陶瓷金属化产品的陶瓷材料有:96白色氧化铝陶瓷、93黑色氧化铝陶瓷、氮化铝陶瓷,成型方法为流延成型。类型主要是金属化陶瓷基片,也可成为金属化陶瓷基板。金属化方法有薄膜法、厚膜法和共烧法。产品尺寸精密,翘曲小;金属和陶瓷接合力强;金属和陶瓷接合处密实,散热性更好。可用于LED散热基板,陶瓷封装,电子电路基板等。陶瓷在金属化与封接之前,应按照一定的要求将已烧结好的瓷片进行相关处理,以达到周边无毛刺、无凸起,瓷片光滑、洁净的要求。在金属化与封接之后,要求瓷片沿厚度的周边无银层点。陶瓷金属化可以使陶瓷表面具有更好的抗冷疲劳性能。东莞氧化锆陶瓷金属化类型
铜厚膜金属化陶瓷基板是一种新型的电子材料,它是通过将铜厚膜金属化技术应用于陶瓷基板上而制成的。铜厚膜金属化技术是一种将金属材料沉积在基板表面的技术,它可以使基板表面形成一层厚度较大的金属膜,从而提高基板的导电性和可靠性。陶瓷基板是一种具有优异的绝缘性能和高温稳定性的材料,它在电子行业中广泛应用于高功率电子器件、LED照明、太阳能电池等领域。然而,由于陶瓷基板本身的导电性较差,因此在实际应用中需要通过在基板表面镀上金属膜来提高其导电性。而传统的金属膜制备方法存在着制备工艺复杂、成本高、膜层厚度不易控制等问题。铜厚膜金属化陶瓷基板的制备过程是将铜膜沉积在陶瓷基板表面,然后通过高温烧结将铜膜与陶瓷基板紧密结合。这种制备方法具有制备工艺简单、成本低、膜层厚度易于控制等优点。同时,铜厚膜金属化陶瓷基板具有优异的导电性能和高温稳定性能,可以满足高功率电子器件、LED照明、太阳能电池等领域对基板的要求。铜厚膜金属化陶瓷基板的应用前景非常广阔。在高功率电子器件领域,铜厚膜金属化陶瓷基板可以作为IGBT、MOSFET等器件的散热基板,提高器件的散热性能;在LED照明领域,铜厚膜金属化陶瓷基板可以作为LED芯片的散热基板。山东陶瓷金属化技术陶瓷金属化可以使陶瓷表面具有更好的抗磨损性能。
由于其良好的电性能,氧化铝陶瓷在电气和电子应用中的应用广。作为电子电器的基材,必须涉及表面金属化。因为陶瓷是绝缘材料,所以只有表面金属化。具有导电性。氧化铝陶瓷分为高纯型和普通型两种。高纯氧化铝陶瓷是指Al2O3含量在。由于烧结温度高达1650-1990℃,透射波长为1~6μm,一般用熔融玻璃代替铂坩埚;可作为钠灯管,耐光耐碱金属腐蚀;在电子工业中可用作集成电路基板和高频绝缘材料。普通氧化铝陶瓷按Al2O3含量不同分为99瓷、95瓷、90瓷、85瓷等品种。有时Al2O3含量为80%或75%的也归为普通氧化铝陶瓷系列。其中,99氧化铝瓷材料用于制造高温坩埚、耐火炉管和特种耐磨材料,如陶瓷轴承、陶瓷密封件和水阀盘;95氧化铝瓷主要用作耐腐蚀、耐磨零件;85瓷因常掺入一些滑石粉,提高电性能和机械强度,可与钼、铌、钽等金属密封,有的用作电真空装置。
陶瓷金属化技术起源于20世纪初期的德国,1935年德国西门子公司Vatter采用陶瓷金属化技术并将产品成功实际应用到真空电子器件中,1956年Mo-Mn法诞生,此法适用于电子工业中的氧化铝陶瓷与金属连接。对于如今,大功率器件逐渐发展,陶瓷基板又因其优良的性能成为当今电子器件基板及封装材料的主流,因此,实现陶瓷与金属之间的可靠连接是推进陶瓷材料应用的关键。目前常用陶瓷基板制作工艺有:(1)直接覆铜法、(2)活性金属钎焊法、(3)直接电镀法。陶瓷金属化可以使陶瓷表面具有更好的抗静电性能。
迄今为止,陶瓷金属化基板的新技术包括在陶瓷基板上丝网印刷通常是贵金属油墨,或者沉积非常薄的真空沉积金属化层以形成导电电路图案。这两种技术都是昂贵的。然而,一个非常大的市场已经发展起来,需要更便宜的方法和更有效的电路。陶瓷上的薄膜电路通常由通过真空沉积技术之一沉积在陶瓷基板上的金属薄膜组成。在这些技术中,通常具有约0.02微米厚度的铬或钼膜充当铜或金层的粘合剂。光刻用于通过蚀刻掉多余的薄金属膜来产生高分辨率图案。这种导电图案可以被电镀至典型地7微米厚。然而,由于成本高,薄膜电路只限于特殊应用,例如高频应用,其中高图案分辨率至关重要。陶瓷金属化可以使陶瓷表面具有更好的防辐射性能。中山氧化铝陶瓷金属化规格
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陶瓷基板的表面金属化是指在高温下将铜箔直接粘合在氧化铝或氮化铝陶瓷基板(单面或双面)表面的一种特殊工艺板。制成的超薄复合基板具有优良的电绝缘性能、高导热性、优良的可焊性和高附着强度,可以像pcb板一样蚀刻成各种图案,并具有大的载流能力。陶瓷金属化服务和产品,广泛应用于航空、医疗、能源、化工等行业。通过多种陶瓷表面金属化工艺,我们可以对平面、圆柱形和复杂的陶瓷体进行金属化。除了传统的先进陶瓷表面金属化服务外,我们还提供符合国际标准的镀金、镀镍、镀银和镀铜服务。东莞氧化锆陶瓷金属化类型