福建远程等离子源RPS射频电源

在PECVD、LPCVD等薄膜沉积设备中，腔室内壁积累的非晶硅、氮化硅等沉积物会降低热传导效率，导致工艺漂移。RPS远程等离子源通过定制化的气体配方（如NF3/O2混合气体），在200-400℃温度范围内实现高效腔室清洗。其中氟基自由基与硅基沉积物反应生成挥发性SiF4，清洗速率可达5-10μm/min。实际应用数据显示，采用RPS远程等离子源进行预防性维护，可将CVD设备的平均故障间隔延长至1500工艺小时以上，颗粒污染控制水平提升两个数量级。为量子点显示提供精密图案化。福建远程等离子源RPS射频电源

RPS远程等离子源是一款基于电感耦合等离子体技术的自成一体的原子发生器，它的功能是用于半导体设备工艺腔体原子级别的清洁，使用工艺气体三氟化氮（NF3）/O2，在交变电场和磁场作用下，原材料气体会被解离，从而释放出自由基，活性离子进入工艺室与工艺室上沉积的污染材料（SIO/SIN）或者残余气体（H2O、O2、H2、N2）等物质产生化学反应，聚合为高活性气态分子经过真空泵组抽出处理腔室，提高处理腔室内部洁净度；利用原子的高活性强氧化特性，达到清洗CVD或其他腔室后生产工艺的目的，为了避免不必要的污染和工作人员的强度和高风险的湿式清洗工作，提高生产效率。福建远程等离子源RPS射频电源高活性气态分子经过真空泵组抽出处理腔室，提高处理腔室内部洁净度。

服务于航空航天和电动汽车的SiC/GaN功率模块，其散热能力直接决定了系统的输出功率和寿命。功率芯片与散热基板（如DBC）之间的界面热阻是散热路径上的关键瓶颈。RPS远程等离子源应用领域在此环节通过表面活化来优化界面质量。在焊接或烧结前，使用RPS对芯片背面和DBC基板表面进行清洗和活化，能彻底去除有机污染物和弱边界层，并大幅提高表面能。这使得液态焊料或银烧结膏在界面处能实现充分的润湿和铺展，形成致密、均匀且空洞率极低的连接层。一个高质量的连接界面能明显 降低热阻，确保功率器件产生的热量被快速导出，从而允许模块在更高的功率密度和更恶劣的温度环境下稳定运行，满足了车规级AEC-Q101和航空AS9100等严苛标准的要求。

远程等离子体源（RPS）是一种用于产生等离子体的装置，它通常被用于在真空环境中进行表面处理、材料改性、薄膜沉积等工艺。如在CVD等薄膜设备中，RPS与设备腔体连接，进行分子级的清洗。在晶圆制造过程中，即使微米级的灰尘也会造成晶体管污染，导致晶圆废片，因此RPS的清洁性能尤为重要。RPS不仅避免了传统等离子体源直接接触处理表面可能带来的热和化学损伤，还因其高度的集成性和灵活性，成为现代真空处理系统中不可或缺的一部分。在半导体前道制程中确保栅极界面质量。

RPS远程等离子源在光伏行业的提质增效：在PERC太阳能电池制造中，RPS远程等离子源通过两步法优化背钝化层质量。首先采用H2/Ar远程等离子体清洗硅片表面，将界面复合速率降至50cm/s以下；随后通过N2O/SiH4远程等离子体沉积氧化硅钝化层，实现表面复合速率<10cm/s的优异性能。量产数据显示，采用RPS远程等离子源处理的PERC电池，转换效率是 值提升0.3%，光致衰减率降低40%。针对OLED显示器的精细金属掩膜板（FMM）清洗，RPS远程等离子源开发了专属工艺方案。通过Ar/O2远程等离子体在150℃以下温和去除有机残留，将掩膜板张力变化控制在±0.5N以内。在LTPS背板制造中，RPS远程等离子源将多晶硅刻蚀均匀性提升至95%以上，确保了TFT器件阈值电压的一致性。某面板厂应用报告显示，采用RPS远程等离子源后，OLED像素开口率提升至78%，亮度均匀性达90%。远程等离子的处理作用，是非常轻微的刻蚀，有一定的活性作用，主要与腔室内部的残余气体发生作用。广东半导体RPS腔室远程等离子源

远程等离子工作时，本身的镀膜工艺是不工作的，没有直接接触有机发光材料，就不会对有机发光材质造成损伤。福建远程等离子源RPS射频电源

晟鼎远程等离子体电源RPS的应用类型：1.CVD腔室清洁①清洁HDP-CVD腔（使用F原子）②清洁PECVD腔（使用F原子）③清洁Low-kCVD腔（使用O原子、F原子）④清洁WCVD腔（使用F原子）2.表面处理、反应性刻蚀和等离子体辅助沉积①通过反应替代 （biao面氧化）进行表面改性②辅助PECVD③使用预活化氧气和氮气辅助低压反应性溅射沉积④使用预活化氧气和氮气进行反应性蒸发沉积⑤等离子体增强原子层沉积（PEALD）3.刻蚀：①灰化（除去表面上的碳类化合物）；②使用反应性含氧气体粒子处理光刻胶。福建远程等离子源RPS射频电源