SiC砂轮合作

在半导体加工领域，精度和效率是关键。江苏优普纳科技有限公司的碳化硅晶圆减薄砂轮，通过其超细金刚石磨粒和超高自锐性，实现了高磨削效率和低损伤的完美平衡。在东京精密-HRG200X减薄机的实际应用中，6吋和8吋SiC线割片的加工结果显示，表面粗糙度Ra值和总厚度变化TTV均达到了行业先进水平。这种高精度的加工能力，不只满足了半导体制造的需求，还为客户节省了大量时间和成本，助力优普纳在国产碳化硅减薄砂轮市场中占据重要地位。通过优化砂轮的显微组织结构，优普纳产品实现高研削性能和良好的散热效果，避免加工过程中的热损伤。SiC砂轮合作

优普纳的多孔砂轮显微组织调控技术，通过优化砂轮内部孔隙率与分布，大幅提升冷却液渗透效率，解决传统砂轮因散热不足导致的晶圆微裂纹问题。在东京精密HRG200X设备上，6吋SiC晶圆粗磨时，砂轮磨耗比只15%，且加工过程中温升降低40%，表面粗糙度稳定在Ra≤30nm。该技术不只延长砂轮寿命20%，还可适配高转速磨床，助力客户实现高效、低成本的批量生产。江苏优普纳科技有限公司专业生产砂轮，品质有保证，欢迎您的随时致电咨询，为您提供满意的产品以及方案。SiC砂轮合作优普纳砂轮的多孔显微组织设计，有效提升研削性能，同时确保良好的散热效果，避免加工过程中的热损伤。

针对第三代半导体材料（SiC/GaN）的减薄需求，优普纳砂轮适配6吋、8吋晶圆，满足衬底片粗磨、精磨全流程。以东京精密HRG200X设备为例，6吋SiC线割片采用2000#砂轮粗磨，磨耗比只15%，Ra≤30nm；精磨使用30000#砂轮，磨耗比120%，Ra≤3nm，TTV稳定在2μm以下。DISCO设备案例中，8吋晶圆精磨后TTV≤2μm，适配性强，可替代日本、德国进口产品。江苏优普纳科技有限公司专业生产砂轮，品质有保证，欢迎您的随时致电咨询，为您提供满意的产品以及方案。

江苏优普纳科技有限公司的碳化硅晶圆减薄砂轮，展现了强大的设备适配性。其基体优化设计能够根据客户不同设备需求进行定制，无论是东京精密还是DISCO的减薄机，都能完美适配。这种强适配性不只减少了客户在设备调整上的时间和成本，还确保了加工过程的高效性和稳定性。在DISCO-DFG8640减薄机的实际应用中，无论是粗磨还是精磨，优普纳砂轮都能保持稳定的性能，满足不同加工需求。这种强适配性，使得优普纳的砂轮在市场上更具竞争力，能够快速响应客户需求，为客户提供一站式的解决方案，进一步巩固其在国产碳化硅减薄砂轮市场的先进地位。在6吋SiC线割片的精磨加工中，优普纳砂轮于DISCO-DFG8640减薄机上实现磨耗比100%，Ra≤3nm，TTV≤2μm。

在全球市场竞争日益激烈的背景下，江苏优普纳科技有限公司始终坚持以客户为中心，不断提升产品质量和服务水平。我们的衬底粗磨减薄砂轮已经在国内外的半导体制造企业中得到了广泛应用和认可。未来，我们将继续加大研发投入和技术创新力度，为客户提供更加品质高、高效的砂轮产品和服务，推动半导体行业的持续发展和进步。同时，我们也期待与更多的合作伙伴携手共进，共同开创半导体制造领域的美好未来。江苏优普纳科技有限公司专业生产砂轮，品质有保证，欢迎您的随时致电咨询，为您提供满意的产品以及方案。优普纳碳化硅晶圆减薄砂轮在性能和质量上不断突破，为国产半导体加工设备及耗材的自主可控发展贡献力量。SiC砂轮合作

在DISCO-DFG8640减薄机的实际应用中，优普纳砂轮对6吋SiC线割片进行粗磨，磨耗比11%，Ra≤30nm TTV≤3μm。SiC砂轮合作

优普纳不只提供高性能砂轮，更构建了覆盖售前、售中、售后的全周期服务体系。针对客户新设备导入或工艺升级需求，优普纳技术团队可提供磨削参数优化（如进给速度、冷却液配比）与砂轮选型指导。某客户在导入12吋SiC试验线时，优普纳通过定制25000#砂轮与工艺调试，将TTV从初始的5μm降至2μm，良率提升40%，加速产线量产进程。江苏优普纳科技有限公司专业生产砂轮，品质有保证，欢迎您的随时致电咨询，为您提供满意的产品以及方案。SiC砂轮合作