巴斯曼熔断器技术与性能优势 1.选择性好:上下级熔断器的熔断体额定电流只要符合国标和 IEC 标准规定的过电流选择比为 1.6:1 的要求,即上级熔断体额定电流不小于下级的该值的 1.6 倍,就视...
双向晶闸管的并联与串联应用技术 在高电压、大电流应用场景中,需将多个双向晶闸管并联或串联使用。并联应用时,主要问题是电流不均衡。由于各器件的伏安特性差异,可能导致部分器件过载。解决方法包括:1)选...
熔体是熔断器的重要部件,通常由低熔点、高电阻率的金属材料制成,如铅、锡、锌及其合金等。这些材料的特性决定了在正常电流通过时,熔体能够稳定工作,不会出现熔断现象;而当电流异常增大时,熔体能够迅速发热并熔...
晶闸管模块的基本结构与工作原理 晶闸管模块是一种集成了晶闸管芯片、驱动电路、散热基板及保护元件的功率电子器件,其重要部分通常由多个晶闸管(如SCR或TRIAC)通过特定拓扑(如半桥、全桥)组合而成...
晶闸管的电力开关控制作用和电流调节和变流作用 晶闸管是一种重要的电力控制器件,它在电子和电力领域中发挥着关键的作用。其主要功能是控制电流流动,实现电力的开关和调节。 (1)电力开关控制 晶闸管可以...
晶闸管的结构 晶闸管是一种四层半导体器件,其结构由多个半导体材料层交替排列而成。它的**结构是PNPN四层结构,由两个P型半导体层和两个N型半导体层组成。 以下是晶闸管的结构分解: N型区域(N-...
晶闸管与 IGBT 的技术对比与应用场景分析 晶闸管和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是电力电子领域的两大**器件,各自具有独特的性能优势和适用场景。 应用场景上,晶闸管在传统高功率领域占据主导地位...
单向晶闸管与其他功率器件的性能比较 单向晶闸管与其他功率器件如 IGBT、MOSFET 等相比,具有不同的性能特点和适用场景。单向晶闸管的优点是耐压高、电流容量大、成本低,适用于高电压、大电...
双向晶闸管的并联与串联应用技术 在高电压、大电流应用场景中,需将多个双向晶闸管并联或串联使用。并联应用时,主要问题是电流不均衡。由于各器件的伏安特性差异,可能导致部分器件过载。解决方法包括:1)选...
双向晶闸管与单向晶闸管的性能对比分析 双向晶闸管与单向晶闸管在结构、性能和应用场景上存在***差异。结构上,双向晶闸管是五层三端器件,可双向导通;单向晶闸管是四层三端器件,*能单向导通。性能方面,...
单向晶闸管(SCR)与可控硅的关系 晶闸管根据结构与特性分类,可分为单向晶闸管、双向晶闸管。单向晶闸管(SCR)是**基础的晶闸管类型,早期被称为“可控硅”。它*允许电流从阳极流向阴极,适用...
英飞凌PrimePACK™系列二极管模块专为大功率工业应用设计,如电机驱动、变频器和重型机械。该模块采用创新的弹簧接触技术,有效降低接触电阻(0.2mΩ),支持高达1400A的持续工作电流。其Pres...
快恢复二极管模块的开关机理 快恢复二极管(FRD)模块的逆向恢复特性(trr<100ns)源于芯片的少子寿命控制技术。通过电子辐照或铂掺杂,将PN结少数载流子寿命从μs级缩短至ns级。以1200V...
晶闸管的基本概念 晶闸管(Thyristor)是一种大功率半导体开关器件,广泛应用于电力电子领域。它由PNPN四层半导体结构组成,具有三个电极:阳极(A)、阴极(K)和门极(G)。晶闸管的**特性...
二极管模块在通信电源中的冗余备份 数据中心和5G基站的48V通信电源系统采用二极管模块构建冗余电路(如ORing架构)。当主电源故障时,模块自动切换至备用电源,确保零中断供电。肖特基二极管模块因其...
晶闸管的主要分类及其应用领域 晶闸管家族成员众多,根据结构和功能可分为普通晶闸管(SCR)、双向晶闸管(TRIAC)、门极可关断晶闸管(GTO)、光控晶闸管(LTT)等。 1.普通晶闸管(SCR)...
二极管模块的电气绝缘原理 二极管模块的绝缘性能依赖于封装内部的介质层设计。在高压模块(如1700V SiC二极管模块)中,氧化铝(Al₂O₃)或氮化硅(Si₃N₄)陶瓷基板作为绝缘层,其介电强度可...
可控硅的主要参数有: 1、 额定通态平均电流IT 在一定条件下,阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。 2、 正向阻断峰值电压VPF 在控制极开路未加触发信号,阳极正向电压还...
单向晶闸管的制造工艺详解 单向晶闸管的制造依赖于半导体平面工艺,主要材料是高纯度单晶硅。其制造流程包括外延生长、光刻、扩散、离子注入等多个精密步骤。首先,在N型硅衬底上生长P型外延层,形成P-N结...
晶闸管的工作原理与基本特性 晶闸管(Thyristor)是一种具有四层PNPN结构的半导体功率器件,由三个PN结组成,包含阳极(A)、阴极(K)和门极(G)三个端子。其工作原理基于PN结的正向偏置...
晶闸管特点 可控硅(Silicon Controlled Rectifier,简称SCR),是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件,亦称为晶闸管。具有体积小、结构...
单向晶闸管的触发电路设计 单向晶闸管的触发电路需要为门极提供合适的触发脉冲,以确保器件可靠导通。触发电路主要有阻容触发、单结晶体管触发、集成触发电路等类型。阻容触发电路结构简单,成本低,它利用电容...
稳压管是一种特殊的面接触型半导体硅二极管,具有稳定电压的作用。稳压管与普通二极管的主要区别在于,稳压管是工作在PN结的反向击穿状态。通过在制造过程中的工艺措施和使用时限制反向电流的大小,能保证稳压管在...
光伏熔断器(Photovoltaic Fuse)是专为太阳能光伏发电系统设计的一种过电流保护器件,用于在电路中出现短路或异常过电流时快速切断故障回路,保护光伏组件、电缆、逆变器及其他设备免受损坏。以下...
单向晶闸管与其他功率器件的性能比较 单向晶闸管与其他功率器件如 IGBT、MOSFET 等相比,具有不同的性能特点和适用场景。单向晶闸管的优点是耐压高、电流容量大、成本低,适用于高电压、大电...
西门康SEMiX系列**了功率二极管模块的技术***,其创新性的三明治结构将热阻降至0.12K/W。以SEMiX453GD12E4为例,该1200V/450A模块采用纳米银烧结技术,功率循环能力达50...
由于在双向可控硅的主电极上,无论加以正向电压或是反向电压,也不管触发信号是正向还是反向,它都能被触发导通,因此它有以下四种触发方式:(1)当主电极T2对Tl所加的电压为正向电压,控制极G对***电极T...
晶闸管的结构原件 可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件,共有三个PN结,分析原理时,可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成。双向可控硅:双向可控硅是一种硅可控整流器件,也称作双向晶闸管...
晶闸管的过压保护、过流保护 晶闸管在实际应用中面临过压、过流、di/dt和dv/dt等应力,必须设计完善的保护电路以确保其安全可靠运行。 过压保护通常采用RC吸收电路和压敏电阻(MOV)。RC吸收...
晶闸管的基本概念 晶闸管(Thyristor)是一种大功率半导体开关器件,广泛应用于电力电子领域。它由PNPN四层半导体结构组成,具有三个电极:阳极(A)、阴极(K)和门极(G)。晶闸管的**特性...