所述有机硫化合物具有作为还原剂及络合剂(chelate)的效果。作为所述硫酮系化合物,例如可举出硫脲、N-烷基硫脲、N,N-二烷基硫脲、N,N-二烷基硫脲、N,N,N-三烷基硫脲、N,N,N,N-四烷基硫脲、N-苯基硫脲、N,N-二苯基硫脲、N,N-二苯基硫脲及亚乙基硫脲等。烷基硫脲的烷基并无特别限制,推荐为碳数1至4的烷基。这些硫酮系化合物中,推荐使用选自由作为还原剂或络合剂的效果及水溶性优异的硫脲、二乙基硫脲及三甲基硫脲所组成的群组中的至少一种。作为所述硫醚系化合物,例如可举出甲硫氨酸、甲硫氨酸烷基酯盐酸盐、乙硫氨酸、2-羟基-4-(烷硫基)丁酸及3-(烷硫基)丙酸等。烷基的碳数并无特别限制,推荐为碳数1至4。另外,这些化合物的一部分也可经取代为氢原子、羟基或氨基等其他基。这些硫醚系化合物中,推荐为使用选自由作为还原剂或络合剂的效果优异的甲硫氨酸、乙硫氨酸及3-(甲硫基)丙酸所组成的群组中的至少一种。有机硫化合物的浓度并无特别限制,推荐为%至10重量%,更推荐为%至5重量%。在有机硫化合物的浓度小于%的情况下,无法获得充分的还原性及络合效果,有钛的蚀刻速度变得不充分的倾向,若超过10重量%则有达到溶解极限的倾向。苏州博洋化学您正确的选择,欢迎咨询。铜蚀刻液蚀刻液推荐货源
银蚀刻液主要用于印刷线路板制造,银器及银合金的蚀刻、标牌制作。二、突出特点1.蚀刻速度快,效率高。使用方便。蚀刻最高速度可达2000纳米/秒。2.可循环使用,无废液排放。三、理化指标外观:液体;气味:微;比重:1.05±0.1;pH:偏碱性四、使用方法1.预处理:如银或铜合金表面不洁净,需对表面进行洁净处理,如除油、除杂等。2.蚀刻:(1).将图案模板纸粘附于银板或银器上,再将银蚀刻液用喷淋设备喷于图案处,时间1分钟到几十分钟不定(用户可根据蚀刻要求自行试验时间,因模板纸不同,时间也不同),揭去模板纸,用清水冲掉残物。(2).用100-200T的丝网,75度硬度的聚酯刮胶,将光固化抗蚀刻油墨印刷在基板上,然后将油墨在紫外灯下光照20—30秒钟,(紫外光能量为1000mj/cm2)。用喷淋的方式进行蚀刻,温度50±5℃,压力1-3kg/cm2时间1分钟到几分钟,(具体时间根据蚀刻深度而定)。然后,用1%--3%的氢氧化钠溶液将光固化抗蚀刻油墨溶解出去。广东BOE蚀刻液蚀刻液按需定制平板显示用的蚀刻液有哪些;
过滤器的出液管自动上行离开储存罐,将装满的储存罐从铝蚀刻液生产车间移动至自动灌装车间中,将灌装头的快速接头插入储存罐的出液口中便可将储存罐内的铝蚀刻液分装。本实用新型除上述技术方案外,还包括以下技术特征:进一步的是,所述地磅的顶部平台中设置有两条卡块,所述卡块与平台之间形成一插槽;所述气动夹紧机构包括气缸和压紧块,所述压紧块位于所述插槽中,所述气缸的伸缩杆与所述压紧块固连。进一步的是,所述拖车的顶部设置有一圈围设在所述储存罐外部的护栏。进一步的是,所述拖车的顶部设置有一集液盒,所述储存罐安装在所述集液盒中。进一步的是,所述拖车的顶部于所述储存罐的旁侧设置有集液腔室。与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:1.将原有的大型储存罐更换成数个小型储存罐,并采用液压升降式拖车带着储存罐在铝蚀刻液生产车间与自动灌装车间之中周转,如此便可为铝蚀刻液生产设备配备全自动灌装线,即提高了单瓶灌装精度和效率,又降低了企业的人力成本投入;2.将原有的大型储存罐更换成数个小型储存罐,在储存罐内在进液时,其它储存罐可以进行定量灌装,提高了铝蚀刻液的生产效率。附图说明为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案。
操作人员的手会与连接构件11接触,海绵层12可以将操作人员手上的水分进行吸收,避免连接构件11的两侧与操作人员的手接触的时候,会因操作人员的手沾湿出现手滑的情况,有效的保证了装置内部构件的连接工作能正常的进行;然后,通过连接构件11将装置主体1内部构件进行连接,连接构件11设置有十四个,连接构件11设置在搅拌仓23的底部,连接构件11与搅拌仓23固定连接,连接构件11能将装置主体1内部的两个构件进行连接并固定,且在将两构件进行连接或拆卸的时候,不需要使用任何工具就能完成安装和拆卸工作,在将两构件的连接管放在连接构件11的两端,再通过连接管与连接构件11内侧两端的螺纹管27进行连接,通过转动连接构件11的两侧部位,同时使连接管与连接构件11的中间位置固定住,通过活动轴28的作用,使连接管通过连接有的螺纹向内来连接,使连接管将密封软胶层29进行挤压,使两构件的连接管进行密封连接,有效的提高了装置连接的实用性;接着,更换或添加硝酸钾储罐21或其它储罐内的制备材料,硝酸钾储罐21的顶部嵌入连接有密封环22,在将制备蚀刻液储罐加入制备材料的时候,需要将储罐进行密封,密封环22能将硝酸钾储罐21和其他储罐的顶盖与储罐主体连接的位置进行密封。蚀刻液 [博洋化学] 新工艺,实现循环使用!
引线框架的腐蚀是如何生产的呢?引线框架的材料主要是电子铜带,常见在引线框架中通过亮镍、锡和锡铅镀层下进行镀镍完成保护金属材料的目的,在材质过程中42合金引线相对来说容易发生应力-腐蚀引发的裂纹。为了保障引线框架的优异的导电性和散热性,处理方式通过电镀银、片式电镀线,将引线和基岛表面作特殊处理,这样能够保障焊线和引线框架的良好焊接性能。引线框架电镀银蚀刻工艺流程主要分:上料-电解除油-活化-预镀铜-预镀银-局部镀银-退银-防银胶扩散-防铜变色-烘干-收料。通过该蚀刻工艺流程能够保障引线框架蚀刻过程中电镀层的厚度、光亮度、粗糙度、洁净度等。因此,蚀刻引线框架对工艺和工厂的管理需要严格控制。苏州有哪些公司可以做蚀刻液。扬州ITO蚀刻液蚀刻液供应商
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本发明涉及蚀刻液组合物及选择添加于该蚀刻液组合物的硅烷系偶联剂的方法。背景技术:参照图1,可以确认3dnand闪存(flashmemory)制造工序中的一部分。3dnand闪存可以通过在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*选择性去除氮化物膜的工序(wetremovalofnitride)来制造。在不损伤氧化物膜的同时将氮化物膜完全去除是这样的氮化物膜去除工序(wetremovalofnitride)的**技术之一。一般而言,氮化物膜去除工序中所使用的蚀刻液组合物利用具有防蚀能力的添加剂以获得在不损伤氧化物膜的同时*将氮化物膜完全去除的效果。但是,想要在不损伤氧化物膜的范围内将氮化物膜完全去除时,会使用防蚀能力强的添加剂,由此可能发生氮化物膜没有被完全去除的工序不良(参照图2)。此外,想要将氮化物膜完全去除时,会使用防蚀能力弱的添加剂,由此虽然氮化物膜被完全去除,但是可能发生对氧化物膜也造成损伤(damage)的工序不良(参照图3)。以往,为了在包含氧化物膜和氮化物膜的多层膜中*将氮化物膜选择性完全去除而选择具有适当水平的防蚀能力的添加剂时,按照添加剂的种类和浓度通过实验进行确认。没有这样的实验确认就选择添加剂实际上是不可能的。铜蚀刻液蚀刻液推荐货源