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山西交直流电流传感器设计标准

来源: 发布时间:2024年01月05日

设计的交直流电流检测器,激磁绕组W1匝数N1为175匝,稳压后激磁方波电压为±5V,根据式(4-3)及表4-2中铁芯参数可计算交直流电流检测器激磁频率为129Hz,满足检测带宽要求。采样电阻RS1的稳定性及精度直接影响零磁通交直流检测器测量结果的准确度,而且采样电阻阻值也直接影响零磁通交直流检测器的线性度。当RS1取值较大时,零磁通交直流检测器的灵敏度增大,而激磁电流峰值Im必然会减小,铁芯进入饱和状态的程度减弱,终将降低零磁通交直流检测器的线性度。而RS1取值较小时,激磁电流峰值Im必然会增大,则对选用的比较放大器U1其带载能力提出更高要求,且此时激磁电流增大,则基于电磁感应原理激磁绕组对反馈绕组的影响增大,终在终端测量电阻RM上产生感应噪声也越大。综上考虑,本文选择精度为0.1%、温度系数小于100ppm/℃的贴片电阻可满足要求。为保证磁通门能够处于零磁通状态,磁通门电路常应用闭环系统。山西交直流电流传感器设计标准

山西交直流电流传感器设计标准,电流传感器

电流传感器是一种设备,它能够将电流信号转换为另一个可分析信号,这种设备在电力系统和电子设备中对电流的准确测量非常有用。市场上有许多不同类型的电流传感器,以满足不同测量技术和初级电流的不同波形、脉冲类型、隔离和电流强度等因素的需求。 一种常见的电流传感器是分流器。分流器本质上是一个具有已知电阻值的电阻器。当电流通过分流器时,会产生一个与该电流成正比的电压信号。这个原理是基于欧姆定律(V=R×I)。通过这种方式,我们可以准确地测量交流和直流电流。 另一种常用的电流传感器是霍尔效应电流传感器。这种传感器利用磁场来测量电流。为霍尔探头提供电源会在垂直于表面的方向上施加磁场,并产生与磁场强度成比例的电压。然后可以使用安培定律来计算流过导体的电流量。这种传感器对于高频率、大电流以及具有挑战性环境的测量特别有效。 在选择使用电流传感器时,需要考虑待测电流的特性、测量精度、环境条件以及设备的限制等因素。这些因素将决定哪种类型的电流传感器适合您的应用需求。镇江高精度电流传感器罗氏线圈传感器的输出信号与被测电流的平方成正比,因此它适用于测量中低成本的交流电流。

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导致正半周波自激振荡过程将不会在原 t5 时刻进入饱和区,而是略 有延后,即铁芯 C1 工作点将滞后进入负向饱和区 C;而在正向饱和区 A 及负向饱和区 C 中,激磁电流峰值仍然满足 I+m=-I-m=Im=ρVOH/RS,且非线性电感时间常数未发生变化, 因此铁芯 C1 饱和区自激振荡阶段, 激磁电流由 I+th1 正向增大至 I+m 的时间间隔增大, 而 激磁电流由 I-th1  负向增大至 I-m  的时间间隔减小。 由上述分析可知,测量正向直流时铁 芯工作点的特征为: 铁芯 C1 工作在正向饱和区 B 的时间大于工作在负向饱和区 C 的时 间,使激磁电流 iex 波形上出现了正负半周波波形上的不对称性。在一 次电流 IP 为正时,激磁电流 iex 在一个周波内,正半周波电流平均值小于负半周波电流 平均值, 采样电阻 RS 上采样电压 VRs 一个周波内平均值为负。

IC为稳态充电电流,即在理想情况下t=∞时刻,通过激磁电感中的稳态充电电流满足IC=Vout/Rsum。τ1为铁芯C1回路放放电时间常数,τ1=l/Rsum。在t1时刻,铁芯C1工作点将由负向饱和区C进入线性区A,此时激磁电流iex降低至负向饱和阈值电流I-th1,其满足Ip=-Ip1,I-th1=I-th-βIp。可得t1时刻激磁电流终值iex(t1)满足:iex(t1)=一I-th1=一Ith+βIp1 其中β=Np/N1,βIp1可以将理解为,一次电流在铁芯C1中产生的磁势折算到激磁绕组W1侧的磁势大小。将磁调制器与磁积分器结合,研制用于质子同步器系统中粒子流检测的宽频电流互感器,扩展了电流测量带宽。

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考虑到光学电流测量方法目前仍对温度、振动等环境敏感,对光源要求苛刻,因此在当前的技术水平下,再提高其精度等级具有较大难度[54]。霍尔电流传感器通常需要在铁芯上开口,因此对铁芯加工工艺有一定要求,且开环霍尔电流传感器由于开口漏磁的影响,其精度一般不高;形成闭环可以获得较高的精度,但要实现高精度需要对传感器进行复杂的屏蔽设计,使得测量结构复杂,整机异常笨重,且霍尔传感器本身也对温度敏感,一般不适用于精密电流测量。分流器的原理极为简单,但分流器在交流电流下具有集肤效应,另外当通过电流较大时,分流器易产生温升而使其温度特性变差,此时多采用多个分流器并联的方法来扩大测量的范围,导致分流器的体积会过分庞大;再者,当应用于大交流电流中含有较小的直流分量时,受限于信噪比,难以完成小 直流分量的高精度测量。而传统的磁调制器法电流传感器具有强抗干扰能力,测量精度高,但其性价比不高,主要成本来自于外接交流激励源及复杂的解调电路,而自激振荡 磁通门传感器法也是基于磁调制原理,但其结构简单,不需外加交流激励源。由于霍尔效应传感器的输出信号与被测电流成正比,因此它可以用于测量直流或交流电流。镇江新能源汽车电流传感器服务电话

只要磁芯磁导率随激励磁场强度变化,感应电势中就会出现随环境磁场强度变化的偶次谐波增量。山西交直流电流传感器设计标准

磁通门电流传感器在MRI(磁共振成像)中有广泛的应用。MRI是一种非侵入性且无辐射的医学成像技术,通过使用强磁场和无线电波来生成身体内部的高分辨率影像。当磁芯被周期性变化的激励磁场作用时,磁芯的状态便会周期性地磁化至正负饱和状态,并在其间往返。周期性的往返于两个稳态点(势能函数的低点)的这一过程可以用双稳态势能函数来表示。磁通门电流传感器被用于监测梯度线圈的电流变化,以确保梯度线圈的准确控制和调节,从而获得高质量的图像。 射频线圈控制:MRI系统使用射频线圈来发送和接收无线电波信号,以图像化身体结构和组织。磁通门电流传感器被用于监测射频线圈的电流变化,以帮助调节射频线圈的功率和频率,确保信号的正确发送和接收。 总结来说,磁通门电流传感器在MRI中的应用主要是用于监测和控制主磁场、梯度线圈和射频线圈的电流变化,以确保MRI系统的稳定性和图像质量,从而为医学诊断提供高精度的影像数据。山西交直流电流传感器设计标准