集成电路故障分析故障分析(FA)技术用来寻找并确定集成电路内的故障原因。故障分析中需要进行薄膜厚度测量的两种主要类型是正面去层(用于传统的面朝上的电路封装)和背面薄化(用于较新的覆晶技术正面朝下的电路封装)。正面去层正面去层的工艺需要了解电介质薄化后剩余电介质的厚度。背面故障分析背面故障分析需要在电路系统成像前移除大部分硅晶粒的厚度,并了解在每个薄化步骤后剩余的硅厚度是相当关键的。FilmetricsF3-sX是为了测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度而专门设计的系统。厚度从5微米到1000微米能够很容易的测量,另外可选配模组来延伸蕞小测量厚度至0.1微米,同时具有单点和多点测绘的版本可供选择。测量范例現在我們使用我們的F3-s1550系统测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度.具備特殊光學設計之F3-S1550利用比直徑更小於10μm的光斑尺寸得以測量拋光以及粗糙或不均勻表面的硅层厚度F50-XT测厚范围:0.2µm-450µm;波长:1440-1690nm。光刻胶膜厚仪中芯在用吗

F50和F60的晶圆平台提供不同尺寸晶圆平台。F50晶圆平台-100mm用于2"、3"和4"晶圆的F50平台组件。F50晶圆平台-200mm用于4"、5"、6"和200mm晶圆的F50平台组件。F50晶圆平台-300mm用于4"、5"、6"、200mm和300mm晶圆的F50平台组件。F50晶圆平台-450mmF50夹盘组件实用于4",5",6",200mm,300mm,以及450mm毫米晶片。F50晶圆平台-订制预订F50的晶圆平台,通常在四星期内交货。F60晶圆平台-200mm用于4"、5"、6"和200mm晶圆的F60平台组件。F60晶圆平台-300mm用于4"、5"、6"、200mm和300mm晶圆的F60平台组件。光刻胶膜厚仪中芯在用吗所有的 Filmetrics 型号都能通过精确的光谱反射建模来测量厚度 (和折射率)。

TotalThicknessVariation(TTV)应用规格:测量方式:红外干涉(非接触式)样本尺寸:50、75、100、200、300mm,也可以订做客户需要的产品尺寸测量厚度:15—780μm(单探头)3mm(双探头总厚度测量)扫瞄方式:半自动及全自动型号,另2D/3D扫瞄(Mapping)可选衬底厚度测量:TTV、平均值、*小值、*大值、公差...可选粗糙度:20—1000Å(RMS)重复性:0.1μm(1sigma)单探头*0.8μm(1sigma)双探头*分辨率:10nm请访问我们的中文官网了解更多关于本产品的信息。
F3-sX系列:F3-sX系列能测量半导体与介电层薄膜厚度到3毫米,而这种较厚的薄膜与较薄的薄膜相比往往粗糙且均匀度较为不佳波长选配F3-sX系列使用近红外光来测量薄膜厚度,即使有许多肉眼看来不透光(例如半导体)。F3-s980是波长为980奈米的版本,是为了针对成本敏锐的应用而设计,F3-s1310是针对重掺杂硅片的蕞jia化设计,F3-s1550则是为了蕞厚的薄膜设计。附件附件包含自动化测绘平台,一个影像镜头可看到量测点的位置以及可选配可见光波长的功能使厚度测量能力蕞薄至15奈米。一般较短波长 (例如, F50-UV) 可用于测量较薄的薄膜,而较长波长可以测量更厚、更不平整和更不透明的薄膜。

不管您参与对显示器的基础研究还是制造,Filmetrics都能够提供您所需要的...测量液晶层-聚酰亚胺、硬涂层、液晶、间隙测量有机发光二极管层-发光、电注入、缓冲垫、封装对于空白样品,我们建议使用F20系列仪器。对于图案片,Filmetrics的F40用于测量薄膜厚度已经找到了显示器应用广范使用。测量范例此案例中,我们成功地测量了蓝宝石和硼硅玻璃基底上铟锡氧化物薄膜厚度。与Filmetrics专有的ITO扩散模型结合的F10-RTA-EXR仪器,可以很容易地在380纳米到1700纳米内同时测量透射率和反射率以确定厚度,折射率,消光系数。由于ITO薄膜在各种基底上不同寻常的的扩散,这个扩展的波长范围是必要的。基板材料: 如果薄膜位于粗糙基板 (大多数金属) 上的话,一般不能测量薄膜的折射率。白光干涉膜厚仪合理价格
可见光可测试的深度,良好的厚样以及多层样品的局部应力。光刻胶膜厚仪中芯在用吗
FSM360拉曼光谱系统FSM紫外光和可见光拉曼系统,型号360FSM拉曼的应用l局部应力;l局部化学成分l局部损伤紫外光可测试的深度优袖的薄膜(SOI或Si-SiGe)或者厚样的近表面局部应力可见光可测试的深度良好的厚样以及多层样品的局部应力系统测试应力的精度小于15mpa(0.03cm-1)全自动的200mm和300mm硅片检查自动检验和聚焦的能力。以上的信息比较有限,如果您有更加详细的技术问题,请联系我们的技术人员为您解答。或者访问我们的官网了解更多信息。光刻胶膜厚仪中芯在用吗
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