成都磁调制电压传感器供应商

采用双电源供电，为M57962芯片搭建比较简单的外围电路后，正负驱动电压为+15V和-9V，可以使IGBT可靠通断。并且M57962内部集成了短路和过电流保护，内部保护电路监测IGBT的饱和压降来判断是否过流，当出现短路或过流时，M57962将***驱动信号实施对IGBT的关断，同时输出故障信号。如图为驱动芯片M57962的驱动效果，将输入的高电平为5V、低电平为0V的电压信号放大为高电平为15V，低电平为-9V的驱动信号。-9V的低电平确保了IGBT可靠关断。目前只有电压闭环反馈，接下来须引入电流闭环实现 对电路输出电流的控制。成都磁调制电压传感器供应商

移相全桥变换器在工作时，通过与开关管并联的谐振电容和原边谐振电感谐振，来实现开关管的软开关。主电路拓扑结构如图2-4所示。图中T1和T2为超前臂开关管，T3和T4为滞后臂开关管；C1和C2分别为T1和T2的并联谐振电容，且C1=C2=Clead；C3和C4分别为T3和T4的并联谐振电容，且C3=C4=Clag；D1~D4分别为T1~T4的反并联二极管；Lr为原边谐振电感；TM为高频变压器；DR1~DR4为输出整流二极管；Lf、L、Ca和Cb分别为输出滤波电感和滤波电容；Z为输出负载。成都磁调制电压传感器供应商其原理与变压器类似，实现了对原边电压的隔离测量。

储能电容的计算：1）根据工程经验估算：根据工程实践经验，装置的功率与前端储能电容有对应的关系。整个装置的功率P=UI=2060=1.2Kw，每瓦对应储能电容容量1μF，则可选用电容至少1200μF。2）根据能量关系式计算：储能电容为后续的DC/DC变换提供直流电压，其本身的电压波动反应在电容上可以认为是电容器电能的补充和释放过程。要保持电容器端电压不变，每个周期中储能电容器对电路提供的能量和其本身充电所得的能量相等。储能电容在整流桥输出端，同时也须承担滤波的任务。为了保证对整个装置提供足够的能量，我们所选用的储能电容最小值为1200UF。

A/D模块无疑是将我们采集到的模拟信号转换成DSP模块可以识别和处理的数字信号，市场上可选用的A/D芯片种类很多。我们选用芯片须得根据工程实际。选用 A/D 芯片我们重点关注如下几点： 1）精 度（对应 AD 的分辨率），如果工程中对信号的精度要求很高，则必须选用分辨率很 高的 AD，即位数较多的 AD，例如 16 位 AD 对应的分辨率为0.015  10  3    。前面提及过DSP芯片本身带有内部AD，但由于其为12位AD（对应分辨率为0.224103），精度达不到本实验要求；2）输入信号类型，输入信号型号指采集到的信号是单端信号还是差分信号，是单极性信号还是双极性信号；3）AD转换速率。选用AD时须考虑转换速率和采集信号之间的关系，如果转换速率不匹配则无法完成该带宽域内的信号转换。AD的转换速率也直接影响到整个系统的动态性能。；4）输入信号的量程。每个AD芯片都有自身输入信号的量程，只有在量程内的输入信号才能完成转换。选用好AD后必须通过前端信号采集电路将输入信号调节至AD转换量程内。本项目中选用的AD型号为MAX125，该AD是14位AD，输入量程为5V~5V，单端双极性极性输入。电容式电压传感器的工作原理很简单。

图3-6和图3-7所示分别为输出端电压值和电压纹波（图中横纵坐标分别为时间和电压），经过PID闭环反馈后，输出电压值的纹波系数可达0.16%。因为本仿真实验中只加入了电压单闭环反馈，进一步提高精度需要再在外环加入电流反馈环。仿真电路很好的验证了试验参数计算的正确性和合理性，在本电路的初步设计中可以按照仿真电路中参数进行实验电路的搭建。传统的控制技术多是以模拟电路为基础的，其固有的缺陷是显而易见的， 比如 电路本身复杂、模拟器件本身存在差异性、温漂明显、不可编程性。基于这些固有 的缺点，数字化的控制技术优势便展现出来。其大致原理是原边电压通过外置或内置电阻。成都磁调制电压传感器供应商

其他的可以产生幅度调制、脉冲宽度调制或频率调制输出。成都磁调制电压传感器供应商

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