提高反应体系的稳定性。当体系中加入过氧化氢后有助于提高过氧化氢的稳定性，避免由于过氧化氢分解而引发的，提高生产的安全性。具体实施方式下面结合实施例，对本发明的具体实施方式作进一步描述。以下实施例用于更...

本发明提供的光刻胶剥离去除方法第二实施例，用于半导体制造工艺中，可应用于包括但不限于mos、finfet等所有现有技术中涉及光刻胶剥离去除的生产步骤，主要包括以下步骤:s1，在半导体衬底上淀积一层二氧...

其包含含有钾盐的第1液、和含有溶纤剂的第2液。再者，本发明涉及印刷布线板、半导体基板、平板显示器或引线框的制造方法，其特征在于，在包括从施加有抗蚀剂的基材除去抗蚀剂的工序的印刷布线板、半导体基板、平板...

可选择的，旋涂光刻胶厚度范围为1000埃～10000埃。s3，执行离子注入：可选择的，离子注入剂量范围为1×1013cm-2～1×1016cm-2。s4，采用氮氢混合气体执行等离子刻蚀，对光刻胶进行干...

按照玻璃基板传送方向从当前腔室101开始逐级由各腔室10向玻璃基板供给剥离液以进行剥离制程。剥离液从当前腔室101进入相应的存储箱20，在剥离液的水平面超过预设高度后流入过滤器30，再经过过滤器30的...

技术领域：本发明涉及一种选择性剥离光刻胶制备微纳结构的方法，可用于微纳制造，光学领域，电学，生物领域，mems领域，nems领域。技术背景：微纳制造技术是衡量一个国家制造水平的重要标志，对提高人们的生...

剥离液是一种通用湿电子化学品，主要用于去除金属电镀或者蚀刻加工完成后的光刻胶和残留物质，同时防止对衬底层造成破坏。剥离液是集成电路、分立器件、显示面板、太阳能电池等生产湿法工艺制造的关键性电子化工材料...

砷化镓也有容易被腐蚀的特点，比如碱性的氨水、酸性的盐酸、硫酸、硝酸等。去胶，也成为光刻胶的剥离。即完成光刻镀膜等处理之后，需要去除光刻胶之后进行下一步。有时直接采用+异丙醇的方式就可以去除。但是对于等...

其中输送装置借由至少一呈顺时针方向转动的滚轮带动基板由喷洒装置的下端部朝向风刀装置的***风刀的下端部的方向移动。如上所述的蚀刻方法，其中风刀装置分别借由一设置于该输送装置的上端部的***风刀与一设置...

图3是一现有技术光刻胶剥离去除示意图二，其离子注入步骤。图4是一现有技术光刻胶剥离去除示意图三，其显示离子注入后光刻胶形成了主要光刻胶层和第二光刻胶层。图5是一现有技术光刻胶剥离去除示意图四，其显示光...

因此存在开发蚀刻液组合物时会过度耗费时间和费用的问题。美国公开**第2号公开了在3dnand闪存的制造工序中，对于硅氧化物膜和硅氮化物膜*选择性蚀刻硅氮化物膜的蚀刻液组合物。然而，为了选择构成成分的种...

ITO显影剂也称为造影剂或对比剂，是一种X光无法穿透的药剂，用于让体内组织在X光检查时能看得更清楚。例如消化道摄影时，医师会让患者喝下一杯显影剂溶液（大多含钡），然后用各种角度照相，就能让胃肠道看得很...