精细控温方面，纳米材料制备对升温速率要求严苛（如 0.5-2℃/min），石墨加热器搭配 PID 温控系统，可实现缓慢升温，避免因升温过快导致纳米颗粒团聚，某高校制备纳米 ZnO 薄膜时，使用石墨加热...

石墨加热器的安装与维护设计以便捷性、低成本为**，通过模块化结构、简化安装流程及低维护需求，大幅降低设备使用成本。安装方面，采用模块化设计，各加热单元**封装，重量≤20kg（小型）、50kg（中型）...

精细控温方面，纳米材料制备对升温速率要求严苛（如 0.5-2℃/min），石墨加热器搭配 PID 温控系统，可实现缓慢升温，避免因升温过快导致纳米颗粒团聚，某高校制备纳米 ZnO 薄膜时，使用石墨加热...

石墨列管冷却器 - 耐氧化型针对强氧化性介质设计，石墨管材经特殊浸渍处理，耐硝酸、双氧水等强氧化性介质腐蚀，传热面积 28㎡，设计压力 1.0MPa，温度 0~180℃。立式结构搭配单壳程设计，流体流...

在半导体行业单晶硅生长工艺中，石墨加热器承担着温场调控的关键角色，直接影响单晶硅的纯度与晶向一致性。当前主流的 12 英寸单晶硅直拉炉中，配套的环形石墨加热器直径可达 1.5 米，采用分段式加热设计，...

石墨列管冷凝冷却器 - 30㎡为化工精馏工艺定制，不透性石墨管材搭配卧式安装，传热面积 30㎡，设计压力 1.0MPa，温度 - 5~200℃。管程走工艺介质、壳程走冷却介质，先冷凝后冷却的复合功能满...

半导体外延片生长工艺对温度的精细控制要求***，石墨加热器凭借先进的温控技术与优异的热稳定性，成为外延设备的**组件。在硅外延生长中，外延层的厚度均匀性、结晶质量与温度密切相关，需将温度波动控制在 ±...

硬质合金烧结是将 WC-Co 等粉末压制成型后，在高温下烧结成致密硬质合金的工艺，石墨加热器凭借精细稳定的高温环境，成为该领域的**设备。在硬质合金刀具烧结中，需在 1300-1500℃高温、真空环境...

金属粉末冶金烧结是将金属粉末压制成型后，在高温下烧结成致密件的工艺，石墨加热器凭借均匀稳定的高温环境，成为该领域的**加热设备。在铁基粉末冶金件（如汽车齿轮、轴承）烧结中，需在 1100-1300℃高...

塑料薄膜拉伸定型工艺旨在提升薄膜的力学性能与尺寸稳定性，石墨加热器凭借高效均匀的加热方式，成为该领域的理想设备。在双向拉伸聚丙烯（BOPP）薄膜生产中，需将薄膜在 120-160℃温度下进行纵向拉伸与...

温度适配：宽温域运行稳定性设备具备宽温域运行能力，适用温度范围为 - 20℃至 150℃，在低温工况下（如 - 10℃处理含湿废气），石墨材质无脆裂风险；在高温工况下（如 120℃处理有机酸性废气），...

导流结构：气液分离与流动均匀性优化设备的导流结构设计兼顾气液分离与流动均匀性，在吸收段顶部设置气体均流板，使气体均匀分布至各流道，避免偏流导致的局部吸收效率下降；在吸收段底部设置折流板式气液分离器，通...