针对第三代半导体材料(SiC/GaN)的减薄需求,优普纳砂轮适配6吋、8吋晶圆,满足衬底片粗磨、精磨全流程。以东京精密HRG200X设备为例,6吋SiC线割片采用2000#砂轮粗磨,磨耗比只15%,Ra≤30nm;精磨使用30000#砂轮,磨耗比120%,Ra≤3nm,TTV稳定在2μm以下。DISCO设备案例中,8吋晶圆精磨后TTV≤2μm,适配性强,可替代日本、德国进口产品。江苏优普纳科技有限公司专业生产砂轮,品质有保证,欢迎您的随时致电咨询,为您提供满意的产品以及方案。江苏优普纳砂轮,多孔组织散热强,加工无裂纹,来电了解!浙江砂轮规格
江苏优普纳科技有限公司的碳化硅晶圆减薄砂轮,展现了强大的设备适配性。其基体优化设计能够根据客户不同设备需求进行定制,无论是东京精密还是DISCO的减薄机,都能完美适配。这种强适配性不只减少了客户在设备调整上的时间和成本,还确保了加工过程的高效性和稳定性。在DISCO-DFG8640减薄机的实际应用中,无论是粗磨还是精磨,优普纳砂轮都能保持稳定的性能,满足不同加工需求。这种强适配性,使得优普纳的砂轮在市场上更具竞争力,能够快速响应客户需求,为客户提供一站式的解决方案,进一步巩固其在国产碳化硅减薄砂轮市场的先进地位。半导体砂轮订做价格优普纳碳化硅晶圆减薄砂轮,以技术创新为主,不断突破性能瓶颈,为国产半导体材料加工提供有力支持。
江苏优普纳科技有限公司的非球面微粉砂轮具备一系列令人瞩目的产品特性,使其在激烈的市场竞争中脱颖而出。首先是超高的磨削精度,通过对磨粒粒度的精确筛选与排布控制,以及结合剂性能的优化,砂轮能够实现纳米级别的磨削精度。在加工非球面镜片时,可将表面粗糙度控制在极低水平,面型精度达到亚微米级,满足光学领域对镜片质量的严苛要求。其次是出色的耐磨性,选用的品质高磨粒,如针对不同光学材料特性定制的金刚石微粉磨粒,具有极高的硬度和化学稳定性。在长时间、强度高的磨削作业中,磨粒能保持自身形状与锋利度,相比传统砂轮,明显延长了使用寿命,减少了砂轮的更换频率,提高了生产效率,降低了生产成本。再者,砂轮具有良好的自锐性,在磨削过程中,当磨粒磨损到一定程度,结合剂能够及时释放磨粒,新的锋利磨粒迅速接替工作,维持稳定的磨削效率,避免因磨粒钝化导致加工质量下降。同时,优普纳的非球面微粉砂轮还具备优良的散热性能,在高速磨削产生大量热量的情况下,能有效将热量传导出去,减少热变形对工件精度的影响,全方面保障加工过程的稳定性与产品质量的可靠性。
江苏优普纳科技有限公司的碳化硅晶圆减薄砂轮,凭借其专研的**高性能陶瓷结合剂**和**“Dmix+”制程工艺**,在第三代半导体材料加工领域树立了新的目标。这种独特的结合剂配方不只赋予了砂轮强度高和韧性,还通过多孔显微组织的设计,实现了高研削性能和良好的散热效果。在实际应用中,无论是粗磨还是精磨,优普纳的砂轮都能保持稳定的性能,减少振动和损伤,确保加工后的晶圆表面质量优异。这种技术优势不只满足了半导体制造的需求,还为国产化替代提供了坚实的技术支持。优普纳砂轮的多孔显微组织设计,有效提升研削性能,同时确保良好的散热效果,避免加工过程中的热损伤。
优普纳的多孔砂轮显微组织调控技术,通过优化砂轮内部孔隙率与分布,大幅提升冷却液渗透效率,解决传统砂轮因散热不足导致的晶圆微裂纹问题。在东京精密HRG200X设备上,6吋SiC晶圆粗磨时,砂轮磨耗比只15%,且加工过程中温升降低40%,表面粗糙度稳定在Ra≤30nm。该技术不只延长砂轮寿命20%,还可适配高转速磨床,助力客户实现高效、低成本的批量生产。江苏优普纳科技有限公司专业生产砂轮,品质有保证,欢迎您的随时致电咨询,为您提供满意的产品以及方案。优普纳科技以技术创新为驱动,不断优化碳化硅晶圆减薄砂轮的性能,助力国产半导体材料加工迈向新高度。半导体砂轮寿命
通过优化砂轮的显微组织结构,优普纳产品实现高研削性能和良好的散热效果,避免加工过程中的热损伤。浙江砂轮规格
在半导体加工领域,精度和效率是关键。江苏优普纳科技有限公司的碳化硅晶圆减薄砂轮,通过其超细金刚石磨粒和超高自锐性,实现了高磨削效率和低损伤的完美平衡。在东京精密-HRG200X减薄机的实际应用中,6吋和8吋SiC线割片的加工结果显示,表面粗糙度Ra值和总厚度变化TTV均达到了行业先进水平。这种高精度的加工能力,不只满足了半导体制造的需求,还为客户节省了大量时间和成本,助力优普纳在国产碳化硅减薄砂轮市场中占据重要地位。浙江砂轮规格