上海半导体磨削砂轮

江苏优普纳科技有限公司的碳化硅晶圆减薄砂轮，凭借其高性能陶瓷结合剂和“Dmix+”制程工艺，为第三代半导体材料的加工提供了高效、稳定的解决方案。在实际应用中，优普纳的砂轮展现了优越的高精度加工能力，无论是粗磨还是精磨，都能确保加工后的晶圆表面粗糙度极低，总厚度变化控制在微米级别以内。同时，砂轮的磨耗比极低，使用寿命长，为客户节省了大量成本。此外，优普纳的砂轮还能根据客户设备进行定制，适配性强，能够满足不同客户的多样化需求。这种综合优势，使得优普纳在国产碳化硅减薄砂轮市场中脱颖而出，成为行业的目标，助力国产化替代进程。优普纳碳化硅晶圆减薄砂轮，以高性能陶瓷结合剂和“Dmix+”制程工艺为基础，不断优化产品性能。上海半导体磨削砂轮

江苏优普纳科技有限公司的碳化硅晶圆减薄砂轮，以其高精度加工能力成为第三代半导体材料加工的理想选择。其专研的强度高微晶增韧陶瓷结合剂和多孔显微组织调控技术，赋予了砂轮优越的稳定性，能够有效减少振动，确保加工后的晶圆表面粗糙度极低。在东京精密-HRG200X减薄机的实际应用中，6吋和8吋SiC线割片的加工结果显示，表面粗糙度Ra值和总厚度变化TTV均达到了行业先进水平。这种高精度的加工能力，不只满足了半导体制造的需求，也为优普纳在国产碳化硅减薄砂轮市场奠定了坚实的基础，助力其品牌形象进一步巩固。半导体设备砂轮解决方案优普纳碳化硅晶圆减薄砂轮，以高精度、低损耗和强适配性，成为推动国产半导体产业技术升级的重要力量。

江苏优普纳科技有限公司的碳化硅晶圆减薄砂轮，以其低损耗特性成为半导体加工领域的理想选择。其独特的多孔显微组织调控技术，使得砂轮在高磨削效率的同时，磨耗比极低。在东京精密-HRG200X减薄机的实际应用中，6吋SiC线割片的磨耗比只为15%，而8吋SiC线割片的磨耗比也只为35%。这意味着在长时间的加工过程中，砂轮的磨损极小，使用寿命更长，为客户节省了大量的成本。低损耗不只体现在砂轮本身的使用寿命上，还体现在加工后的晶圆表面质量上，损伤极小，进一步提升了产品的性价比，助力优普纳在国产化替代进程中占据优势。

优普纳砂轮以国产价格提供进口品质，单次加工成本降低40%。例如，进口砂轮精磨8吋SiC晶圆磨耗比通常超过250%，而优普纳产品只需200%，且Ra≤3nm的精度完全满足5G、新能源汽车芯片制造需求。客户反馈显示，国产替代后设备停机更换频率减少50%，年维护成本节省超百万元。针对不同设备（如DISCO-DFG8640、东京精密HRG200X），优普纳提供基体优化设计砂轮，增强冷却液流动性，减少振动。支持定制2000#至30000#磨料粒度，适配粗磨、半精磨、精磨全工艺。案例中，6吋SiC晶圆使用30000#砂轮精磨后TTV≤2μm，表面质量达国际先进水平。优普纳的碳化硅晶圆减薄砂轮，以高性能和高可靠性，逐步替代进口产品，助力国内半导体产业供应链的安全。

江苏优普纳科技有限公司的碳化硅晶圆减薄砂轮，凭借其专研的**高性能陶瓷结合剂**和**“Dmix+”制程工艺**，在第三代半导体材料加工领域树立了新的目标。这种独特的结合剂配方不只赋予了砂轮强度高和韧性，还通过多孔显微组织的设计，实现了高研削性能和良好的散热效果。在实际应用中，无论是粗磨还是精磨，优普纳的砂轮都能保持稳定的性能，减少振动和损伤，确保加工后的晶圆表面质量优异。这种技术优势不只满足了半导体制造的需求，还为国产化替代提供了坚实的技术支持。在实际应用中，优普纳砂轮展现出的高精度、低损耗和强适配性，使其成为半导体加工领域不可或缺的高效工具。碳化硅砂轮选购

优普纳碳化硅晶圆减薄砂轮，以技术创新为主，不断突破性能瓶颈，为国产半导体材料加工提供有力支持。上海半导体磨削砂轮

江苏优普纳科技有限公司的非球面微粉砂轮具备一系列令人瞩目的产品特性，使其在激烈的市场竞争中脱颖而出。首先是超高的磨削精度，通过对磨粒粒度的精确筛选与排布控制，以及结合剂性能的优化，砂轮能够实现纳米级别的磨削精度。在加工非球面镜片时，可将表面粗糙度控制在极低水平，面型精度达到亚微米级，满足光学领域对镜片质量的严苛要求。其次是出色的耐磨性，选用的品质高磨粒，如针对不同光学材料特性定制的金刚石微粉磨粒，具有极高的硬度和化学稳定性。在长时间、强度高的磨削作业中，磨粒能保持自身形状与锋利度，相比传统砂轮，明显延长了使用寿命，减少了砂轮的更换频率，提高了生产效率，降低了生产成本。再者，砂轮具有良好的自锐性，在磨削过程中，当磨粒磨损到一定程度，结合剂能够及时释放磨粒，新的锋利磨粒迅速接替工作，维持稳定的磨削效率，避免因磨粒钝化导致加工质量下降。同时，优普纳的非球面微粉砂轮还具备优良的散热性能，在高速磨削产生大量热量的情况下，能有效将热量传导出去，减少热变形对工件精度的影响，全方面保障加工过程的稳定性与产品质量的可靠性。上海半导体磨削砂轮