光伏产业中的薄膜沉积工艺(如硅基CVD)同样面临腔室污染问题。残留膜层会干扰沉积均匀性,影响太阳能电池的转换效率。RPS远程等离子源提供了一种高效的清洁解决方案,利用氧基或氟基自由基快速分解污染物,恢复腔室洁净状态。其远程设计避免了等离子体直接暴露于敏感涂层,确保了工艺安全。此外,RPS远程等离子源的高能效特性有助于降低整体能耗,符合绿色制造趋势。在大规模光伏生产中,采用RPS远程等离子源进行定期维护,可以明显 提升生产效率和产品可靠性。高活性气态分子经过真空泵组抽出处理腔室,提高处理腔室内部洁净度。福建远程等离子源处理cvd腔室RPS腔室清洗

远程等离子体源RPS腔体结构,包括进气口,点火口,回流腔连通电离腔顶端与进气腔靠近进气口一侧顶部,气体由进气口进入经过进气腔到达电离腔,点火发生电离反应生成氩离子然后通入工艺气体,通过出气口排出至反应室内,部分电离气体经回流腔流至进气腔内,提高腔体内部电离程度,以便于维持工艺气体的电离,同时可提高原子离化率;电离腔的口径大于进气腔,气体在进入电离腔内部时降低了压力,降低了F/O原子碰撞导致的原子淬灭问题,保证电离率,提高清洁效率。半导体设备RPS原理为半导体设备腔室提供高效在线清洁解决方案。

RPS远程等离子源应用原理:远程等离子的处理作用,是非常轻微的刻蚀,有一定的活性作用,主要与腔室内部的残余气体发生作用。但是对腔室内部的固体物质,例如:腔室内壁的金属材料与腔室内部的零配件,在工作时间较短(几十分钟)的情况下,一般只会发生浅表层的反应,几十纳米至几微米,因为腔室内部的材质一般是铝合金、不锈钢等,不容易被氧离子所刻蚀。远程等离子工作时,用户本身的镀膜工艺是不工作的,所有没有直接接触到有机发光材料,就不会对有机发光材质造成损伤。即使是直接接触,其发生的轻微的表面作用,也不会造成损伤。
RPS远程等离子源应用领域已深度扩展至2.5D/3D先进封装技术中。在硅通孔(TSV)工艺中,深硅刻蚀后会在孔内留下氟碳聚合物侧壁钝化层,必须在导电材料填充前将其完全去除,否则会导致电阻升高或互联开路。RPS远程等离子源利用其产生的氟捕获剂或还原性自由基,能选择性地高效清理 这些残留物,同时保护暴露的硅衬底和底部金属。另一方面,在晶圆-晶圆键合或芯片-晶圆键合前,表面洁净度与活化程度直接决定了键合强度与良率。RPS远程等离子源应用领域在此环节通过氧或氮的自由基对键合表面(如SiO2、SiN)进行处理,能有效去除微量有机污染物并大幅增加表面羟基(-OH)密度,从而在低温下实现极高的键合能量。这为高性能计算、人工智能芯片等需要高密度垂直集成的产品提供了可靠的互联解决方案。RPS 通过将气体输送到装置中,利用电场或者磁场产生等离子体,然后将等离子体传输到需要处理的表面区域。

RPS远程等离子源在高效清洗的同时,还具有明显 的节能和环保特性。其设计优化了气体利用率和功率消耗,通常比传统等离子体系统能耗降低20%以上。此外,通过使用环保气体(如氧气或合成空气),RPS远程等离子源将污染物转化为无害的挥发性化合物,减少了有害废物的产生。在严格的环境法规下,这种技术帮助制造商实现可持续发展目标。例如,在半导体工厂,RPS远程等离子源的低碳足迹和低化学品消耗,使其成为绿色制造的关键组成部分。远程等离子工作时,本身的镀膜工艺是不工作的,没有直接接触有机发光材料,就不会对有机发光材质造成损伤。广东远程等离子电源RPS电源半导体
用于光伏PERC电池的背钝化层沉积前表面活化。福建远程等离子源处理cvd腔室RPS腔室清洗
半导体制造对工艺洁净度和精度要求极高,任何微小的污染或损伤都可能导致器件失效。RPS远程等离子源通过其低损伤特性,在清洗和刻蚀步骤中发挥重要作用。例如,在先进节点芯片的制造中,RPS远程等离子源可用于去除光刻胶残留或蚀刻副产物,而不会对脆弱的晶体管结构造成影响。其均匀的等离子体分布确保了整个晶圆表面的处理一致性,从而减少参数波动和缺陷密度。通过集成RPS远程等离子源 into 生产线,制造商能够实现更高的工艺稳定性和产品良率,同时降低维护成本。福建远程等离子源处理cvd腔室RPS腔室清洗