肖特基二极管的反向恢复电荷并非瞬间消失。当施加反向电压时，虽然肖特基二极管不存在少数载流子存储效应，但势垒区内的电荷分布需要时间重新调整。在反向电压作用下，电子和空穴会受到电场力作用而运动，但它们在运...

TVS 瞬变抑制二极管的失效模式及可靠性评估是工程应用中的重要关注点。常见的失效原因包括长时间过功率运行、多次大电流冲击导致的热疲劳、焊接工艺不当引起的机械应力损伤等。为提升器件的可靠性，制造商通常会...

肖特基二极管的反向恢复电荷并非瞬间消失。当施加反向电压时，虽然肖特基二极管不存在少数载流子存储效应，但势垒区内的电荷分布需要时间重新调整。在反向电压作用下，电子和空穴会受到电场力作用而运动，但它们在运...

集成电路 IC 在智能电网建设中发挥着 支撑作用，如同智能电网的 “神经中枢”，确保电力系统安全、稳定、高效运行。电网中的智能电表采用高精度的计量芯片，能够准确测量用户的用电量，并通过通信芯片将数据实...

在医疗美容的智能美发设备领域，稳压二极管为各种美发仪器提供稳定的电压。智能美发设备需要具备的造型功能和安全的使用保障，对电源的稳定性要求极高。电压波动可能导致造型效果不佳、设备安全隐患等问题，影响消费...

在电源线路保护中，TVS瞬变抑制二极管常被用于防止雷击或开关操作引起的电压尖峰。交流电源输入端通常采用双向TVS二极管，以应对正负两极的瞬态过电压。直流电源则可根据极性择单向或双向TVS。安装时应尽量...

肖特基二极管的可靠性受表面态影响。表面态是指半导体表面由于晶格终止、表面吸附等原因产生的局域能级。这些表面态会捕获和释放电荷，影响器件的电学性能。在肖特基二极管制造过程中，若表面处理不当，表面态密度会...

插件封装（THT）：传统工艺的坚守 DO-41 封装的 1N4007（1A/1000V）引脚间距 2.54mm，适合手工焊接与维修，在工业设备中仍应用，其玻璃钝化工艺确保在高湿度环境下漏电流＜1μA。...

集成电路 IC 在智能教育辅助设备里，化身为学生学习的 “智能伙伴”，助力个性化学习。智能学习平板中的芯片能够流畅运行各类教育应用程序，高清屏幕显示芯片呈现清晰的学习资料，如电子课本、教学视频等。互动...

MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）作为现代电子系统的元件，其工作原理基于电场对沟道载流子的调控。其结构由栅极（Gate）、氧化层（Oxide）、沟道（Channel）及源漏极（Source/...

TVS 瞬变抑制二极管的失效分析流程对于改进产品设计和提升可靠性具有重要意义。当器件发生失效时，先需要通过外观检查（如是否有烧焦、开裂痕迹）、电气测试（如测量反向漏电流、击穿电压）确定失效模式，然后借...

肖特基二极管的击穿电压并非固定不变，会受到多种因素影响。除了器件本身的材料、结构和工艺外，环境温度、机械应力等外部因素也会改变其击穿特性。温度升高时，晶格振动加剧，载流子散射增强，击穿电压可能会降低。...