山东掩模对准膜厚仪

铟锡氧化物与透明导电氧化物液晶显示器，有机发光二极管变异体，以及绝大多数平面显示器技术都依靠透明导电氧化物(TCO)来传输电流，并作每个发光元素的阳极。和任何薄膜工艺一样，了解组成显示器各层物质的厚度至关重要。对于液晶显示器而言，就需要有测量聚酰亚胺和液晶层厚度的方法，对有机发光二极管而言，则需要测量发光、电注入和封装层的厚度。在测量任何多个层次的时候，诸如光谱反射率和椭偏仪之类的光学技术需要测量或建模估算每一个层次的厚度和光学常数(反射率和k值)。不幸的是，使得氧化铟锡和其他透明导电氧化物在显示器有用的特性，同样使这些薄膜层难以测量和建模，从而使测量在它们之上的任何物质变得困难。Filmetrics的氧化铟锡解决方案Filmetrics已经开发出简便易行而经济有效的方法，利用光谱反射率精确测量氧化铟锡。将新型的氧化铟锡模式和F20-EXR,很宽的400-1700nm波长相结合，从而实现氧化铟锡可靠的“一键”分析。氧化铟锡层的特性一旦得到确定，剩余显示层分析的关键就解决了。厚度范围: 测量从 1nm 到 13mm 的厚度。 测量 70nm 到 10um 薄膜的折射率。山东掩模对准膜厚仪

F40系列将您的显微镜变成薄膜测量工具F40产品系列用于测量小到1微米的光斑。对大多数显微镜而言，F40能简单地固定在c型转接器上，这样的转接器是显微镜行业标准配件。F40配备的集成彩色摄像机，能够对测量点进行准确监控。在1秒钟之内就能测定厚度和折射率。像我们所有的台式仪器一样，F40需要连接到您装有Windows计算机的USB端口上并在数分钟内完成设定。F40：20nm-40µm400-850nmF40-EXR：20nm-120µm400-1700nmF40-NIR：40nm-120µm950-1700nmF40-UV：4nm-40µm190-1100nmF40-UVX：4nm-120µm190-1700nm碳化硅膜厚仪学校会用吗F50-NIR测厚范围：100nm-250µm；波长：950-1700nm。

F60系列包含的内容：集成平台/光谱仪/光源装置（不含平台）4",6"and200mm参考晶圆TS-SiO2-4-7200厚度标准真空泵备用灯型号厚度范围*波长范围F60-t:20nm-70µm380-1050nmF60-t-UV:5nm-40µm190-1100nmF60-t-NIR:100nm-250µm950-1700nmF60-t-EXR:20nm-250µm380-1700nmF60-t-UVX:5nm-250µm190-1700nmF60-t-XT0:2µm-450µm1440-1690nmF60-t-s980:4µm-1mm960-1000nmF60-t-s1310:7µm-2mm1280-1340nmF60-t-s1550:10µm-3mm1520-1580nm额外的好处：每台系统內建超过130种材料库,随着不同应用更超过数百种应用工程师可立刻提供帮助（周一-周五）网上的“手把手”支持(需要连接互联网)硬件升级计划

电介质成千上万的电解质薄膜被用于光学，半导体，以及其它数十个行业,而Filmetrics的仪器几乎可以测量所有的薄膜。测量范例氮化硅薄膜作为电介质，钝化层，或掩膜材料被广泛应用于半导体产业。这个案例中，我们用F20-UVX成功地测量了硅基底上氮化硅薄膜的厚度，折射率，和消光系数。有趣的事，氮化硅薄膜的光学性质与薄膜的分子当量紧密相关。使用Filmetrics专有的氮化硅扩散模型，F20-UVX可以很容易地测量氮化硅薄膜的厚度和光学性质，不管他们是富硅，贫硅，还是分子当量。以真空镀膜为设计目标，F10-RT 只要单击鼠标即可获得反射和透射光谱。

FSM413SPANDFSM413C2C红外干涉测量设备适用于所有可让红外线通过的材料：硅、蓝宝石、砷化镓、磷化铟、碳化硅、玻璃、石英、聚合物…………应用:衬底厚度(不受图案硅片、有胶带、凹凸或者粘合硅片影响)平整度厚度变化(TTV)沟槽深度过孔尺寸、深度、侧壁角度粗糙度薄膜厚度不同半导体材料的厚度环氧树脂厚度衬底翘曲度晶圆凸点高度(bumpheight)MEMS薄膜测量TSV深度、侧壁角度...FSM413SP半自动机台人工取放芯片Wafer厚度3D图形FSM413C2CFullyautomatic全自动机台人工取放芯片可适配Cassette、SMIFPOD、FOUP.可选的厚度和折射率模块让您能够充分利用 Filmetrics F10 的分析能力。碳化硅膜厚仪学校会用吗

F3-sX 系列测厚范围：10µm - 3mm；波长：960-1580nm。山东掩模对准膜厚仪

集成电路故障分析故障分析(FA)技术用来寻找并确定集成电路内的故障原因。故障分析中需要进行薄膜厚度测量的两种主要类型是正面去层(用于传统的面朝上的电路封装)和背面薄化(用于较新的覆晶技术正面朝下的电路封装)。正面去层正面去层的工艺需要了解电介质薄化后剩余电介质的厚度。背面故障分析背面故障分析需要在电路系统成像前移除大部分硅晶粒的厚度，并了解在每个薄化步骤后剩余的硅厚度是相当关键的。FilmetricsF3-sX是为了测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度而专门设计的系统。厚度从5微米到1000微米能够很容易的测量，另外可选配模组来延伸蕞小测量厚度至0.1微米，同时具有单点和多点测绘的版本可供选择。测量范例現在我們使用我們的F3-s1550系统测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度.具備特殊光學設計之F3-S1550利用比直徑更小於10μm的光斑尺寸得以測量拋光以及粗糙或不均勻表面的硅层厚度山东掩模对准膜厚仪