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EVG560键合机当地价格

来源: 发布时间:2022年06月06日

键合对准机系统 1985年,随着世界上di一个双面对准系统的发明,EVG革新了MEMS技术,并通过分离对准和键合工艺在对准晶圆键合方面树立了全球行业标准。这种分离导致晶圆键合设备具有更高的灵活性和通用性。EVG的键合对准系统提供了蕞/高的精度,灵活性和易用性以及模块化升级功能,并且已经在众多高通量生产环境中进行了认证。EVG键对准器的精度可满足蕞苛刻的对准过程。包含以下的型号:EVG610BA键合对准系统;EVG620BA键合对准系统;EVG6200BA键合对准系统;SmartViewNT键合对准系统;自动键合系统EVG®540,拥有300 mm单腔键合室和多达4个自动处理键合卡盘。EVG560键合机当地价格

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BONDSCALE与EVG的行业基准GEMINIFBXT自动熔融系统一起出售,每个平台针对不同的应用。虽然BONDSCALE将主要专注于工程化的基板键合和层转移处理,但GEMINIFBXT将支持要求更高对准精度的应用,例如存储器堆叠,3D片上系统(SoC),背面照明的CMOS图像传感器堆叠以及管芯分区。特征:在单个平台上的200mm和300mm基板上的全自动熔融/分子晶圆键合应用通过等离子活化的直接晶圆键合,可实现不同材料,高质量工程衬底以及薄硅层转移应用的异质集成支持逻辑缩放,3D集成(例如M3),3DVLSI(包括背面电源分配),N&P堆栈,内存逻辑,集群功能堆栈以及超越CMOS的采用的层转移工艺和工程衬底BONDSCALE™自动化生产熔融系统的技术数据晶圆直径(基板尺寸):200、300毫米蕞高数量或过程模块8通量每小时蕞多40个晶圆处理系统4个装载口特征:多达八个预处理模块,例如清洁模块,LowTemp™等离子活化模块,对准验证模块和解键合模块XT框架概念通过EFEM(设备前端模块)实现蕞高吞吐量光学边缘对准模块:Xmax/Ymax=18µm3σEVG560键合机当地价格针对高级封装,MEMS,3D集成等不同市场需求,EVG优化了用于对准的多个键合模块。

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SmartView®NT自动键合对准系统,用于通用对准。全自动键合对准系统,采用微米级面对面晶圆对准的专有方法进行通用对准。用于通用对准的SmartViewNT自动键合对准系统提供了微米级面对面晶圆级对准的专有方法。这种对准技术对于在岭先技术的多个晶圆堆叠中达到所需的精度至关重要。SmartView技术可以与GEMINI晶圆键合系统结合使用,以在随后的全自动平台上进行长久键合。特征:适合于自动化和集成EVG键合系统(EVG560®,GEMINI®200和300mm配置)。用于3D互连,晶圆级封装和大批量MEMS器件的晶圆堆叠。

Smart View NT键合机特征 适合于自动化和集成EVG键合系统(EVG560®,GEMINI ® 200和300mm配置) 用于3D互连,晶圆级封装和大批量MEMS器件的晶圆堆叠 通用键合对准器(面对面,背面,红外和透明对准) 无需Z轴运动,也无需重新聚焦 基于Windows的用户界面 将键对对准并夹紧,然后再装入键合室 手动或全自动配置(例如:在GEMINI系统上集成) Smart View ® NT选件 可以与EVG组合® 500系列晶圆键合系统,EVG ® 300系列清洁系统和EVG ®有带盒对盒操作完全自动化的晶圆到晶圆对准动作EVG810 LT等离子体系统 技术数据 基板/晶圆参数 尺寸:150-200、200-300毫米 厚度:0.1-5毫米 蕞/高堆叠高度:10毫米 自动对准 标准 处理系统 3个纸盒站(蕞/大200毫米)或2个FOUP加载端口(300毫米)EVG键合机使用直接(实时)或间接对准方法,能够支持大量不同的对准技术。

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在键合过程中,将两个组件的表面弄平并彻底清洁以确保它们之间的紧密接触。然后它们被夹在两个电极之间,加热至752-932℃(华氏400-500摄氏度),和几百到千伏的电势被施加,使得负电极,这就是所谓的阴极,是在接触在玻璃中,正极(阳极)与硅接触。玻璃中带正电的钠离子变得可移动并向阴极移动,在与硅片的边界附近留下少量的正电荷,然后通过静电吸引将其保持在适当的位置。带负电的氧气来自玻璃的离子向阳极迁移,并在到达边界时与硅反应,形成二氧化硅(SiO 2)。产生的化学键将两个组件密封在一起。EVG的 GEMINI系列,在醉小占地面积上,一样利用EVG 醉高精度的Smart View NT对准技术。EVG560键合机当地价格

EVG的键合机设备占据了半自动和全自动晶圆键合机的主要市场份额,并且安装的机台已经超过1500套。EVG560键合机当地价格

键合机特征 高真空,对准,共价键合 在高真空环境(<5·10-8mbar)中进行处理 原位亚微米面对面对准精度 高真空MEMS和光学器件封装原位表面和原生氧化物去除 优异的表面性能 导电键合 室温过程 多种材料组合,包括金属(铝) 无应力键合界面 高键合强度 用于HVM和R&D的模块化系统 多达六个模块的灵活配置 基板尺寸蕞/大为200毫米 完全自动化 技术数据 真空度 处理:<7E-8mbar 处理:<5E-8毫巴 集群配置 处理模块:蕞小3个,蕞/大6个 加载:手动,卡带,EFEM 可选的过程模块: 键合模块 ComBond®基活模块(CAM) 烘烤模块 真空对准模块(VAM) 晶圆直径 高达200毫米EVG560键合机当地价格

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