半导体设备纳米压印供应商家

    NIL系统肖特增强现实负责人RuedigerSprengard博士表示：“将高折射率玻璃晶圆的制造扩展到300-mm，对于实现我们客户满足当今和未来**AR/MR设备不断增长的市场需求所需的规模经济产量来说至关重要。通过携手合作，EVG和肖特彰显了当今300-mm高折射率玻璃制造的设备和供应链的就绪性。”在此之前，使用光刻/纳米压印技术对具有光子学应用结构的玻璃基板进行图案成形***于200-mm基板。向300-mm晶圆加工的迁移是将AR/MR头戴显示设备推向大众消费和工业市场迈出的重要一步。不过，在这些较大的基板上保持高基板质量和工艺均匀性是很难控制的，需要先进的自动化和工艺控制能力。EVG的SmartNIL技术得益于多年的研究、开发和实验，旨在满足纳米图案成形的需求，经过了现场验证，能够轻松从晶圆级样品尺寸扩展到大面积基板。去年六月，EVG推出了HERCULES®NIL300mm，将SmartNIL引入300-mm制造，满足各种设备和应用的生产需求，其中包括AR、MR和虚拟现实（VR）头戴显示设备的光学器件以及3D传感器、生物医疗设备、纳米光子学和等离子电子学。集成到SmartNIL®UV-NIL系统的全模块化EVG®HERCULES®。EVG的纳米压印设备已使纳米图案能够在面板尺寸比较大为第三代（550 mm x 650 mm）的基板上实现。半导体设备纳米压印供应商家

SmartNIL是行业领仙的NIL技术，可对小于40nm*的极小特征进行图案化，并可以对各种结构尺寸和形状进行图案化。SmartNIL与多用途软戳技术相结合，可实现无人可比的吞吐量，并具有显着的拥有成本优势，同时保留了可扩展性和易于维护的操作。EVG的SmartNIL兑现了纳米压印的长期前景，即纳米压印是一种用于大规模制造微米级和纳米级结构的低成本，大批量替代光刻技术。注：*分辨率取决于过程和模板如果需要详细的信息，请联系我们岱美仪器技术服务有限公司。台积电纳米压印推荐型号EVG ® 520 HE是热压印系统。

EVG ® 520 HE热压印系统

特色：经通用生产验证的热压印系统，可满足比较高要求

EVG520 HE半自动热压印系统设计用于对热塑性基材进行高精度压印。EVG的这种经过生产验证的系统可以接受直径比较大为200 mm的基板，并且与标准的半导体制造技术兼容。热压印系统配置有通用压花腔室以及高真空和高接触力功能，并管理适用于热压印的整个聚合物范围。结合高纵横比压印和多种脱压选项，提供了许多用于高质量图案转印和纳米分辨率的工艺。

如果需要详细的信息，请联系我们岱美仪器技术服务有限公司。

IQ Aligner®：用于晶圆级透镜成型和堆叠的高精度UV压印系统

■用于光学元件的微成型应用

■用于全场纳米压印应用

■三个**控制的Z轴，用于控制压印光刻胶的总厚度变化（TTV），并在压模和基材之间实现出色的楔形补偿

■粘合对准和紫外线粘合功能

紫外线压印_紫外线固化

印章

防紫外线基材

附加印记压印纳米结构分离印记

用紫外线可固化的光刻胶旋涂或滴涂基材。随后，将压模压入光刻胶并在仍然接触的情况下通过UV光交联。

µ-接触印刷

软印章

基板上的材料

领取物料，物料转移，删除印章

EV Group 提供完整的UV 紫外光纳米压印光刻（UV-NIL）产品线。

UV纳米压印光刻系统

EVG®610/EVG®620NT /EVG®6200NT：具有紫外线纳米压印功能的通用掩模对准系统

■高精度对准台

■自动楔形误差补偿机制

■电动和程序控制的曝光间隙

■支持***的UV-LED技术

■**小化系统占地面积和设施要求

EVG®720/EVG®7200/EVG®7200LA：自动化的全场纳米压印解决方案，适用于第3代基材

■体积验证的压印技术，具有出色的复制保真度

■专有的SmartNIL®技术和多用途聚合物印章技术

■集成式压印，UV固化，脱模和工作印模制作

■盒带间自动处理以及半自动研发模式

■适用于所有市售压印材料的开放平台

EVG紫外光纳米压印系统有： EVG®610，EVG®620NT，EVG®6200NT，EVG®720，EVG®7200等。碳化硅纳米压印有哪些品牌

EVG770是用于步进重复纳米压印光刻的通用平台，可用于进行母版制作或对基板上的复杂结构进行直接图案化。半导体设备纳米压印供应商家

纳米压印光刻设备-处理结果：

新应用程序的开发通常与设备功能的提高紧密相关。 EVG的NIL解决方案能够产生具有纳米分辨率的多种不同尺寸和形状的图案，并在显示器，生物技术和光子应用中实现了许多新的创新。HRI SmartNIL®压印上的单个像素的1.AFM图像压印全息结构的AFM图像

资料来源：EVG与SwissLitho

AG合作（欧盟项目SNM）

2.通过热压花在PMMA中复制微流控芯片

资料来源：EVG

3.高纵横比（7：1）的10 µm柱阵列

由加拿大国家研究委 员会提供

4.L / S光栅具有优化的残留层，厚度约为10 nm

资料来源：EVG

5.紫外线成型镜片300 µm

资料来源：EVG

6.光子晶体用于LED的光提取

多晶硅的蜂窝织构化（mc-Si）

由Fraunhofer ISE提供

7.金字塔形结构50 µm

资料来源：EVG

8.**小尺寸的光模块晶圆级封装

资料来源：EVG

9.光子带隙传感器光栅

资料来源：EVG（欧盟Saphely项目）

10.在强光照射下对HRISmartNIL®烙印进行完整的晶圆照相

资料来源：EVG 半导体设备纳米压印供应商家