本发明涉及半导体制造领域,特别是涉及一种用于包括但不限于半导体生产工艺中光刻胶去除步骤的光刻胶剥离去除方法。背景技术:光刻胶是一大类具有光敏化学作用(或对电子能量敏感)的高分子聚合物材料,是转移紫外曝...
所述过滤器包括多个并列排布的子过滤器,所述道包括多个子管道,每一所述子管道与一子过滤器连通,且所述多个子管道与当前级腔室对应的存储箱连通。在一些实施例中,所述第二管道包括公共子管道及多个第二子管道,每...
避免接触皮肤、眼睛和衣服;存储:密闭存放在阴凉干燥的地方8.防燥和人员保护极限N-Methyl-2-pyrrolidone80mg/m3(19ml/m3)DFGMAK(peaklimitationca...
单片清洗工艺避免了不同硅片之间相互污染,降低了产品缺陷,提高了产品良率。可选择的,清洗液采用氧化硫磺混合物溶液和过氧化氨混合物溶液。可选的,进一步改进,清洗液采用h2so4:h2o2配比范围为6:1~...
上述组分中,酰胺是用于溶解光刻胶;醇醚是用于润湿、膨润、溶解光刻胶的;环胺与链胺,用于渗透、断开光刻胶分子间弱结合力;缓蚀剂,用于降低对金属的腐蚀速度;润湿剂,能够增强亲水性,使得剥离液亲水性良好,能...
本实用新型涉及资源回收再利用领域,特别是涉及含铜蚀刻液气液分离装置。背景技术:线路板生产工业中,会对已经使用于蚀刻线路板的含铜蚀刻废液进行回收利用,在回收过程中,废液在加热器中通过蒸汽进行换热,换热完...