光电二极管基于内光电效应实现光信号到电信号的转换。当 PN 结受光照射，光子激发电子 - 空穴对，在结区电场作用下形成光电流，反向偏置时效应更。通过减薄有源层与优化电极，响应速度可达纳秒级。 硅基型号（如 BPW34）在可见光区量子效率超 70%，用于光强检测；PIN 型增大耗尽区宽度，在光纤通信中响应度达 0.9A/W；雪崩型（APD）利用倍增效应，可检测单光子信号，用于激光雷达。 车载 ADAS 系统中，近红外光电二极管（850-940nm）夜间可捕捉 200 米外目标，推动其向高灵敏度、低噪声发展，满足自动驾驶与智能传感需求。隧道二极管用量子隧穿效应，适用于超高频振荡场景。江苏整流二极管...

肖特基二极管基于金属与半导体接触形成的势垒效应，而非传统 PN 结结构。当金属（如铝、金）与 N 型半导体（如硅）接触时，会形成一层极薄的电子阻挡层。正向偏置时，电子通过量子隧道效应穿越势垒，导通压降 0.3-0.5V（低于硅 PN 结的 0.7V），例如 MBR20100 肖特基二极管在服务器电源中可提升 3% 效率。反向偏置时，势垒阻止电子回流，漏电流极小（硅基通常小于 10 微安）。其优势在于无少子存储效应，开关速度可达纳秒级，适合高频整流（如 1MHz 开关电源），但耐压通常低于 200V，需通过边缘电场优化技术提升反向耐压能力。雪崩二极管利用雪崩击穿效应，产生尖锐的脉冲信号，在雷达等...

材料创新始终是推动二极管性能提升与应用拓展的动力。传统的硅基二极管正不断通过优化工艺，提升性能。而以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为的宽禁带半导体材料，正二极管进入全新发展阶段。SiC 二极管凭借高击穿场强、低导通电阻，在高压、大功率应用中优势；GaN 二极管则以其高电子迁移率、超高频性能，在 5G 通信、高速开关电源等领域大放异彩。此外，新兴材料如石墨烯、黑磷等，也展现出在二极管领域的应用潜力，有望催生性能更、功能更独特的二极管产品，打开新的市场空间。碳化硅二极管耐高压高温，适配新能源汽车与光伏。奉贤区本地二极管厂家电话瞬态抑制二极管（TVS）和 ESD 保护二极管为电路抵御过压威胁。T...