随着碳化硅功率器件在新能源汽车中的普及,优普纳砂轮已成功应用于多家头部车企的芯片供应链。例如,某800V高压平台电驱模块的SiC晶圆减薄中,优普纳30000#砂轮精磨后Ra≤3nm,TTV≤2μm,芯片导通损耗降低15%。客户反馈显示,国产砂轮在加工一致性与成本控制上远超进口竞品,单条产线年产能提升30%,为车规级芯片国产化奠定基础。江苏优普纳科技有限公司专业生产砂轮,品质有保证,欢迎您的随时致电咨询,为您提供满意的产品以及方案。优普纳砂轮的高性能陶瓷结合剂,赋予产品优异的耐磨性和韧性,确保在高负荷加工条件下的稳定性能。第三代砂轮标准

在科技日新月异的当下,非球面微粉砂轮行业的技术创新浪潮汹涌澎湃,江苏优普纳科技有限公司始终勇立潮头。在结合剂技术创新方面,公司取得了重大突破。例如,研发出一种新型复合结合剂,融合了树脂结合剂的良好自锐性与金属结合剂的高刚性。这种结合剂在保证磨粒牢固把持的同时,极大地提升了砂轮的自锐性能,使砂轮在磨削过程中能始终保持高效切削状态,大幅提高了加工效率与表面质量。在磨粒制备技术上,优普纳针对不同光学材料的加工特性,开发出一系列定制化磨粒。对于硬度较高的光学玻璃材料,通过优化金刚石微粉磨粒的粒径、形状及表面处理工艺,使其在磨削时能更高效地切入材料,降低磨削力,减少工件表面损伤风险。此外,在砂轮制造工艺上,引入先进的自动化生产设备与高精度检测技术。自动化设备实现了对砂轮制造过程的精确控制,从磨粒与结合剂的混合比例到砂轮成型的每一个环节,都能确保高度一致性;高精度检测技术则对砂轮的各项性能指标进行实时监测,保证每一片出厂的砂轮都具备稳定且优越的性能,持续推动非球面微粉砂轮技术迈向新高度,为行业发展注入源源不断的活力。第三代砂轮标准在东京精密-HRG200X减薄机上,优普纳砂轮对6吋SiC线割片进行粗磨,磨耗比15%,Ra≤30nm,TTV≤3μm。

优普纳的多孔砂轮显微组织调控技术,通过优化砂轮内部孔隙率与分布,大幅提升冷却液渗透效率,解决传统砂轮因散热不足导致的晶圆微裂纹问题。在东京精密HRG200X设备上,6吋SiC晶圆粗磨时,砂轮磨耗比只15%,且加工过程中温升降低40%,表面粗糙度稳定在Ra≤30nm。该技术不只延长砂轮寿命20%,还可适配高转速磨床,助力客户实现高效、低成本的批量生产。江苏优普纳科技有限公司专业生产砂轮,品质有保证,欢迎您的随时致电咨询,为您提供满意的产品以及方案。
传统砂轮在磨削过程中常常面临磨损快、热量产生大、加工效率低等问题。而激光改质层减薄砂轮则通过先进的激光改质技术,克服了这些缺陷。首先,激光改质层减薄砂轮的耐磨性明显提高,能够在长时间的磨削过程中保持稳定的性能,减少更换频率。其次,由于其优异的热稳定性,激光改质层减薄砂轮在高温环境下仍能保持良好的切削性能,避免了传统砂轮因过热而导致的变形和损坏。此外,激光改质层减薄砂轮的切削力更小,能够有效降低工件的加工应力,减少了工件的变形风险,提升了加工精度。碳化硅晶圆减薄砂轮,采用高性能陶瓷结合剂及“Dmix+”制程工艺,为第三代半导体材料加工提供高效的方案。

在精密光学元件制造领域,非球面微粉砂轮肩负着关键使命。其工作原理融合了先进的磨削理念与微观层面的材料去除机制。江苏优普纳科技有限公司的非球面微粉砂轮,以高精度磨粒为主“切削刃”。在对非球面镜片等光学元件加工时,砂轮高速旋转,微小且硬度极高的磨粒如同微观世界的“雕刻刀”,精确地与工件表面接触。由于非球面的曲面形状复杂,砂轮在数控系统的精确操控下,依据预设路径进行磨削。磨粒粒度呈精细且均匀分布,从粗粒度的磨粒初步去除较多材料,快速塑造非球面的大致轮廓,到细粒度磨粒对表面进行精微修整,逐步实现纳米级别的表面精度。在磨削过程中,结合剂发挥着稳定磨粒的关键作用,确保磨粒在合适的磨削力下工作。优普纳公司精心调配结合剂配方,使磨粒在保持稳固的同时,又能在磨损到一定程度后,及时从结合剂中脱落,让新的锋利磨粒暴露并参与磨削,这一自锐过程保证了砂轮在长时间加工中始终维持高效且稳定的磨削性能,为打造高精度非球面光学元件奠定坚实基础。通过持续的技术研发和工艺改进 优普纳碳化硅晶圆减薄砂轮在性能上不断突破 为国产半导体加工设备及耗材力量。适配砂轮性价比
优普纳砂轮的低损耗特性,不仅延长了产品的使用寿命,还减少加工过程中的材料浪费,为客户带来成本节约。第三代砂轮标准
衬底粗磨减薄砂轮的应用工序主要包括背面减薄和正面磨削的粗磨加工。在背面减薄过程中,砂轮需要与晶圆保持恒定的接触面积,以确保磨削力的稳定,避免晶圆出现破片或亚表面损伤。江苏优普纳科技有限公司的衬底粗磨减薄砂轮经过精心设计和制造,具有优异的端面跳动和外圆跳动控制,能够在高转速下保持稳定的磨削性能。此外,我们的砂轮还具有良好的散热性能,能够有效降低磨削过程中产生的热量,保护晶圆不受热损伤。欢迎您的随时致电咨询~第三代砂轮标准