双向可控硅MAC97A6的电路应用MAC97A6为小功率双向可控硅(双向晶闸管),多应用于电风扇速度控制或电灯的亮度控制,市场上流行的“电脑风扇”或“电子程控风扇”,不外乎是用集成电路控制器与老式风扇相结合的新一代产品。这里介绍的电路就是利用一块市售的所用集成电路RY901及MAC97A6,将普通电扇改装为具有多功能的电扇,很适宜无线电爱好者制作与改装。这种新型IC的主要特点是:(1)集开关、定时、调速、模拟自然风为一体,外部元件少、电路简单、易于制作;(2)省掉了体积较大的机械定时器和调速器,采用轻触式开关和电脑控制脉冲触发,因而无机械磨损,使用寿命长。(3)各种动作电脑程序具备相应的发光管指示,耗电量少,体积小,重量轻,显示直观,便于操作;(4)适合开发或改造成多路家电的定时控制等。RY901采用双列直插式16脚塑封结构,为低功耗CMOS集成电路。其外形、引出脚排列及各脚功能如图1所示。工作原理典型应用电路如图2所示([url=/ad/ykkz/]点击下载原理图[/url])。市电220V由C1、R1降压VD9稳压,经VD10、C2整流滤波后,提供5V-6V左右的直流电源作为RY901IC组成的控制器电压。在刚接通电源时,电脑控制器暂处于复位(静止)状态。淄博正高电气公司自成立以来,一直专注于对产品的精耕细作。德州三相晶闸管移相调压模块厂家
一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。我们可以把从阴极向上数的、二、三层看面是一只NPN型号晶体管,而二、三、四层组成另一只PNP型晶体管。其中第二、第三层为两管交迭共用。可画出图1的等效电路图。当在阳极和阴极之间加上一个正向电压E,又在控制极G和阴极C之间(相当BG2的基一射间)输入一个正的触发信号,BG2将产生基极电流Ib2,经放大,BG2将有一个放大了β2倍的集电极电流IC2。因为BG2集电极与BG1基极相连,IC2又是BG1的基极电流Ib1。BG1又把Ib1(Ib2)放大了β1的集电极电流IC1送回BG2的基极放大。如此循环放大,直到BG1、BG2完全导通。事实上这一过程是“一触即发”的,对可控硅来说,触发信号加到控制极,可控硅立即导通。导通的时间主要决定于可控硅的性能。可控硅一经触发导通后,由于循环反馈的原因,流入BG2基极的电流已不只是初始的Ib2,而是经过BG1、BG2放大后的电流(β1*β2*Ib2),这一电流远大于Ib2,足以保持BG2的持续导通。此时触发信号即使消失,可控硅仍保持导通状态,只有断开电源E或降低E的输出电压,使BG1、BG2的集电极电流小于维持导通的小值时,可控硅方可关断。当然,如果E极性反接。菏泽三相晶闸管移相调压模块厂家淄博正高电气锐意进取,持续创新为各行各业提供专业化服务。
可控硅损坏原因判别哪种参数坏了?当晶闸管损坏后需要检查分析其原因时,可把管芯从冷却套中取出,打开芯盒再取出芯片,观察其损坏后的痕迹,以判断是何原因。下面介绍几种常见现象分析。1、电压击穿。晶闸管因不能承受电压而损坏,其芯片中有一个光洁的小孔,损坏的面积小,有时需用扩大镜才能看见。其原因可能是管子本身耐压下降或被电路断开时产生的高电压击穿。2、电流损坏。电流损坏的痕迹特征是芯片被烧成一个凹坑,且粗糙,损坏的面积大,其位置在远离控制极上。3、电流上升率损坏。其痕迹与电流损坏相同,而其位置在控制极附近或就在控制极上。4、边缘损坏。他发生在芯片外圆倒角处,有细小光洁小孔。用放大镜可看到倒角面上有细细金属物划痕。这是制造厂家安装不慎所造成的。它导致电压击穿。5、G-K电压击穿。晶闸管G-K间因不能承受反向电压()12V)而损坏,其芯片G-K间有烧焦的通路(短路痕迹)。
相当广50Hz正弦波的18电角度。二、触发脉冲的型式要有助于可控硅触模块发电路导通时间的一致性对于可控硅串并联电路,要求并联或者串联的元件要同一时刻导通,使两个管子中流过的电流及或承受的电压及相同。否则,由于元件特性的分散性,在并联电路中使导通较早的元件超出允许范围,在串联电路中使导通较晚的元件超出允许范围而被损坏,所以,针对上述问题,通常采取强触发措施,使并联或者串联的可控硅尽量在同一时间内导通。三、触发电路的触发脉冲要有足够的移相范围并且要与主回路电源同步为了保证可控硅变流装置能在给定的控制范围内工作,必须使触发脉冲能在相应的范围内进行移相。同时,无论是在可控整流、有源逆变还是在交流调压的触发电路中,为了使每—周波重复在相同位置上触发可控硅,触发信号必须与电源同步,即触发信号要与主回路电源保持固定的相位关系。否则,触发电路就不能对主回路的输出电压Ud进行准确的控制。逆变运行时甚至会造成短路,而同步是由相主回路接在同一个电源上的同步变压器输出的同步信号来实现的。以上就是可控硅模块触发电路时必须满足的三个必定条件,希望对您有所帮助!淄博正高电气重信誉、守合同,严把产品质量关,热诚欢迎广大用户前来咨询考察,洽谈业务!
可控硅从外形主要有螺旋式、平板式和平底式三种,螺旋式的应用较多。可控硅有三个电极---阳极(A)阴极(C)和控制极(G)。它有管芯是P型导体和N型导体交迭组成的四层结构,共有三个PN结。可控硅和只有一个PN结的硅整流二极度管在结构上迥然不同。可控硅的四层结构和控制极的引用,为其发挥“以小控大”的优异控制特性奠定了基础。在应用可控硅时,只要在控制极加上很小的电流或电压,就能控制很大的阳极电流或电压。电流容量达几百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件,共有三个PN结,分析原理时,可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成。双向可控硅:双向可控硅是一种硅可控整流器件,也称作双向晶闸管。这种器件在电路中能够实现交流电的无触点控制,以小电流控制大电流,具有无火花、动作快、寿命长、可靠性高以及简化电路结构等优点。从外表上看,双向可控硅和普通可控硅很相似,也有三个电极。但是,它除了其中一个电极G仍叫做控制极外,另外两个电极通常却不再叫做阳极和阴极,而统称为主电极Tl和T2。它的符号也和普通可控硅不同。淄博正高电气以创百年企业、树百年品牌为使命,倾力为客户创造更大利益!滨州大功率晶闸管移相调压模块报价
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常把交流电的半个周期定为180,称为电角度。这样,在U2的每个正半周,从零值开始到触发脉冲到来瞬间所经历的电角度称为控制角α;在每个正半周内晶闸管导通的电角度叫导通角θ。很明显,α和θ都是用来表示晶闸管在承受正向电压的半个周期的导通或阻断范围的。通过改变控制角α或导通角θ,改变负载上脉冲直流电压的平均值UL,实现了可控整流。在桥式整流电路中,把二极管都换成晶闸管是不是就成了可控整流电路了呢?在桥式整流电路中,只需要把两个二极管换成晶闸管就能构成全波可控整流电路了。现在画出电路图和波形图,就能看明白了。晶闸管控制极所需的触发脉冲是怎么产生的呢?晶闸管触发电路的形式很多,常用的有阻容移相桥触发电路、单结晶体管触发电路、晶体三极管触发电路、利用小晶闸管触发大晶闸管的触发电路,等等。大家制作的调压器,采用的是单结晶体管触发电路。什么是单结晶体管?它有什么特殊性能呢?单结晶体管又叫双基极二极管,是由一个PN结和三个电极构成的半导体器件。我们先画出它的结构示意图。在一块N型硅片两端,制作两个电极,分别叫做基极B1和第二基极B2;硅片的另一侧靠近B2处制作了一个PN结。德州三相晶闸管移相调压模块厂家
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