中科院膜厚仪研发生产

FSM413SPANDFSM413C2C红外干涉测量设备适用于所有可让红外线通过的材料：硅、蓝宝石、砷化镓、磷化铟、碳化硅、玻璃、石英、聚合物…………应用:衬底厚度(不受图案硅片、有胶带、凹凸或者粘合硅片影响)平整度厚度变化(TTV)沟槽深度过孔尺寸、深度、侧壁角度粗糙度薄膜厚度不同半导体材料的厚度环氧树脂厚度衬底翘曲度晶圆凸点高度(bumpheight)MEMS薄膜测量TSV深度、侧壁角度...FSM413SP半自动机台人工取放芯片Wafer厚度3D图形FSM413C2CFullyautomatic全自动机台人工取放芯片可适配Cassette、SMIFPOD、FOUP.重复性: 0.1 μm (1 sigma)单探头* ；0.8 μm (1 sigma)双探头*。中科院膜厚仪研发生产

集成电路故障分析故障分析(FA)技术用来寻找并确定集成电路内的故障原因。故障分析中需要进行薄膜厚度测量的两种主要类型是正面去层(用于传统的面朝上的电路封装)和背面薄化(用于较新的覆晶技术正面朝下的电路封装)。正面去层正面去层的工艺需要了解电介质薄化后剩余电介质的厚度。背面故障分析背面故障分析需要在电路系统成像前移除大部分硅晶粒的厚度，并了解在每个薄化步骤后剩余的硅厚度是相当关键的。FilmetricsF3-sX是为了测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度而专门设计的系统。厚度从5微米到1000微米能够很容易的测量，另外可选配模组来延伸蕞小测量厚度至0.1微米，同时具有单点和多点测绘的版本可供选择。测量范例現在我們使用我們的F3-s1550系统测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度.具备特殊光學設計之F3-S1550利用比直徑更小於10μm的光斑尺寸得以測量拋光以及粗糙或不均勻表面的硅层厚度中科院膜厚仪研发生产FSM拉曼的应用：局部应力； 局部化学成分；局部损伤。

F10-HC轻而易举而且经济有效地分析单层和多层硬涂层F10-HC以FilmetricsF20平台为基础，根据光谱反射数据分析快速提供薄膜测量结果。F10-HC先进的模拟算法是为测量聚碳酸酯和其它单层和多层硬涂层(例如，底涂/硬涂层)专门设计的。全世界共有数百台F10-HC仪器在工作，几乎所有主要汽车硬涂层公司都在使用它们。像我们所有的台式仪器一样，F10-HC可以连接到您装有Windows计算机的USB端口并在几分钟内完成设定。包含的内容：集成光谱仪/光源装置FILMeasure8软件FILMeasure读立软件(用于远程数据分析)CP-1-1.3探头BK7参考材料TS-Hardcoat-4um厚度标准备用灯额外的好处：应用工程师可立刻提供帮助（周一-周五）网上的“手把手”支持(需要连接互联网)硬件升级计划。

F60系列生产环境的自动测绘FilmetricsF60-t系列就像我们的F50产品一样测绘薄膜厚度和折射率，但它增加了许多用于生产环境的功能。这些功能包括凹槽自动检测、自动基准确定、全封闭测量平台、预装软件的工业计算机，以及升级到全自動化晶圆传输的机型。不同的F60-t仪器根据波长范围加以区分。较短的波长(例如，F60-t-UV)一般用于测量较薄的薄膜，而较长的波长则可以用来测量更厚、更不平整以及更不透明的薄膜。包含的内容：集成平台/光谱仪/光源装置（不含平台）4",6"and200mm参考晶圆TS-SiO2-4-7200厚度标准真空泵备用灯基本上所有光滑的、半透明的或低吸收系数的薄膜都可以测量。

更可加装至三个探头，同时测量三个样品，具紫外线区或标准波长可供选择。F40:這型號安裝在任何顯微鏡外，可提供*小5um光點(100倍放大倍數)來測量微小樣品。F50:這型號配備全自動XY工作台，由8"x8"到18"x18"或客戶提供所需尺寸均可。通过快速扫瞄功能，可取得整片样品厚度分布情况(mapping)。F70:瑾通过在F20基本平台上增加镜头，使用Filmetrics*新的颜色编码厚度测量法（CTM），把设备的测量范围极大的拓展至。F10-RT：在F20实现反射率跟穿透率的同时测量，特殊光源设计特别适用于透明基底样品的测量。PARTS：在垂直入射光源基础上增加70º光源，特别适用于超薄膜层厚度和n、k值测量。**膜厚测量仪系统F20使用F20**分光计系统可以简便快速的测量厚度和光学参数（n和k）。您可以在几秒钟内通过薄膜上下面的反射比的频谱分析得到厚度、折射率和消光系数。任何具备基本电脑技术的人都能在几分钟内将整个桌面系统组装起来。F20包括所有测量需要的部件：分光计、光源、光纤导线、镜头集和和Windows下运行的软件。您需要的只是接上您的电脑。膜层实例几乎任何光滑、半透明、低吸收的膜都能测。包括：sio2（二氧化硅）sinx（氮化硅）dlc（类金刚石碳）photoresist。F30-UV测厚范围：3nm-40µm；波长：190-1100nm。中科院膜厚仪研发生产

测量厚度: 15 — 780 μm (单探头) ； 3 mm (双探头总厚度测量)。中科院膜厚仪研发生产

    铟锡氧化物与透明导电氧化物液晶显示器，有机发光二极管变异体，以及绝大多数平面显示器技术都依靠透明导电氧化物(TCO)来传输电流，并作每个发光元素的阳极。和任何薄膜工艺一样，了解组成显示器各层物质的厚度至关重要。对于液晶显示器而言，就需要有测量聚酰亚胺和液晶层厚度的方法，对有机发光二极管而言，则需要测量发光、电注入和封装层的厚度。在测量任何多个层次的时候，诸如光谱反射率和椭偏仪之类的光学技术需要测量或建模估算每一个层次的厚度和光学常数(反射率和k值)。不幸的是，使得氧化铟锡和其他透明导电氧化物在显示器有用的特性，同样使这些薄膜层难以测量和建模，从而使测量在它们之上的任何物质变得困难。Filmetrics的氧化铟锡解决方案Filmetrics已经开发出简便易行而经济有效的方法，利用光谱反射率精确测量氧化铟锡。将新型的氧化铟锡模式和F20-EXR,很宽的400-1700nm波长相结合，从而实现氧化铟锡可靠的“一键”分析。氧化铟锡层的特性一旦得到确定，剩余显示层分析的关键就解决了。 中科院膜厚仪研发生产