器件封装 sot

在LED照明与显示技术不断革新的背景下，COB(ChiponBoard，板上芯片封装)技术凭借高集成度、均匀出光等优势，成为行业焦点。众多LED封装厂家围绕COB技术展开研发与实践，实现了多项关键突破。散热性能提升是COB技术突破的重要方向。传统封装中，热量积聚易导致光衰加速、寿命缩短。厂家通过改进基板材料，采用高导热陶瓷基板或金属基复合材料，大幅降低热阻;同时优化芯片布局与封装结构，构建高效散热通道，使COB模组的工作温度明显降低，有效提升了产品稳定性与使用寿命。中清航科聚焦芯片封装，用环保材料替代，响应绿色制造发展趋势。器件封装 sot

面对卫星载荷严苛的空间环境，中清航科开发陶瓷多层共烧（LTCC）MCM封装技术。采用钨铜热沉基底与金锡共晶焊接，实现-196℃~+150℃极端温变下热失配率＜3ppm/℃。通过嵌入式微带线设计将信号串扰抑制在-60dB以下，使星载处理器在单粒子翻转（SEU）事件率降低至1E-11errors/bit-day。该方案已通过ECSS-Q-ST-60-13C宇航标准认证，成功应用于低轨卫星星务计算机，模块失效率＜50FIT（10亿小时运行故障率）。针对万米级深海探测装备的100MPa超高压环境，中清航科金属-陶瓷复合封装结构。采用氧化锆增韧氧化铝（ZTA）陶瓷环与钛合金壳体真空钎焊，实现漏率＜1×10⁻¹⁰Pa·m³/s的密封。内部压力补偿系统使腔体形变＜0.05%，保障MEMS传感器在110MPa压力下精度保持±0.1%FS。耐腐蚀镀层通过3000小时盐雾试验，已用于全海深声呐阵列封装，在马里亚纳海沟实现连续500小时无故障探测。江苏陶瓷bga封装中清航科芯片封装工艺，通过低温键合技术，保护芯片内部敏感元件。

针对TMR传感器灵敏度，中清航科开发磁屏蔽封装。坡莫合金屏蔽罩使外部场干扰＜0.1mT，分辨率达50nT。电流传感器精度达±0.5%，用于新能源汽车BMS系统。中清航科微型热电发生器实现15%转换效率。Bi₂Te₃薄膜与铜柱互联结构使输出功率密度达3mW/cm²（ΔT=50℃）。物联网设备实现供能。中清航科FeRAM封装解决数据保持难题。锆钛酸铅薄膜与耐高温电极使10¹²次读写后数据保持率＞99%。125℃环境下数据保存超10年，适用于工业控制存储。

芯片封装的发展历程：自20世纪80年代起，芯片封装技术历经多代变革。从早期的引脚插入式封装，如DIP（双列直插式封装），发展到表面贴片封装，像QFP（塑料方形扁平封装）、PGA（针栅阵列封装）等。而后，BGA（球栅阵列封装）、MCP（多芯片模块）、SIP（系统级封装）等先进封装形式不断涌现。中清航科紧跟芯片封装技术发展潮流，不断升级自身技术工艺，在各个发展阶段都积累了丰富经验，能为客户提供符合不同时期技术标准和市场需求的封装服务。先进封装需多学科协同，中清航科跨领域团队，攻克材料与结构难题。

中清航科MIL-STD-883认证产线实现金锡共晶焊接工艺。在宇航级FPGA封装中，气密封装漏率<5×10⁻⁸atm·cc/s，耐辐照总剂量达100krad。三防涂层通过96小时盐雾试验，服务12个卫星型号项目。中清航科推出玻璃基板中介层技术，介电常数低至5.2@10GHz。通过TGV玻璃通孔实现光子芯片与电芯片混合集成，耦合损耗<1dB。该平台已用于CPO共封装光学引擎开发，传输功耗降低45%。中清航科建立全维度失效分析实验室。通过3DX-Ray实时监测BGA焊点裂纹，结合声扫显微镜定位分层缺陷。其加速寿命测试模型可精确预测封装产品在高温高湿（85℃/85%RH）条件下的10年失效率。工业芯片环境复杂，中清航科封装方案，强化防尘防潮防腐蚀能力。上海tsv封装厂

芯片封装良率影响成本，中清航科工艺改进，将良率提升至行业前列。器件封装 sot

芯片封装的散热设计：随着芯片集成度不断提高，功耗随之增加，散热问题愈发突出。良好的散热设计能确保芯片在正常温度范围内运行，避免因过热导致性能下降甚至损坏。中清航科在芯片封装过程中，高度重视散热设计，通过优化封装结构、选用高导热材料、增加散热鳍片等方式，有效提升封装产品的散热性能。针对高功耗芯片，公司还会采用先进的液冷散热封装技术，为客户解决散热难题，保障芯片长期稳定运行，尤其在数据中心、高性能计算等领域发挥重要作用。器件封装 sot