电介质成千上万的电解质薄膜被用于光学,半导体,以及其它数十个行业, 而Filmetrics的仪器几乎可以测量所有的薄膜。常见的电介质有:二氧化硅 – ZUI简单的材料之一, 主要是因为它在大部分光谱上的无吸收性 (k=0), 而且非常接近化学计量 (就是说,硅:氧非常接近 1:2)。 受热生长的二氧化硅对光谱反应规范,通常被用来做厚度和折射率标准。 Filmetrics能测量3nm到1mm的二氧化硅厚度。氮化硅 – 对此薄膜的测量比很多电介质困难,因为硅:氮比率通常不是3:4, 而且折射率一般要与薄膜厚度同时测量。 更麻烦的是,氧常常渗入薄膜,生成一定程度的氮氧化硅,增大测量难度。 但是幸运的是,我们的系统能在几秒钟内 “一键” 测量氮化硅薄膜完整特征!不同的 F50 仪器是根据波长范围来加以区分的。ITO导电膜膜厚仪样品测试

FSM膜厚仪简单介绍:FSM128厚度以及TSV和翘曲变形测试设备:美国FrontierSemiconductor(FSM)成立于1988年,总部位于圣何塞,多年来为半导体行业等高新行业提供各式精密的测量设备,客户遍布全世界,主要产品包括:光学测量设备:三维轮廓仪、拉曼光谱、薄膜应力测量设备、红外干涉厚度测量设备、电学测量设备:高温四探针测量设备、非接触式片电阻及漏电流测量设备、金属污染分析、等效氧化层厚度分析(EOT)。请访问我们的中文官网了解更多的信息。官方授权经销商膜厚仪合理价格测量SU-8 其它厚光刻胶的厚度有特别重要的应用。

F54包含的内容:集成光谱仪/光源装置MA-Cmount安装转接器显微镜转接器光纤连接线BK7参考材料TS-Focus-SiO2-4-10000厚度标准聚焦/厚度标准4",6"and200mm参考晶圆真空泵备用灯型号厚度范围*波长范围F54:20nm-40µm380-850nmF54-UV:4nm-30µm190-1100nmF54-NIR:40nm-100µm950-1700nmF54-EXR:20nm-100µm380-1700nmF54-UVX:4nm-100µm190-1700nm*取决于材料与显微镜额外的好处:每台系统內建超过130种材料库,随着不同应用更超过数百种应用工程师可立刻提供帮助(周一-周五)网上的“手把手”支持(需要连接互联网)硬件升级计划
滤光片整平光谱响应。ND#0.5衰减整平滤波器.單倍整平滤波器用于改善可見光光譜均勻度+ND#0.5衰减整平滤波器.ND#1衰减整平滤波器.單倍整平滤波器用于改善可見光光譜均勻度+ND#1衰减整平滤波器.ND#2衰减整平滤波器.單倍整平滤波器用于改善可見光光譜均勻度+ND#2衰减整平滤波器.420nm高通滤波器.420nm高通滤波器於滤波器架.515nm高通滤波器.515nm高通滤波器於滤波器架.520nm高通滤波器+ND1.520nm高通滤波器+ND#1十倍衰减整平滤波器.520nm高通滤波器+ND#2520nm高通滤波器+ND#2一百倍衰减整平滤波器.550nm高通滤波器550nm高通滤波器於滤波器架.厚度范围: 测量从 1nm 到 13mm 的厚度。 测量 70nm 到 10um 薄膜的折射率。

更可加装至三个探头,同时测量三个样品,具紫外线区或标准波长可供选择。F40:這型號安裝在任何顯微鏡外,可提供*小5um光點(100倍放大倍數)來測量微小樣品。F50:這型號配備全自動XY工作台,由8"x8"到18"x18"或客戶提供所需尺寸均可。通过快速扫瞄功能,可取得整片样品厚度分布情况(mapping)。F70:瑾通过在F20基本平台上增加镜头,使用Filmetrics*新的颜色编码厚度测量法(CTM),把设备的测量范围极大的拓展至。F10-RT:在F20实现反射率跟穿透率的同时测量,特殊光源设计特别适用于透明基底样品的测量。PARTS:在垂直入射光源基础上增加70º光源,特别适用于超薄膜层厚度和n、k值测量。**膜厚测量仪系统F20使用F20**分光计系统可以简便快速的测量厚度和光学参数(n和k)。您可以在几秒钟内通过薄膜上下面的反射比的频谱分析得到厚度、折射率和消光系数。任何具备基本电脑技术的人都能在几分钟内将整个桌面系统组装起来。F20包括所有测量需要的部件:分光计、光源、光纤导线、镜头集和和Windows下运行的软件。您需要的只是接上您的电脑。膜层实例几乎任何光滑、半透明、低吸收的膜都能测。包括:sio2(二氧化硅)sinx(氮化硅)dlc(类金刚石碳)photoresist。红外干涉测量技术,非接触式测量。白光干涉膜厚仪样品测试
基板材料: 如果薄膜位于粗糙基板 (大多数金属) 上的话,一般不能测量薄膜的折射率。ITO导电膜膜厚仪样品测试
FSM413MOT红外干涉测量设备:适用于所有可让红外线通过的材料:硅、蓝宝石、砷化镓、磷化铟、碳化硅、玻璃、石英、聚合物…………应用:衬底厚度(不受图案硅片、有胶带、凹凸或者粘合硅片影响)平整度厚度变化(TTV)沟槽深度过孔尺寸、深度、侧壁角度粗糙度薄膜厚度不同半导体材料的厚度环氧树脂厚度衬底翘曲度晶圆凸点高度(bumpheight)MEMS薄膜测量TSV深度、侧壁角度...如果您想了解更多关于FSM膜厚仪的技术问题,请联系我们岱美仪器。ITO导电膜膜厚仪样品测试