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    多相电源芯片、多路同步驱动IC、阵列式传感器、并行接口芯片，主要指标包含多路信号时序一致性，多路输出信号同步偏差超标将直接造成芯片功能失效。普通数字测试设备时序同步精度不足，难以捕捉多路信号微小相位偏差。杭州国磊GI-TMUHA04四路高精度时间测试板卡具备皮秒级测量分辨率，可同步采集多路输出信号，精细测量各路信号相位差、延迟偏差、抖动数值。搭配GI-DMUMS32数字板卡同步输出多路激励信号，复现芯片多路同步工作工况。可应用于工业多相电源、LED阵列驱动、并行数据接口芯片验证。板卡能够长时间持续监测温变环境下时序漂移，适配三温车规认证测试。整套时序测试硬件可以和SMU源测量模块联动，同时采集电学参数与时序指标，实现电气性能+时序特性同步测试。很多国产多路同步类芯片企业依赖进口时序测试设备，交付周期漫长。GI-TMUHA04现货供应，模块化集成进现有PXI测试系统，帮助企业高效完成多路信号时序一致性筛选，提升多通道阵列芯片量产良率。 杭州国磊半导体PXIe板卡DMUMS32对标NI，兼容PXI、PXIe、CompactPCIe，灵活适配多种机箱。pcie板卡测评

    功率管理IC、多通道BMS、多路输出电源SoC内部存在多条单独电源轨，不同电压域需要同步施加激励、同步采集参数，先后测试会无法复现芯片真实工作状态，造成参数测试偏差。这类芯片测试要求测试硬件具备多梯度**电压通道，通道之间隔离互不干扰。杭州国磊GI系列SMU天然形成完整电压梯度矩阵：GI-SMUBV04±10V低压通道、GI-SMUMV04±60V中压通道、GI-SMUHP01±100V高压通道、GI-SMUHV011000V超高压通道，不同规格SMU可在同一机箱协同工作，多电压域同步输出激励。多条电源轨**浮动隔离，杜绝相互串扰，同步采集各路电压、电流数据，精细复现芯片多轨同时上电的实际工况。搭配GI-DMUMS32数字板卡输出控制信号，实现模拟电源与数字控制同步联动，完整覆盖多路电源管理芯片全套测试项目。整套方案大量应用于储能BMS、多路快充SOC、多通道工业电源芯片研发与量产。相比采购多台**台式源表，PXI模块化架构时序同步性更强，系统集成度更高，方便对接自动化分选设备，搭建多路电源芯片标准化量产测试工位。 国产替代高精度板卡市价国磊多功能PXIe测试板卡,兼容PXIe标准，轻松构建自动化测试系统，服务于科研机构与高级实验室。

    工业变频器、光伏逆变器IGBT隔离驱动芯片，控制侧±100V宽电压域、多路隔离电源、数字PWM逻辑同步测试，常规±60VSMU无法覆盖驱动芯片高压控制轨，多通道数字供电与逻辑验证需要复合型数字板卡协同。杭州国磊GI-SMUHP011路精密浮动±100V源测量模块，覆盖IGBT驱动高压控制电压区间，浮动隔离架构规避高低压测试回路串扰，精细测量驱动芯片静态功耗、隔离漏电流、欠压保护阈值；配套GI-DMUMS32集成数字测试板卡，PPMU多路可编程电源、VPP高压激励、32路DIO同步输出PWM控制信号，完整复现变频器实际驱动工况。一套硬件同步完成驱动芯片高压模拟参数与数字逻辑功能测试，无需两套**测试系统，大幅节省实验室与产线空间。2026年光伏储能、工业自动化赛道持续高景气，国产IGBT驱动芯片加速替代进口，头部工控企业批量搭建驱动芯片测试工位，进口±100VSMU供货周期长，国磊中高压SMU批量现货，模块化设计可快速扩展多工位并行测试。搭配GI-TMUHA04时序板卡测量PWM信号死区时间、传输延迟，GI-CBIT120继电器实现多路驱动芯片自动切换，适配三温老化量产筛选，硬件宽温稳定运行，大幅提升工业驱动芯片测试效率。

    SiCMOS、GaNHEMT功率器件驱动回路为中低压控制信号，主功率回路承受上千伏高压，测试需要高压主回路静态表征叠加低压驱动轨同步测试，要求高压模块与中低压模块协同工作，同时做好电气隔离，防止高压串入低压回路损坏硬件。很多测试平台只能单独测试高压或者低压，无法同步复现器件真实工作状态。杭州国磊提供成套宽禁带测试硬件组合：GI-SMUHV011000V高压浮动SMU负责主功率端击穿、漏电流测试；GI-SMUHP01/GI-SMUMV04用于驱动栅极电压扫描；搭配GI-WRTHF04高速AWG开展双脉冲动态测试。不同电压等级模块之间电气隔离设计，硬件具备高压防护机制，杜绝高压串扰风险。整套系统同步采集主功率端与驱动端电压电流，完整表征功率器件联动特性。可对接探针**成晶圆CP测试，也能搭建封装模块FT测试平台。面向新能源车OBC、储能逆变器所用宽禁带器件企业，这套一体化高低压协同测试平台，实现静态参数、动态开关特性一站式测试，助力国产SiC、GaN器件性能迭代与量产筛选。 杭州国磊半导体PXIe板卡凭借nA级PPMU、高精度SMU、10ps TMU等能力，可**验证国产CPU的电源门控漏电。

    工业伺服电源、储能BMS主控、大功率快充SOC芯片工作电压区间覆盖±100V，器件导通电阻、纹波电流、动态负载响应测试对源测量模块功率输出、动态响应速度要求严苛，市面上多数通用SMU无法兼顾高压与动态瞬态测量。杭州国磊GI-SMUHP011路精密浮动±100V源测量模块，宽功率输出区间，高速动态负载响应，浮动隔离设计杜绝多路测试时地环路干扰，可精细捕捉芯片负载切换瞬间电流电压瞬态曲线，完美支撑大功率电源芯片动态性能表征。该板卡可与GI-SMUMV04±60V模块混合搭建多电压测试阵列，同时覆盖低压控制轨与高压功率轨同步测量，单套系统兼容快充、储能、工业电源多品类芯片测试，减少设备重复投入。2026年储能赛道持续景气，储能电源芯片产线扩产需求旺盛，进口高压SMU货期普遍6个月以上，产线建设周期被严重拉长，国磊全系板卡现货供应，支持7天快速完成系统集成调试。针对量产三温测试、老化筛选场景，板卡内置过压过流硬件保护，长期连续运行稳定性强，可7×24小时不间断量产测试，搭配GI-CBIT120120路继电器驱动板卡，实现多路DUT自动切换，无需人工换板，大幅提升产线自动化水平，降低单颗芯片测试成本，加速储能电源芯片国产化落地。 杭州国磊半导体PXIe板卡SMU系列对标NI，每块板卡集成AWG与DGT模块，支持任意波形输出与高精度采集。精密测试板卡工艺

15.杭州国磊半导体PXIe板卡不*是一款测试硬件，更是信创产业链中“测试验证环节”的自主化解决方案。pcie板卡测评

    手机、物联网射频前端配套LNA、混频器、射频开关辅助模拟芯片，低频射频调制波形、低噪声电源供电、增益线性度测试，依赖低失真高精度波形发生器与低压低噪声SMU，普通高速AWG噪声大，无法满足射频小信号测试需求。杭州国磊GI-WRTLF02高精度AWG板卡输出低失真调制波形，可模拟射频基带激励信号，双通道采集芯片输出信号，精细测算增益、谐波抑制、线性度等射频**指标；配套GI-SMUBV04四路±10V精密低压SMU，极低本底噪声，为射频芯片提供纯净供电，避免电源噪声干扰射频信号测量，大幅提升测试数据准确性。整套数模组合体积小巧，单机箱可集成多套测试通道，适配射频芯片研发实验室小批量样品验证，也可对接探针**成晶圆CP测试。2026年国产物联网射频芯片出海需求旺盛，射频设计公司对高精度测试硬件性价比要求提升，进**频测试模块价格高昂，软件绑定严重，国磊板卡底层驱动开源，可兼容客户自研射频测试程序，无额外授权费用。针对射频芯片高低温增益漂移、长期可靠性老化测试场景，硬件宽温稳定输出，多通道并行同步测试，快速对比多批次芯片射频性能一致性，缩短射频芯片认证周期，助力国产射频前端抢占全球物联网市场。 pcie板卡测评