晶圆加热盘一般是用于承载、加热晶圆的圆盘,所以也有人称它为晶圆加热器。因为使用环境特殊,制作半导体晶圆托盘的材料需要具备许多条件:耐高温能力强、耐磨性能高……,因为是用于高温环境下,导热系数也是越高越好。金属的耐温性没有非金属材料好,非金属导热性没有金属强,但是由于金属在高温下会融化,便只能从非金属材料中寻找导热性强的材料。终于在工业陶瓷中找到了较为合适的材料——氮化铝陶瓷。氮化铝的化学式为AlN,化学组成AI约占,N约占。它的粉体为一般是白色或灰白色,单晶状态下则是无色透明的,常压下的升华分解温度达到2450℃。氮化铝陶瓷导热率在170~210W/()之间,而单晶体更可高达275W/()以上。热导率高(>170W/m·K),接近BeO和SiC;热膨胀系数(×10-6℃)与Si(×10-6℃)和GaAs(6×10-6℃)匹配;各种电性能(介电常数、介质损耗、体电阻率、介电强度)优良;机械性能好,抗折强度高于Al2O3和BeO陶瓷,可以常压烧结。 外筒体4顶端与中心加热筒2顶端位于同一平面。福建PA8010-CC-PCC20A加热板
让冷水流过得到加热。但是,当使用一个加热桶时,由于加热桶体积大,因此加热注入于桶内的冷水所需的时间较长;而当使用多层加热桶时,则由于加热桶体积变大、结构变得复杂,因此生产成本增加。并且,加热桶内的流量按自然流速流动,速度非常慢,因此,在高温下加热器周围形成油脂或石灰石,从而降低热导率、缩短加热器的寿命、增大耗电率。如中国**cn。本发明提出了一种电磁感应加热单元结构,配合10kv高压电磁感应技术,使得综合效率大幅提高。技术实现要素:发明目的:为了克服现有技术中存在的不足,本发明提供一种电磁感应加热单元结构,解决电磁感应加热过程中电磁场泄漏的问题,保证加热管壁高效运行,无过热风险。技术方案:为实现上述目的,本发明采用的技术方案为:一种电磁感应加热单元结构,包括两端开口的中心加热筒,沿所述中心加热筒切向依次套装有内筒体和外筒体;所述内筒体与外筒体底部位于同一封闭平面,内筒体与外筒体之间形成倒u型辅助加热水套;所述外筒体顶端与中心加热筒顶端位于同一平面;所述中心加热筒与辅助加热水套连接处开有若干通孔;所述内筒体与中心加热筒之间均匀设置有线圈固定装置,沿所述线圈固定装置外侧螺旋绕装有线圈。福建PA8010-CC-PCC20A加热板本发明提供一种高频加热时精确控制温度的装置及方法。
晶圆加热装置的制作方法文档序号:30596935发布日期:2022-07-0120:52阅读:35来源:国知局导航:X技术>*****>电气元件制品的制造及其应用技术1.本技术属于晶圆加工技术领域,尤其涉及一种晶圆加热装置。背景技术:2.目前,常用的晶圆加热设备的加热丝呈螺旋状从中心向**旋转,加热丝在热盘中的分布不够均匀,无法达到均匀加热的目的,无法满足晶圆的高精度加热要求,而高精度加热对半导体工艺至关重要。3.另外,在晶圆加热前需要先行对晶圆进行定位,在先技术中通常通过真空吸盘定位,但现有的真空吸盘对晶圆的吸附力通常不够均匀,晶圆和真空吸盘间的间隙存在差异,这也会导致晶圆加热不均匀,导致无法满足晶圆加热的精度要求。技术实现要素:4.针对上述问题,本技术提供了一种晶圆加热装置,至少解决了在先技术中真空吸盘吸附力不均匀、晶圆加热不均匀的问题。5.本技术实施例提供一种晶圆加热装置,包括:6.基座;7.真空吸盘,设于所述基座上且用于吸附工件,所述真空吸盘上设有进气孔与气路,所述气路包括若干同心设置的环形气路以及沿若干沿所述真空吸盘的径向延伸的径向气路,每个所述径向气路与各所述环形气路均连通。
MR)等在高温中气相化学反应(热分解,氢还原、氧化、替换反应等)在基板上形成氮化物、氧化物、碳化物、硅化物、硼化物、高熔点金属、金属、半导体等薄膜方法。因只在高温下反应故用途被限制,但由于其可用领域中,则可得致密高纯度物质膜,且附着强度很强,若用心控制,则可得安定薄膜即可轻易制得触须(短纤维)等,故其应用范围极广。热CVD法也可分成常压和低压。低压CVD适用于同时进行多片基片的处理,压力一般控制在。作为栅电极的多晶硅通常利用HCVD法将SiH4或Si2H。气体热分解(约650oC)淀积而成。采用选择氧化进行器件隔离时所使用的氮化硅薄膜也是用低压CVD法,利用氨和SiH4或Si2H6反应面生成的,作为层间绝缘的SiO2薄膜是用SiH4和O2在400--4500oC的温度下形成SiH4+O2-SiO2+2H2或是用Si(OC2H5)4(TEOS:tetraethoxysilanc)和O2在750oC左右的高温下反应生成的,后者即采用TEOS形成的SiO2膜具有台阶侧面部被覆性能好的优点。前者,在淀积的同时导入PH3气体,就形成磷硅玻璃(PSG:phosphorsilicateglass)再导入B2H6气体就形成BPSG(borro?phosphorsilicateglass)膜。这两种薄膜材料,高温下的流动性好,***用来作为表面平坦性好的层间绝缘膜。晶圆都能放置在加热盘1的固定位置。
**名称:一种高频加热时精确控制温度的方法技术领域:本发明涉及一种高频加热时温度控制的方法,具体涉及一种晶体管高频加热时精确控制温度的装置及方法。背景技术:在冶炼、锻造、热拉、热装、焊接、热处理等金属制造业领域,高频加热的方法已开始逐渐代替传统的加热方法,高频加热作为一种新型的加热方式具有节约能源、加热灵活、操作方便等优点。在金属材料热处理领域,由于不同的材料比较好淬火温度有所不同,因此需要能够精确的控制温度。高频加热的方式虽然具有一系列的优点,但在其温度控制方法上仍然存在以下的不足1,通过传统的时间控制的热处理的淬火温度在士30°C左右,并且受输入电压、环境温度、工件尺寸公差、感应器等因素影响可能温度波动还要大,而理想的热处理的淬火温度是在目标温度士10°c范围内,因此在加工温度精度要求比较高的材料时,传统的方法不能满足质量的要求;2,即使通过红外温度控制等方式,排除输入电压、环境温度、工件尺寸公差、感应器等因素的影响,晶体管高频加热工件,当外界给出高频断开信号时,由于电源控制系统的问题,高频不能在这一瞬间断开,高频断开往往有个时间滞后,并且这个滞后时间存在一定误差。实施方式所涉及的加热器具备发光管、发热体及反射膜。福建PA8010-CC-PCC20A加热板
固定到环形或圆形的热环5的加热片不仅可以安定加热片的间距。福建PA8010-CC-PCC20A加热板
每组加热片的形状均是拱形包抄着由中心点o向外拓展;相邻两组加热片包抄的拐点彼此错开,每组加热片的自由端分别连结电源的两极。其中,加热片的数目可以是如图4所示为两组,包括:***加热片6和第二加热片7;所述***加热片6的***迂回端61和第二加热片7的第二迂回端71彼此纵横组成曲折的留置区8。本发明的***个实施例:如图4所示,所述每组加热片为单独设立彼此分离,座落中心点o附近的加热片的自由端连结着相同电极,***热弧片60和第二热弧片70分别与***加热片6和第二加热片7连结。在该实行例中,由于多组加热片是单独设立的,因此当加热片受热后,其自身可以具足够大的延展空间,不会影响总体的变形,从而化解了技术疑问一;而中心对称设立的多组加热片可以合理摆设加热片的电极,如图4所示,在中心对称的外边沿可以设立相同的电极,而中心点o的附近连通相同的另一个电极,这种长距离分布,可以防范电源短路,进而化解了技术疑问二。同时,为了确保加热的平稳,中心对称的加热片可以很好的通过错位,让相邻两组加热片之间的留置区8布置的更合理,而这种合理的相距可以避免图3所示的,两组加热片附近的加热片变形等,进而化解了技术疑问三。福建PA8010-CC-PCC20A加热板
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