薄膜测厚仪膜厚仪合理价格

F60系列生产环境的自动测绘FilmetricsF60-t系列就像我们的F50产品一样测绘薄膜厚度和折射率，但它增加了许多用于生产环境的功能。这些功能包括凹槽自动检测、自动基准确定、全封闭测量平台、预装软件的工业计算机，以及升级到全自動化晶圆传输的机型。不同的F60-t仪器根据波长范围加以区分。较短的波长(例如，F60-t-UV)一般用于测量较薄的薄膜，而较长的波长则可以用来测量更厚、更不平整以及更不透明的薄膜。包含的内容：集成平台/光谱仪/光源装置（不含平台）4",6"and200mm参考晶圆TS-SiO2-4-7200厚度标准真空泵备用灯以真空镀膜为设计目标，F10-RT 只要单击鼠标即可获得反射和透射光谱。薄膜测厚仪膜厚仪合理价格

硬涂层厚度测量Filmetrics系统在汽车和航空工业得到广泛应用，用于测量硬涂层和其他保护性薄膜的厚度。F10-HC是为弯曲表面和多层薄膜(例如，底涂/硬涂层)而专门设计的。汽车前灯在汽车前灯组件的制造中需要进行多点测量，因为涂层厚度对于品质至关重要。外侧硬涂层和聚碳酸酯镜头内侧的防雾层以及反射器上的涂层的厚度都是很重要的。这些用途中的每一项是特殊的挑战，而Filmetrics已经开发出软件、硬件和应用知识以便为用户提供正确的解决方案。测量范例带HC选项的F10-AR收集测量厚度的反射率信息。这款仪器采用光学接触探头，它的设计降低了背面反射。接触探头安置在亚克力表明。FILMeature软件自动分析收集的光谱信息，给出涂层厚度。在这个例子中，亚克力板上还有一层与硬涂层折射率非常近似的底漆。盒厚测量膜厚仪优惠价格F30 系列是监控薄膜沉积，蕞强有力的工具。

F50系列包含的内容：集成光谱仪/光源装置光纤电缆4",6"and200mm参考晶圆TS-SiO2-4-7200厚度标准BK7参考材料整平滤波器(用于高反射基板)真空泵备用灯型号厚度范围*波长范围F50：20nm-70µm380-1050nmF50-UV：5nm-40µm190-1100nmF50-NIR：100nm-250µm950-1700nmF50-EXR：20nm-250µm380-1700nmF50-UVX：5nm-250µm190-1700nmF50-XT：0.2µm-450µm1440-1690nmF50-s980：4µm-1mm960-1000nmF50-s1310：7µm-2mm1280-1340nmF50-s1550：10µm-3mm1520-1580nm额外的好处：每台系统內建超过130种材料库,随着不同应用更超过数百种应用工程师可立刻提供帮助（周一-周五）网上的“手把手”支持(需要连接互联网)硬件升级计划

技术介绍：红外干涉测量技术,非接触式测量。采用Michaelson干涉方法，红外波段的激光能更好的穿透被测物体，准确的得到测试结果。产品简介：FSM413EC红外干涉测量设备适用于所有可让红外线通过的材料：硅、蓝宝石、砷化镓、磷化铟、碳化硅、玻璃、石英、聚合物…………应用:衬底厚度(不受图案硅片、有胶带、凹凸或者粘合硅片影响)平整度沟槽深度过孔尺寸、深度、侧壁角度粗糙度薄膜厚度硅片厚度环氧树脂厚度衬底翘曲度晶圆凸点高度(bumpheight)MEMS薄膜测量TSV深度、侧壁角度...可测量的层数: 通常能够测量薄膜堆内的三层独力薄膜。 在某些情况下，能够测量到十几层。

接触探头测量弯曲和难测的表面CP-1-1.3测量平面或球形样品，结实耐用的不锈钢单线圈。CP-1-AR-1.3可以抑制背面反射，对1.5mm厚的基板可抑制96%。钢制单线圈外加PVC涂层，蕞大可测厚度15um。CP-2-1.3用于探入更小的凹表面，直径17.5mm。CP-C6-1.3探测直径小至6mm的圆柱形和球形样品外侧。CP-C12-1.3用于直径小至12mm圆柱形和球形样品外侧。CP-C26-1.3用于直径小至26mm圆柱形和球形样品外侧。CP-BendingRod-L350-2弯曲长度300mm，总长度350mm的接触探头。用于难以到达的区域，但不会自动对准表面。CP-ID-0to90Deg-2用于食品和饮料罐头内壁的接触探头。CP-RA-3mmDia-200mmL-2直径蕞小的接触探头，配备微型直角反射镜，用来测量小至直径3mm管子的内壁，不能自动对准表面。CP-RA-10mmHigh-2配备微型直角反射镜，可以在相隔10mm的两个平坦表面之间进行测量。F3-sX系列使用近红外光来测量薄膜厚度，即使有许多肉眼看来不透光(例如半导体)。聚对二甲苯膜厚仪技术支持

应用：衬底厚度(不受图案硅片、有胶带、凹凸或者粘合硅片影响)，平整度。薄膜测厚仪膜厚仪合理价格

集成电路故障分析故障分析(FA)技术用来寻找并确定集成电路内的故障原因。故障分析中需要进行薄膜厚度测量的两种主要类型是正面去层(用于传统的面朝上的电路封装)和背面薄化(用于较新的覆晶技术正面朝下的电路封装)。正面去层正面去层的工艺需要了解电介质薄化后剩余电介质的厚度。背面故障分析背面故障分析需要在电路系统成像前移除大部分硅晶粒的厚度，并了解在每个薄化步骤后剩余的硅厚度是相当关键的。FilmetricsF3-sX是为了测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度而专门设计的系统。厚度从5微米到1000微米能够很容易的测量，另外可选配模组来延伸蕞小测量厚度至0.1微米，同时具有单点和多点测绘的版本可供选择。测量范例現在我們使用我們的F3-s1550系统测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度.具備特殊光學設計之F3-S1550利用比直徑更小於10μm的光斑尺寸得以測量拋光以及粗糙或不均勻表面的硅层厚度薄膜测厚仪膜厚仪合理价格