CAK45F-E-63V-4.7uF-K

对于钽电容器使用的电路,只有两种;有电阻保护的电路和没有电阻保护的低阻抗电路.对于有电阻保护的电路,由于电阻会起到降压和抑制大电流通过的效果,因此,使用电压可以达到钽电容器额定电压的60%.没有电阻保护的电路有两种;一;前级输入已经经过整流和滤波,输出稳定的充放电电路.在此类电路,电容器被当作放电电源来使用,由于输入参数稳定没有浪涌,因此,尽管是低阻抗电路,可安全使用的电压仍然可以达到额定电压的50%都可以保证相当高的可靠性.二;电子整机的电源部分;电容器并联使用在此类电路,除了要求对输入的信号进行滤波外,往往同时还兼有按照一定频率和功率进行放电的要求.因为是电源电路,因此,此类电路的回路阻抗非常低,以保证电源的输出功率密度足够.在此类开关电源电路中[也叫DC-DC电路],在每次开机和关机的瞬间,电路中会产生一个持续时间小于1微秒的**度尖峰脉冲,其脉冲电压值至少可以达到稳定的输入值的3倍以上,电流可以达到稳态值的10倍以上,由于持续时间极短,因此,其单位时间内的能量密度非常高,如果电容器的使用电压偏高,此时实际加在产品上的脉冲电压就会远远超过产品的额定值而被击穿.因此,使用在此类电路中的钽电容器容许的使用电压不能超过额定值的1/3.不同规格的钽电容具有不同的自恢复时间和动作阈值等特性，需要根据实际应用进行选择。CAK45F-E-63V-4.7uF-K

除新能源汽车的钽电容需求快速修复并高速增长外，其实还有另一大市场的需求也在迅速打开，那就是5G基站的电源用钽电容市场需求。实际上，除了上面行业原来就预估会在海量增长的市场之外，引燃钽电容市场的还有另一个增量更大的市场，那就是智能手机高功率充电头。为了应对苹果和三星智能手机的竞争冲击，快充技术现在几乎是每一部国产手机智能手机必备的东西，现在很多人都等不了漫长的充电过程，所以更快的充电效率是每一个厂商也是每一个消费者追求的东西。高功率快充在近几年成为了充电市场的当红炸子鸡。前段时间小米推出的新款氮化镓快速充电器更是引燃了快充小型化的潮流。采用钽电容并联使用作为输出滤波，与传统使用的铝电解电容相比，输出更加稳定且体积能够减小75%。所以钽电容成了快充小型化的重要器件之一。事实上为了避免快充对智能手机、平板电脑和笔记本电脑的主控电路寿命产生影响，高性能的钽电容是保证快充输出波形稳定的重大必要器件之一。CAK45F-E-6.3V-220uF-K钽电容在使用过程中需要注意避免短路、过电压和过电流等异常情况，以免造成损坏。

钽电容器漏电流偏大导致实际耐压不够。此问题的出现一般都由于钽电容器的实际耐压不够造成.当电容器上长时间施加一定场强时,如果其介质层的绝缘电阻偏低,此时产品的实际漏电流将偏大.而漏电流偏大的产品,实际耐压就会下降.出现此问题的另外一个原因是关于钽电容器的漏电流标准制定的过于宽松,导致有些根本不具备钽电容器生产能力的公司在生产质量低劣的钽电容器.普通的室温时漏电流就偏大的产品,如果工作在较高的温度下,其漏电流会成指数倍增加,因此其高温下的实际耐压就会大幅度下降.在使用温度较高时就会非常容易出现击穿现象.高温时漏电流变化较小是所有电容器生产商努力的重要目标之一,因此,此指标对可靠性的决定性影响不言而愈.如果你选择使用的钽电容器的漏电流偏大,实际上它已经是废品,出问题因此成为必然.

    赋能：通过电化学反应，制得五氧化二钽氧化膜，作为钽电容器的介质。b)氧化膜厚度：电压越高，氧化膜的厚度越厚，所以提高赋能电压，氧化膜的厚度增加，容量就下降c)氧化膜的颜色：不同的形成电压干涉出的氧化膜的颜色也不同，随着电压的升高，颜色呈周期性化。d)形成电压：经验公式（该公式只能在小范围内提高电压，如果电压提高的幅度很大，就不是很准确，要加保险系数）。(恒压电压);C2------要示的容量C2=KCR(K根据后道的容量收缩情况而定,可适时修改，一般情况下，容量小，后道容量损失较小，容量大，后道容量损失就大，低比容粉，容量损失较小，比容越高，后道容量损失就越大。通常，CR≤1UF，K=；CR>1UF,K=)。 钽电容的体积小，容量大，可用于高频率电路中，如滤波器、振荡器和定时器等。

电容失效模式,机理和失效特点对于钽电容，失效与其他类型的电容一样,也有电参数变化失效、短路失效和开路失效三种。由于钽电容的电性能稳定,且有独特的“自愈”特性,钽电容鲜有参数变化引起的失效，钽电容失效大部分是由于电路降额不足，反向电压，过功耗导致，主要的失效模式是短路。另外,根据钽电容的失效统计数据,钽电容发生开路性失效的情况也极少。因此,钽电容失效主要表现为短路性失效。钽电容短路性失效模式的机理是:固体钽电容的介质Ta2O5由于原材料不纯或工艺中的原因而存在杂质、裂纹、孔洞等疵点或缺陷,钽块在经过高温烧结时已将大部分疵点或缺陷烧毁或蒸发掉,但仍有少量存在。在赋能、老炼等过程中,这些疵点在电压、温度的作用下转化为场致晶化的发源地—晶核;在长期作用下,促使介质膜以较快的速度发发生物理、化学变化,产生应力的积累,到一定时候便引起介质局部的过热击穿。如果介质氧化膜中的缺陷部位较大且集中,一旦在热应力和电应力作用下出现瞬时击穿,则很大的短路电流将使电容迅速过热而失去热平衡,钽电容固有的“自愈”特性已无法修补氧化膜,从而导致钽电容迅速击穿失效。钽电容具有高电容量和低等效串联电阻，使其在电源滤波和信号耦合方面非常有用。CAK45L-C-35V-2.2uF-K

不同品牌和规格的钽电容具有不同的自恢复特性和动作阈值等参数，需要根据实际应用进行选择。CAK45F-E-63V-4.7uF-K

形成液：电导率高，氧化效果好，但是形成液的闪火电压低；电导率低，氧化效果差，但是形成液的闪火电压高，阳极块不容易晶化、击穿。目前的磷酸稀水溶液只能适合形成电压200V以下，如果要形成200V以上的产品，应改用乙二醇稀水溶液，该溶液闪火电压高，抑制晶化能力强，但是乙二醇不容易煮洗干净，被膜损耗要微增加。一般情况下，CA42形成电压不会超过200V，只要用磷酸稀水溶液就可以了。h）恒压时间：钽块越小，恒压时间越短，钽块越大，恒压时间越长，详见工艺文件。原则：结束电流要很小，基本上稳定不再下降为止，具体数值要看平时积累数据。CAK45F-E-63V-4.7uF-K

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