天津光刻机原理

EVG®610曝光源：汞光源/紫外线LED光源；楔形补偿全自动软件控制；晶圆直径（基板尺寸）高达100/150/200毫米；曝光设定：真空接触/硬接触/软接触/接近模式；曝光选项：间隔曝光/洪水曝光/扇区曝光；先进的对准功能：手动对准/原位对准验证手动交叉校正大间隙对准；EVG®610光刻机系统控制：操作系统：Windows文件共享和备份解决方案/无限制程序和参数多语言用户GUI和支持：CN，DE，FR，IT，JP，KR实时远程访问，诊断和故障排除使用的纳米压印光刻技术为“无紫外线”。EVG100系列光刻胶处理系统为光刻胶涂层和显影建立了质量和灵活性方面的新的标准。天津光刻机原理

EVG120特征2：先进且经过现场验证的机器人具有双末端执行器功能，可确保连续的高产量；工艺技术桌越和开发服务：多用户概念（无限数量的用户帐户和程序，可分配的访问权限，不同的用户界面语言）智能过程控制和数据分析功能[FrameworkSWPlatform]用于过程和机器控制的集成分析功能设备和过程性能根踪功能；并行/排队任务处理功能；智能处理功能；发生和警报分析；智能维护管理和根踪；技术数据：可用模块；旋涂/OmniSpray®/开发；烤/冷；晶圆处理选项：单/双EE/边缘处理/晶圆翻转；弯曲/翘曲/薄晶圆处理。EVG610光刻机化合物半导体应用EVG所有光刻设备平台均为300mm。

HERCULES光刻轨道系统技术数据：对准方式：上侧对准：≤±0.5µm；底侧对准：≤±1,0µm；红外校准：≤±2,0µm/具体取决于基材先进的对准功能：手动对准；自动对准；动态对准。对准偏移校正：自动交叉校正/手动交叉校正；大间隙对准。工业自动化功能：盒式磁带/SMIF/FOUP/SECS/GEM/薄，弯曲，翘曲，边缘晶圆处理曝光源：汞光源/紫外线LED光源曝光设定：真空接触/硬接触/软接触/接近模式/弯曲模式楔形补偿：全自动软件控制；非接触式曝光选项：间隔曝光/洪水曝光/扇区曝光系统控制操作系统：Windows文件共享和备份解决方案/无限制程序和参数多语言用户GUI和支持：CN，DE，FR，IT，JP，KR实时远程访问，诊断和故障排除

EVG®150特征2：先进且经过现场验证的机器人具有双末端执行器功能，可确保连续的高产量处理厚或超薄，易碎，弯曲或小直径的晶圆用于旋涂和喷涂，显影，烘烤和冷却的多功能模块的多功能组合为许多应用领域提供了巨大的机会EFEM（设备前端模块）和可选的FSS（FOUP存储系统）工艺技术桌越和开发服务：多用户概念（无限数量的用户帐户和程序，可分配的访问权限，不同的用户界面语言）智能过程控制和数据分析功能[FrameworkSWPlatform]用于过程和机器控制的集成分析功能设备和过程性能根踪功能并行/排队任务处理功能智能处理功能发生和警报分析智能维护管理和根踪EVG通过不断开发掩模对准器来为这些领域做出巨大的贡献，以提高**重要的光刻技术的水平。

EVG120光刻胶自动处理系统附加模块选项预对准：光学/机械ID读取器：条形码，字母数字，数据矩阵系统控制：操作系统：Windows文件共享和备份解决方案/无限制程序和参数/离线程序编辑器灵活的流程定义/易于拖放的程序编程并行处理多个作业/实时远程访问，诊断和故障排除多语言用户GUI和支持：CN，DE，FR，IT，JP，KR分配选项：各种光刻胶分配泵，可覆盖高达52000cP的粘度液体底漆/预湿/洗盘去除边缘珠（EBR）/背面冲洗（BSR）恒压分配系统/注射器分配系统电阻分配泵具有流量监控功能可编程分配速率/可编程体积/可编程回吸超音波HERCULES光刻机系统：全自动光刻跟/踪系统，模块化设计，用于掩模和曝光，集成了预处理和后处理能力。山西微流体光刻机

EVG在要求苛刻的应用中积累了多年的光刻胶旋涂和喷涂经验。天津光刻机原理

EVG®150--光刻胶自动处理系统EVG®150是全自动化光刻胶处理系统中提供高吞吐量的性能与在直径承晶片高达300毫米。EVG150设计为完全模块化的平台，可实现自动喷涂/旋转/显影过程和高通量性能。EVG150可确保涂层高度均匀并提高重复性。具有高形貌的晶片可以通过EVG的OmniSpray技术进行均匀涂覆，而传统的旋涂技术则受到限制。EVG®150特征：晶圆尺寸可达300毫米多达六个过程模块可自定义的数量-多达二十个烘烤/冷却/汽化堆多达四个FOUP装载端口或盒式磁带装载天津光刻机原理