规范。国磊GT600的SMU和PPMU支持实时监测每个电源域的电流消耗，可用于识别某电源域的异常功耗（如漏电、短路）、分析不同工作模式（运行、睡眠、唤醒）下的域级功耗分布、验证电源门控模块是否有效切断目标域供电。国磊GT600可编程调节各电源域电压（如±5%波动），测试SoC在电压偏移条件下的功能稳定性，评估电源完整性设计余量。对于国磊GT600SMU电压范围外的电源（如高压模拟域），可通过GPIB/TTL接口控制外部源表或电源模块，实现与GT600内部SMU的同步操作，构建完整的多电源域测试系统。

    国产手机自研芯片体系——包括手机SoC（如麒麟系列）、服务器芯片（如鲲鹏）、AI加速芯片（如昇腾Ascend）——不仅是产品竞争力的**，更是中国半导体自主可控的战略支点。这些芯片高度集成、性能***、功耗敏感，对测试设备的全面性、精度、效率和灵活性提出前所未有的挑战。国磊GT600SoC测试机，正是为这类**国产芯片量身打造的“全能考官”。国磊GT600不仅能验证手机SoC的CPU/GPU的基础逻辑功能，更能通过可选配的AWG（任意波形发生器），模拟真实世界的模拟信号，精细测试ISP图像处理单元对摄像头输入信号的响应质量，确保拍照清晰、色彩准确；通过高精度TMU（时间测量单元，精度达10ps），验证5G基带芯片的信号时序与抖动，保障通信稳定低延迟；通过每通道PPMU，检测NPU在待机与高负载下的微小漏电流，确保AI算力强劲的同时功耗可控。 国磊GT600SoC测试机支持GT-AWGLP02任意波形发生器板卡，THD达-122dB，适用于HBMSerDes接收端灵敏度测试。

杭州国磊GT600 SoC测试机在车规芯片测试中扮演着“全生命周期可靠性卫士”的关键角色，其应用贯穿从研发验证到量产的全过程，精细满足AEC-Q100等严苛标准。 首先，国磊GT600的**优势在于其高精度参数测量能力。 其每通道集成的PPMU（参数测量单元）可精确测量nA级静态漏电流（Iddq），这是车规芯片的**指标。微小漏电可能在高温或长期使用后演变为功能失效，国磊GT600通过精密筛查，确保芯片在-40℃至150℃宽温域内“零漏电”，大幅提升产品早期可靠性。 其次，国磊GT600***支持AEC-Q100关键测试项目。 在高温工作寿命测试（HTOL）中，国磊GT600可配合温控系统，在150℃高温下对芯片施加高压并连续运行1000小时以上，验证其长期稳定性。其浮动SMU电源板卡能精细模拟车载12V/24V供电系统，验证电源管理单元（PMU）在电压波动、负载突变下的响应能力，防止“掉电重启”。国磊GT600GPIB/TTL接口支持与外部源表、LCR表、温控台联动，构建高精度模拟参数测试系统。广东CAF测试系统现货直发

强大的软件系统，提供实时数据采集和深度分析功能。南京PCB测试系统精选厂家

高速数字接口验证保障系统集成，**MEMSIMU（如用于AR/VR或自动驾驶）常集成SPI/QSPI接口，速率可达50MHz以上。国磊（Guolei）GT600支持400MHz测试速率和100ps边沿精度，不仅能验证数字协议合规性，还可进行眼图分析、抖动测试和建立/保持时间检查，确保MEMS模块在高速数据交互中不失效，避免因接口时序问题导致系统崩溃。并行测试提升MEMS量产效率 消费级MEMS芯片（如手机中的六轴传感器）年出货量达数亿颗，对测试成本极其敏感。国磊（Guolei）GT600支持比较高512 Sites并行测试，可在单次测试中同时验证数百颗MEMS-ASIC芯片，大幅降低单颗测试时间与成本。结合其向量存储深度（比较高128M）和ALPG（自动逻辑图形生成）功能，可高效覆盖复杂校准算法（如六点温度补偿）的测试流程。南京PCB测试系统精选厂家