1990 年代，宽禁带材料掀起改变：碳化硅（SiC）二极管凭借 3.26eV 带隙和 2.5×10⁶ V/cm 击穿场强，在电动汽车 OBC 充电机中实现 1200V 高压整流，正向压降 1.5V（...

MOSFET在工业机器人的故障诊断系统中有着重要应用。故障诊断系统能够实时监测工业机器人的运行状态，及时发现并诊断故障，保障机器人的安全运行。MOSFET用于故障诊断传感器的信号采集和处理电路，确保故...

在医疗电子的康复训练辅助设备中，MOSFET用于控制训练设备的运动和反馈。康复训练辅助设备通过模拟人体的运动和提供反馈，帮助患者进行康复训练。MOSFET能够精确控制训练设备的运动轨迹、速度和力度，根...

在电动汽车领域，MOSFET是电机驱动系统的功率器件。电动汽车的性能表现，很大上取决于电机驱动系统的高效运行，而MOSFET在其中扮演着关键角色。其低导通电阻特性，有效减少了能量在传输过程中的损耗，使...

雪崩二极管通过雪崩击穿效应产生纳秒级脉冲，适用于雷达和激光触发等场景。当反向电压超过击穿阈值时，载流子在强电场中高速运动，碰撞电离产生连锁反应，形成急剧增长的雪崩电流。这一过程可在 10 纳秒内产生陡...

航空航天领域对电子元器件的性能、可靠性与稳定性有着极为严苛的要求，二极管作为基础元件，其发展前景同样广阔。在飞行器的电子控制系统中，耐高温、抗辐射的二极管用于保障系统在极端环境下的正常运行；在卫星通信...

碳化硅（SiC）：3.26eV 带隙与 2.5×10⁶ V/cm 击穿场强，使 C4D201（1200V/20A）等器件在光伏逆变器中效率突破 98%，较硅基方案体积缩小 40%，同时耐受 175℃高...

1907 年，英国科学家史密斯发现碳化硅晶体的电致发光现象，虽亮度 0.1mcd（烛光 / 平方米），却埋下 LED 的种子。1962 年，通用电气工程师霍洛尼亚克发明首只红光 LED（GaAsP）...

1904 年，英国物理学家弗莱明为解决马可尼无线电报的信号稳定性问题，发明首只电子二极管 “热离子阀”。这一玻璃真空管内，加热的阴极发射电子，经阳极电场筛选后形成单向电流，虽效率低下（ 5%）且体积...