导电银浆烧结银膏解决方案

聚峰烧结纳米银膏，是专为第三代半导体封装场景研发的高性能互连材料，聚焦 SiC、GaN 等高功率器件的封装需求。其采用纳米级银粉配方，经 220-280℃低温烧结后，形成致密纯银互连层，导电、导热性能远超传统锡基焊料。该银膏烧结后热导率可达 300W/(m・K) 以上，能较快导出器件工作时产生的高热量，避免局部过热导致的性能衰减。同时，材料具备优异的高温稳定性，在 175℃以上长期工作环境中，无蠕变、无开裂、无失效，完美匹配新能源汽车电控、光伏逆变器、工业电源等高功率、高可靠应用场景，从根本上解决传统封装材料无法适配第三代半导体高温工况的行业痛点。聚峰烧结银膏实现低温烧结、高温服役，适配第三代半导体严苛封装场景。导电银浆烧结银膏解决方案

烧结银膏的长期可靠性已通过严苛的行业测试验证，成为高可靠应用的优先选择材料。在 175℃的高温加速老化测试中，采用烧结银膏连接的功率模块经历 5000 次完整的功率循环后，其连接界面依然保持完好，剪切强度仍能维持初始值的 90% 以上。这一数据远优于传统焊料，后者在同等条件下往往会因界面金属间化合物过度生长、热疲劳裂纹扩展而导致强度急剧下降。这种优良的抗老化与抗热循环能力，使得烧结银膏在对寿命与稳定性有很高要求的领域，如汽车电子、工业、航空航天等，成为系统安全、稳定运行的不可或缺的关键封装材料。导电银浆烧结银膏解决方案纳米烧结银膏连接层热膨胀匹配性优，减少热应力，延长碳化硅、氮化镓功率模块寿命。

聚峰烧结银膏以高纯度纳米银颗粒为原料，依托自研分散与烧结调控技术，可在 230-260℃的低温区间完成致密化烧结，区别于传统焊料 300℃以上的高温工艺要求深圳市聚峰锡制品有限公司。这一特性大幅降低了封装过程中的热应力，避免芯片、基板等敏感元器件因高温产生的性能衰减与结构损伤，尤其适配 IGBT、SiC 等第三代半导体功率器件的低温封装需求深圳市聚峰锡制品有限公司。其低温烧结特性不*拓宽了工艺兼容范围，还能与现有封装产线适配，无需大幅改造设备即可实现材料升级，为功率器件厂商提供了低成本的封装解决方案，助力提升产品良率与生产效率。

聚峰烧结银膏具有良好的工艺适配性，支持丝网印刷、自动点胶等主流封装涂覆方式，可灵活适配不同制程需求。膏体触变性适中，印刷成型精度高，能够满足精细线路与微小间隙封装要求，适用于 HDI 高密度电路板、微型功率模块等产品。点胶工艺下出胶稳定、连续性好，可实现多芯片集成与异形结构封装。同时，该银膏对陶瓷、铜、铝等多种基材润湿良好，烧结后结合紧密，无气泡、无分层，提升封装良率。无需大幅改造产线设备即可导入使用，降低企业制程切换成本，提升生产效率与产品一致性。烧结纳米银膏形成的银层，导热率超 200W/m・K，解决高功率器件散热难题。

聚峰纳米烧结银膏的银层结合力与可靠性，通过了行业严苛的全流程测试认证。产品烧结后，银层与基材的剪切强度可达 30MPa 以上，结合力远超传统焊料，在强振动、冲击工况下无脱落、无移位。同时，历经 - 55℃至 200℃的冷热冲击、1000 小时高温高湿（85℃/85% RH）、1000 次温度循环等多项可靠性测试，银层无开裂、无氧化、无性能衰减，完全满足车规级、工业级器件的认证要求。针对汽车电子、航空航天等极端应用场景，产品还可定制化优化配方，进一步提升耐候性与稳定性，确保器件在复杂环境下长期可靠工作，为电子封装的可靠性提供坚实后盾。聚峰烧结银膏兼容金、银、铜、镍等多种金属界面，应用场景灵活。浙江定制烧结纳米银膏

聚峰烧结纳米银膏兼容丝印 / 点胶工艺，普通烤箱即可烧结，无需改造产线，降本增效。导电银浆烧结银膏解决方案

纳米烧结银膏的低温烧结特性（150-250℃）为封装工艺带来了改变。传统高温焊料与烧结材料需要 300℃以上的加工温度，这极易对热敏性元器件、柔性基材以及多层复杂结构造成热损伤，导致器件性能下降或报废。而纳米烧结银膏利用纳米银颗粒的表面效应，在远低于银本体熔点的温度下即可实现烧结成型。这一低温工艺窗口，不*保护了器件与基材免受高温损害，更降低了封装设备的能耗与对耐高温材料的依赖，简化了工艺流程，特别适用于包含 MEMS 传感器、柔性电路、光电器件等热敏元件的封装场景。导电银浆烧结银膏解决方案