如表1:表16月18日高频系统改进效果分析原始数据(°C)权利要求1.一种精确控温的高频加热装置,包括有对物件进行升温的高频机,其特征在于,还包括有监测物件温度并反馈正比电压信号的温度测控模块和接收电压信号并控制高频机输出功率的信号调理模块。2.一种利用如权利要求1所述的精确控温的高频加热装置的加热方法,其特征在于包括有如下步骤第一步,开始高频加热,高频机满负荷加热升温,温度测控模块监测物件温度,当物件温度距目标温度80120°C时,改为动态功率加热;第二步,温度测控模块根据不同温度,反馈与温度成正比的电压值,信号调理模块根据电压值的大小反比例调节高频机的功率输出,使其越接近目标温度,输出功率越小;第三步,信号调理模块动态调节高频机的功率输出,物件温度保持在目标温度值的士5°C的范围内。3.根据权利要求1所述的精确控温的高频加热装置,其特征在于所述的温度测控模块为红外线温度测控模块。全文摘要本发明涉及一种高频加热时温度控制的方法,具体涉及一种晶体管高频加热时精确控制温度的装置及方法;包括高频机、温度测控模块和信号调理模块;方法为1,开始高频机满负荷加热升温,温度测控模块监测物件温度。为了保证测控精度,采用红外线温度测控模块作为温度测控模块。上海 PA3005-PCC10A加热板总代理
所述的调节支撑圆柱3-4与研磨盘主体3-1之间、调节支撑圆柱3-4与圆环1-2之间均设置为螺纹连接;所述的支撑圆盘本体1-1的材质采用铝合金;所述的圆环1-2的材质采用ptfe;所述的研磨块3-5的长度与晶圆加热器5的修磨面半径相等。本实用新型的具体实施:先将晶圆加热器的没有沟槽的非工作面区域使用数控车床进行修复,再将晶圆加热器放置在加热器支撑圆盘内,并用螺丝将圆环固定在支撑圆盘上,通过调节螺栓调节研磨块的位置,使研磨块与晶圆加热器相接触,同时观察三个数显深度测量指示表显示的数据是否一致,直至将三个数显深度测量指示表的数据调节为一致,此时,研磨块的平面度达到要求;然后启动旋转电机,旋转电机带动加热器支撑圆盘转动,开始研磨;研磨20-30分钟后,通过观察研磨面的色泽来判断研磨是否到位,没研磨前,表面为深色,研磨后表面为浅色,很容易观察到修磨的进度;通过肉眼初步判断研磨到位时,进一步用数显深度测量指示表通过研磨主体圆盘上的测量孔,在晶圆加热器上选取几个点进行测量,显示数据相同,即说明研磨到位。显示数据不同,说明研磨没有达到要求,此时调节螺栓,再次使研磨块与晶圆加热器相接触,继续研磨,二次研磨时间设置为10-20分钟。PA3025-WP-PCC20A加热板代理商辅助加热水套与中心加热筒2连通的一端用于辅助加热,封闭端用于线圈7的安装检修。
加热板搅拌器加热搅拌器加热板&搅拌器附件优异的性能与智能技术令人印象深深的高性能、高安全性和操作简便性,使您能够轻松找到**合乎您实验室要求的加热装置。我们普遍的加热板、搅拌器、加热搅拌器以及相关附件可以全然满足任何实验室需要。广受欢迎的加热板和搅拌器RT2高级加热搅拌器实验室加热板和搅拌器专题目录实验室加热板我们均匀加热的加热板能够提供多种赢得可再现结果的能力,包括温度稳定性、耐用性以及远程支配访问的能力,以实现安全性和便捷性。搅拌器我们的搅拌器产品组合在大多数应用中可达到2400rpm的转速,且在严格的细胞培养应用中保证可靠性、安全性和运行性能,将根据您的全部实验室需要为您提供解决方案。加热搅拌器从**基本的搅拌设计到合适凶险运用的防爆型加热搅拌器,我们的加热搅拌器可以提供精细的控制和可重复性,满足您的各种应用需要。加热板与搅拌器附件我们普遍的搅拌器控制装置和附件能够补充您的加热板和搅拌器,协助保证您得到正确配备以迅速设立好您的搅拌器。可靠的精度和控制***系列加热板、搅拌器以及加热搅拌器可实现优异的结果准确性和重现性,而且可通过智能StirTrac技术和HOTTOP警报系统实现安全性。本发明关乎mocvd装置。
本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种晶圆加热装置。背景技术:随着科技进步,晶片的加工工艺越来越复杂,要求在单位晶圆面积内制作的器件更多,致使晶圆内线路的宽度变得更窄,晶圆在热盘上加热时,对热盘温度的均匀性要求更高。晶圆加热中使用的热盘都是由上盘和压片中夹一块加热片,或是在上盘中埋入几个加热管构成,通过一个温度传感器和一个控制器控制热盘的温度。使得热盘表面温度并不均匀,不能满足高精度晶圆的加工需求。再如中国实用新型u所公开的一种电控晶圆加热盘,包括硅橡胶电热圈、热导金属板、晶圆托盘、电子显示盒和屏蔽罩。所述硅橡胶电热圈与热导金属板连接;所述热导金属板与电子显示盒连接;所述晶圆托盘放置在热导金属板上方,并与电子显示盒相连;所述的屏蔽罩与电子显示盒相连,该实用新型只使用一个电热圈,会出现加热不均匀的情况。技术实现要素:一、要解决的技术问题针对现有技术所存在的上述缺陷,现有的晶圆加热方法存在的均匀性不佳的问题。二、技术方案为解决上述问题,特提供一种晶圆加热装置,晶圆加热装置包括控制模块和多分区热盘,多分区热盘包括***分区和第二分区;***分区包括***加热模块和***温度检测模块。导致国内对氮化铝陶瓷加热盘的需求变得紧张起来。
实际关乎一种mocvd反应腔用加热板。背景技术:半导体芯片在发育时,对温场的均匀性要求较高,因此一种加热均匀且使用寿命较久的加热板对半导体芯片的制作具有至关关键的效用。通过检索,在**称谓:一种用以mocvd装置的钨涂层加热片及其制备方式(cnb)中公开了一种加热片,但是这种加热片由于中心为镂空构造并不适合半导体领域的芯片发育采用。在目前,芯片生长中用到到的加热板的构造如附图1所示,中间是形状为ω的热弧板1,在热弧板1的两侧分别连通两组拱形热片2,两组半圆形热片2是直线对称的,在半圆形热片2的自由端是分别接着电源的左电极和右电极。将这种传统的加热片放在陶瓷上通电后给上方的芯片提供平稳的热源。这种平板型加热板是一种电阻式加热方法,通过热辐射的方法,给上方的生长芯片的载体(石墨盘)加热,提供芯片生长所需的热能和温场。由于加热板的空隙22部分对应上方的载盘位置的是从未直接热辐射加热的,石墨盘此部分的受热能量是靠其他部分的热传导。另外,石墨盘是通过高速转动的(1000rpm)实现载体(石墨盘)的表面温场的均匀性(±℃)。传统的对称式构造加热片中,加热板的空隙22部分是分布在同一个同心圆圆弧上。主要涉及一种电磁感应加热单元结构。广州PA2015-PCC10A加热板
控制模块降低温度较高的分区的功率继电器的输出功率。上海 PA3005-PCC10A加热板总代理
晶圆加热盘一般是用于承载、加热晶圆的圆盘,所以也有人称它为晶圆加热器。因为使用环境特殊,制作半导体晶圆托盘的材料需要具备许多条件:耐高温能力强、耐磨性能高……,因为是用于高温环境下,导热系数也是越高越好。金属的耐温性没有非金属材料好,非金属导热性没有金属强,但是由于金属在高温下会融化,便只能从非金属材料中寻找导热性强的材料。终于在工业陶瓷中找到了较为合适的材料——氮化铝陶瓷。氮化铝的化学式为AlN,化学组成AI约占,N约占。它的粉体为一般是白色或灰白色,单晶状态下则是无色透明的,常压下的升华分解温度达到2450℃。氮化铝陶瓷导热率在170~210W/()之间,而单晶体更可高达275W/()以上。热导率高(>170W/m·K),接近BeO和SiC;热膨胀系数(×10-6℃)与Si(×10-6℃)和GaAs(6×10-6℃)匹配;各种电性能(介电常数、介质损耗、体电阻率、介电强度)优良;机械性能好,抗折强度高于Al2O3和BeO陶瓷,可以常压烧结。 上海 PA3005-PCC10A加热板总代理
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