它的出现,使半导体技术从弱电领域进入了强电领域,成为工业、农业、交通运输、科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件。一、可控硅的结构和特性■可控硅从外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三种。螺旋式的应用较多。■可控硅有三个电极----阳极(A)阴极(C)和控制极(G)。它有管芯是P型导体和N型导体交迭组成的四层结构,共有三个PN结。其结构示意图和符号见图表-26。■从图表-26中可以看到,可控硅和只有一个PN结的硅整流二极度管在结构上迥然不同。可控硅的四层结构和控制极的引用,为其发挥“以小控大”的优异控制特性奠定了基础。在应用可控硅时,只要在控制极加上很小的电流或电压,就能控制很大的阳极电流或电压。目前已能制造出电流容量达几百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。■可控硅为什么其有“以小控大”的可控性呢?下面我们用图表来简单分析可控硅的工作原理。我们可以把从阴极向上数的、二、三层看面是一只NPN型号晶体管,而二、三四层组成另一只PNP型晶体管。其中第二、第三层为两管交迭共用。淄博正高电气迎接挑战,推陈出新,与广大客户携手并进,共创辉煌!东营进口可控硅调压模块厂家
可控硅模块因为使用的时间的增长,肯定或多或少地出现发热的这种情况,为了是可控硅正常运行,我们不得不采取一些措施,针对这种发热的问题,我们将会针对这个问题采取一定的措施,比如购买散热器,或者其他的种类。所以正高电气的小编将会针对这个可控硅模块的问题进行分析一下:1.需要散热的面积,是与这个模块的电流有着直接的联系的。2.采取怎样的冷却方式是有这个环境散热的条件来确定的,比如说:自然去冷却这个发热的问题、用强迫的风冷去降温或者说用水冷却。3.使用什么样的散热器,取决于外形、体积以及空间的大小。铝型材散热器是绝大多数用户将会选择的,但是为了让客户选择的散热器满足实际的要求,还应该学会计算出这个散热器的占地面积,比如说像长度或者面积。所以在特新表上需要标注出散热的面积,这样计算的话就相对简单了。可控硅模块所需散热面积=(散热器周长)×(散热器长度)+(截面积)×2可控硅还有一种别的名称,叫做可控硅模块,它在电子、电力行业的领域也是非常的。比如在可控整流、交流调压、无触点的电子开关以及变频等电路中也是可以使用的。那么在这个提升可控硅模块的抗干扰能力有什么方法呢?日照大功率可控硅调压模块供应商淄博正高电气运用高科技,不断创新为企业经营发展的宗旨。
维持继电器吸合约4秒钟,故电路动作较为准确。如果将负载换为继电器,即可控制大电流工作的负载。可控硅是一种新型的半导体器件,它具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、动作快以及使用方便等优点,活动导入以可控硅实际应用案例的展示,以激发学生的活动兴趣。可控硅控制电路的制作13例1:可调电压插座电路如图,可用于调温(电烙铁)、调光(灯)、调速(电机),使用时只要把用电器的插头插入插座即可,十分方便。V1为双向二极管2CTS,V2为3CTSI双向可控硅,调节RP可使插座上的电压发生变化。2:简易混合调光器根据电学原理可知,电容器接入正弦交流电路中,电压与电流的大值在相位上相差90°。根据这一原理,把C1和C2串联联接,并从中间取出该差为我所用,这比电阻与电容串联更稳定。电路中,D1和D2分别对电源的正半波及负半波进行整流,并加到A触发和C1或C2充电。进一步用W来改变触发时间进行移相,只要调整W的阻值,就可达到改变输出电压的目的。D1和D2还起限制触发极的反相电压保护双向可控硅的作用。3:可调速吸尘器这种吸尘器使用可控硅元件构成调速电路,能根据需要控制电机转速,以发迹管道吸力的大小。调速电路比较成熟,普遍使用在大功率吸尘器中。
除此之外整流器件还有很多,如:可关断晶闸管GTO,逆导晶闸管,双向晶闸管,整流模块,功率模块IGBT,SIT,MOSFET等等,这里只探讨晶闸管。晶闸管又名可控硅,通常人们都叫可控硅。是一种功率半导体器件,由于它效率高,控制特性好,寿命长,体积小等优点,自上个世纪六十长代以来,获得了迅猛发展,并已形成了一门单独的学科。“晶闸管交流技术”。晶闸管发展到,在工艺上已经非常成熟,品质更好,成品率大幅提高,并向高压大电流发展。目前国内晶闸管大额定电流可达5000A,国外更大。我国的韶山电力机车上装载的都是我国自行研制的大功率晶闸管。晶闸管的应用:一、可控整流如同二极管整流一样,可以把交流整流为直流,并且在交流电压不变的情况下,方便地控制直流输出电压的大小即可控整流,实现交流——可变直流。二、交流调压与调功利用晶闸管的开关特性代替老式的接触调压器、感应调压器和饱和电抗器调压。为了消除晶闸管交流调压产生的高次谐波,出现了一种过零触发,实现负载交流功率的无级调节即晶闸管调功器。交流——可变交流。三、逆变与变频直流输电:将三相高压交流整流为高压直流,由高压直流远距离输送以减少损耗。淄博正高电气累积点滴改进,迈向优良品质!
我国的晶闸管中频电源的共同特点是全集成化控制线路数字化程度高于90%、启动成功率几乎达到、除具有常规的水压不足、快熔熔断、过流、过压等保护功能外,还具有限流、限压等保护功能、功能较齐全的晶闸管电源还配置逆变失败、水温监视等可选功能,其频率较高可以作到8kHz,额定功率可以作到1000kW左右,如果在装配工艺上再进一步改进的话,可以接近世界先进水平。所以,希望各大公司在选择晶闸管的时候,不要只只考虑到晶闸管的单次成本。可能次您买晶闸管时,有的公司报价很低。但是三五天就烧坏了。这样您几天就换一只管子,对您公司来说是造成更严重的利益损失。还不如一次选择好的,选择质量优胜的产品。这样晶闸管使用寿命长,不只给您在成本上节约了钱,还为您省去了很多麻烦。您说是吗!晶闸管T在工作过程中,它的阳极A和阴极K与电源和负载连接,组成晶闸管的主电路,晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接,组成晶闸管的控制电路。1.晶闸管承受正东台极电压时,只在门极承受正向电压的情况下晶闸管才导通。这时晶闸管处于正向导通状态,这就是晶闸管的闸流特性,即可控特性。2.晶闸管在导通情况下,只要有一定的电压,不论门极电压如何。淄博正高电气企业价值观:以人为本,顾客满意,沟通合作,互惠互利。日照大功率可控硅调压模块供应商
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为何要晶闸管模块两端并联阻容网络?它的作用是什么呢?晶闸管模块在电路中具有不可或缺的作用,您也许听过晶闸管模块的作用、优势、应用范围等等,您听过晶闸管模块两端并联阻容网络的作用是什么吗?接下来正高电气就来为您介绍为何要晶闸管模块两端并联阻容网络?它的作用是什么呢?在实际晶闸管模块电路中,常在其两端并联rc串联网络,该网络常称为rc阻容吸收电路。我们知道,晶闸管模块有一个重要特性参数-断态电压临界上升率dlv/dlt。它表明晶闸管模块在额定结温和门极断路条件下,使晶闸管模块从断态转入通态的较低电压上升率。若电压上升率过大,超过了晶闸管模块的电压上升率的值,则会在无门极信号的情况下开通。即使此时加于晶闸管模块的正向电压低于其阳极峰值电压,也可能发生这种情况。因为晶闸管模块可以看作是由三个pn结组成。在晶闸管模块处于阻断状态下,因各层相距很近,其结面相当于一个电容c0。当晶闸管阳极电压变化时,便会有充电电流流过电容c0,并通过j3结,这个电流起了门极触发电流作用。如果晶闸管模块在关断时,阳极电压上升速度太快,则c0的充电电流越大。就有可能造成门极在没有触发信号的情况下,晶闸管误导通现象,即常说的硬开通。东营进口可控硅调压模块厂家
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