模拟、功率类芯片市场需求持续释放,很多企业面临量产测试产能缺口,进口ATE交期遥遥无期,部分国产量产设备板卡生态单薄,一台机器只能测单一芯片,产线拓展新品就要新增整机,不断抬高扩产成本。科普,量产ATE评判标准不只是并行站点数量,平台的可扩展能力至关重要,依靠可替换板卡,同一台量产主机兼容多品类芯片,产线才能应对产品迭代。杭州国磊半导体G97‑X600测试机,面向大规模量产的ATE测试系统,硬件架构预留充足扩展空间,支持多款功能测试板卡自由选配替换。切换不同板卡,可完成高压功率芯片、电源管理、多路驱动IC等器件的FT、CP量产测试。硬件链路经过优化,抑制温漂与系统噪声,保障长时间量产工况下测试结果一致性,减少误判漏判,降低芯片复测损耗。支持对接探针台实现晶圆测试,可打通MES产线数字化管理。本土生产制造,交付周期可控,备件库存充足,快速响应产线故障。助力芯片企业快速完成产能爬坡,一台主机服务多条产品线,比较大化产线硬件投资回报,适配模拟芯片大规模量产测试需求。 国磊G97-ADC GI-SMU 系列浮动源表:±40V 中压 / 1000V 高压多版本,四象限精密源测,纳安级漏电检测。南通PCB测试系统精选厂家

工业计量、精密仪器、汽车电子领域对电压基准、电流基准芯片需求持续增长,这类芯片对测试基准源稳定性、温漂、噪声指标要求严苛,普通SMU模块基准漂移大,无法满足ppm级高精度校准测试需求。很多基准芯片企业面临测试设备依赖进口困境:行业研发与量产校准环节普遍依赖进口**参考源设备,采购与维护成本高昂;普通SMU模块温漂大,无法作为基准芯片测试的参考标准;五路以上同步基准输出测试需要多台设备级联,系统复杂度高。科普,电压基准芯片测试主要在于"以基准测基准",测试设备本身基准源必须比待测芯片高出一个精度等级,全温区温漂通常需要低于5ppm/℃,且需要多路单独隔离输出才能同步测试多颗芯片或多组参数,浮动隔离架构可避免多路基准互相干扰。杭州国磊半导体GI-SMUREF055路精密浮动参考源表,采用低温漂基准电路设计,全温区温漂低于5ppm/℃,五路单独隔离输出,可同步提供多路高精度稳定电压、电流基准,为计量芯片、基准器件提供标准激励信号,精细测试芯片温漂、线性误差、长期稳定性主要参数。搭载于G97-X200中端ATE平台,板卡浮动隔离架构避免多路基准互相干扰,搭配GI-SMUBV04低压精密SMU形成"基准+测量"一体化测试方案。更换不同板卡。苏州PCB测试系统参考价国磊G97-X200相比传统测试设备综合测试效率提升 40% 以上,适配晶圆 CP、成品 FT 全流程测试场景。

封测代工业务比较大的痛点就是客户需求碎片化,不同客户送来的芯片规格千差万别,时而电源芯片,时而多路驱动器件,产线需要频繁切换产品。不少设备换产流程复杂,硬件改动繁琐,调试耗时久,直接拉低产线稼动率。科普,代工场景下ATE的换产效率,很大程度取决于板卡的拆装替换便捷度,快速切换硬件配置,才能适配柔性代工模式。杭州国磊半导体G97‑X300测试机,适配中批量封测产线的ATE设备,板卡采用模块化可插拔设计。通过更换不同测试板卡,单台机器就可以承接不同客户的驱动IC、电源类芯片的CP、FT测试任务。全系列统一软件平台,测试程序导入便捷,缩短换产调试工时,提升产线有效产出。设备做好通道同步性与噪声控制,保障多通道驱动芯片测试精度,避免时序偏差带来的测试误判。本土备件库存充足,故障后可直接更换板卡,减少整机停机时间。帮助封测厂灵活承接多元化客户订单,提升产线柔性生产能力,提升企业接单竞争力。
新能源车安全标准持续升级,BMS芯片负责动力电池电芯电压采集、均衡、过压/过流/短路保护,直接决定整车安全,测试需模拟多串电芯电压、大电流充放电、极端短路故障场景,同时验证高低温下保护阈值稳定性。很多BMS芯片企业面临测试安全隐患:海外功率类ATE单价千万级别,交付周期长且备件受限;多数国产通用ATE高压隔离等级不足,大电流测试存在漏电、设备击穿安全隐患;缺少电芯模拟**板卡,无法精细模拟多串电芯电压差与均衡电流。科普,BMS测试属于高压大电流混合信号测试范畴,对设备绝缘防护、功率输出能力和通道隔离要求较高,硬件层面过压过流切断保护必须优先于软件保护,否则短路测试瞬间就可能烧毁设备。杭州国磊半导体G97-X600量产ATE平台,支持选配GI-SMUHV011000V高压浮动SMU与GI-SMUHP01±100V功率SMU,硬件集成过压过流切断保护机制,可安全模拟BMS芯片过压、短路等极端故障场景;搭配GI-CBIT120120路继电器板卡,可自动切换多串电芯模拟回路,完成电芯电压采集精度、均衡电流、保护阈值等全套参数测试。更换不同板卡,即可适配BMS主控、AFE模拟前端、电池保护IC等多品类电池管理芯片,帮助新能源产业链企业建立安全可靠的BMS测试能力。 国磊 G97-ADC ATE 集成 24bit,一站式完成 采样抖动全项测试,是 AI 感知信号链芯片标配测试平台。

新能源发电与工业变频领域,IGBT隔离驱动芯片需求持续增长,这类芯片控制侧±100V宽电压域、多路隔离电源、数字PWM逻辑同步测试,常规±60VSMU无法覆盖驱动芯片高压控制轨。很多IGBT驱动企业面临测试方案碎片化问题:多通道数字供电与逻辑验证需要复合型数字板卡协同,企业需采购多套设备分工序检测;高低压混合测试时隔离通道串扰严重,控制侧信号受功率侧干扰导致测试失真;进口隔离驱动测试**设备价格高昂。科普,IGBT隔离驱动芯片测试属于高低压混合信号测试,主要在于控制侧与功率侧的电气隔离与同步测试,浮动隔离架构可彻底消除高低压回路间地环路干扰,而集成型数字板卡则可同时完成PWM逻辑输出与多路供电控制。杭州国磊半导体GI-SMUHP011路精密浮动±100V源测量模块,覆盖IGBT驱动高压控制电压区间,浮动隔离架构规避高低压测试回路串扰,精细测量驱动芯片静态功耗、隔离漏电流、欠压保护阈值。搭载于G97-X300平台,配套GI-DMUMS32集成数字测试板卡,PPMU多路可编程电源、VPP高压激励、32路DIO同步输出PWM控制信号,完整复现变频器实际驱动工况。一套硬件同步完成驱动芯片控制侧逻辑验证与功率侧驱动特性测试。 国磊G97-ADC 有大量成功案例,对市场上一些经典热门的AD芯片,如LT2313、AD7276、AD7616等提供准确的测量。GEN3测试系统精选厂家
算力芯片模拟链路,国磊系列 ATE 形成 “前端 ADC/PMIC + 混合信号 SoC+HBM 配套” ,支撑AI 芯片全链路技术迭代。南通PCB测试系统精选厂家
5G-A与6G技术预研加速,射频前端芯片如PA功率放大器、LNA低噪声放大器、射频开关、滤波器集成度持续提升,测试需要同时完成射频性能参数与直流偏置参数的混合测试。很多射频芯片企业面临测试方案割裂问题:射频性能测试需要**射频仪器,直流偏置测试需要SMU,两套设备单独运行,测试流程割裂、效率低下;射频ATE价格高昂,中小射频设计公司难以承担;多通道射频并行测试时通道间隔离不足,串扰导致测试数据失真。科普,射频前端芯片测试属于射频与直流混合信号测试,主要在于射频性能与直流偏置的同步测试,射频参数如增益、噪声系数、P1dB需要在精确直流偏置条件下测量,偏置电压电流微小变化都会导致射频参数漂移,因此两类测试必须在同一套系统中协同完成。杭州国磊半导体G97-X200中端ATE平台,搭载GI-SMUBV04低压精密SMU提供精细直流偏置,GI-DMUMS32数字板卡完成控制逻辑与寄存器配置测试,系统支持通过标准化接口联动射频仪器,同步完成射频性能参数与直流参数测试,测试数据统一管理。更换不同板卡,即可适配PA、LNA、射频开关、天线调谐器等多品类射频前端芯片,帮助射频芯片企业建立射频-直流一体化测试方案,消除两套设备流转的效率损耗。 南通PCB测试系统精选厂家