赣州CAF测试系统研发公司

    ATE量产产线**怕单点故障造成整机停机，如果是一体化硬件，一个通道损坏，整台机器全部停工，产能损失巨大。科普，模块化板卡架构可以实现故障隔离，单块板卡故障只需要更换该板卡，主机其余模块继续运行，**大程度保障稼动率。杭州国磊半导体G97‑X600测试机，大规模量产ATE，全部采用**模块化板卡设计。更换不同板卡，适配高压功率、电源、多路驱动等芯片量产FT、CP测试。当某一块板卡出现故障，直接替换故障板卡，主机其他模块不受影响，产线可以快速恢复生产，不需要整机停机维修。本土板卡备件常备库存，缩短故障修复时长。设备同时优化信号链路，抑制温漂噪声，保障大批量生产下测试数据稳定，降低复测损耗。为中大型芯片产线提供高可靠国产ATE，减少故障停机带来的产能损失。 国磊G97-ADC 高速数字I/O板卡支持64个1.25Gbps的LVDS收发通道，充分满足高速信号测试需求。赣州CAF测试系统研发公司

    工业控制SoC需求增长，这类芯片集成多核CPU、FPGA逻辑、大量高速IO、工业以太网接口，测试向量深度大、通讯协议复杂，对ATE向量存储深度、高速通道能力、协议测试支持要求较高。很多工业SoC企业面临测试覆盖率不足问题：老旧设备向量存储深度不足，无法加载高深度测试向量，复杂功能测试覆盖率不够，潜在缺陷漏检风险高；工业以太网等高速接口测试需要**协议板卡，通用ATE缺少协议测试支持；多核CPU功能测试需要大量数字通道同步工作，设备通道数量受限。科普，工业控制SoC测试主要在于"高深度向量+高速协议+多通道同步"，芯片集成度越高，测试向量越复杂，向量存储深度直接决定测试覆盖率，而工业以太网等协议测试需要设备支持协议层测试向量生成与解析，不能只做物理层电性测试。杭州国磊半导体G97-X600大规模量产ATE平台，支持大容量向量存储扩展，可加载高深度功能测试向量，保障复杂SoC功能测试覆盖率；搭配GI-RIOMS3264路高速LVDS数字IO板卡，纳秒级时序控制，支持工业以太网、MIPI等高速接口协议测试；GI-DMUMS32集成数字板卡提供大量DIO通道与可编程供电，完成多核CPU功能测试。更换不同板卡，即可适配工业控制SoC、FPGA、工业以太网芯片等多品类工业控制器件。 CAF测试系统行价国磊G97-X200系统搭载大容量通用测试槽位，支持源表、高精度 AWG、高速数字 I/O、时序测量单元 TMU 混插配置。

    新能源车800V高压平台加速普及，SiC功率模块、车载OBC、DC-DC高压功率器件量产规模持续扩大，1000V击穿电压、高温漏电流、多支路并联特性测试成为产线**挑战。很多车载功率模块企业面临产能瓶颈：进口高压测试系统通道少、切换工位有限，产线吞吐能力不足；高压测试时模块多支路串扰严重，测量精度受地环路影响；高温反偏老化测试需要长时间稳定高压输出，普通设备长时间运行温漂大。科普，800V车载功率模块测试**在于"高压浮动隔离+多支路自动切换"，模块内部包含多个功率芯片并联，每一支路都需要**测试，浮动隔离架构可消除支路间串扰，继电器矩阵实现自动切换，大幅提升产线效率。杭州国磊半导体GI-SMUHV011000V高压浮动SMU，具备高绝缘耐压、pA级微电流测量能力，完美适配车载高压功率模块静态击穿、关态漏电流、高温反偏老化测试，浮动隔离设计消除模块多支路测试串扰。搭载于G97-X600量产ATE平台，搭配GI-CBIT120120路继电器驱动板卡，单套系统可自动切换数十个功率模块支路，无需人工插拔夹具，产线并行效率提升数倍。更换不同板卡，还可兼容车载OBC、DC-DC、PTC加热器驱动等多品类高压车载器件，一套测试系统覆盖800V高压平台全功率器件测试需求。

    功率类芯片国产化进程加快，工业电源、新能源相关器件对ATE测试提出高压大电流的严苛要求。普通量产设备板卡耐压、载流能力不足，做功率芯片测试容易出现通道损坏，甚至损伤待测芯片。科普，功率芯片测试不能只依靠软件保护，板卡硬件层面必须具备耐压防护、硬件过压过流切断机制，硬件保护优先级高于软件，保障设备与芯片安全。杭州国磊半导体G97‑X600测试机，大产能量产ATE平台，支持选配高压大电流**测试板卡。更换对应板卡，即可适配高压功率IC、大功率电源管理芯片量产FT、CP测试。硬件内置多级防护机制，降低测试过程烧毁风险，同时兼顾普通模拟芯片测试需求。设备并行测试能力强，优化测试节拍，压缩单颗芯片测试时长，降低量产测试成本。支持对接探针台、高低温箱，满足车规、工业芯片全温区测试需求。本土交付与售后，助力功率芯片企业搭建稳定可控的国产量产测试产线。 国磊G97-ADC：专精 ADC、纯模拟 / 混合信号芯片，低成本高精度，主打模拟类中小芯片。

    新能源发电与工业变频领域，IGBT隔离驱动芯片需求持续增长，这类芯片控制侧±100V宽电压域、多路隔离电源、数字PWM逻辑同步测试，常规±60VSMU无法覆盖驱动芯片高压控制轨。很多IGBT驱动企业面临测试方案碎片化问题：多通道数字供电与逻辑验证需要复合型数字板卡协同，企业需采购多套设备分工序检测；高低压混合测试时隔离通道串扰严重，控制侧信号受功率侧干扰导致测试失真；进口隔离驱动测试**设备价格高昂。科普，IGBT隔离驱动芯片测试属于高低压混合信号测试，主要在于控制侧与功率侧的电气隔离与同步测试，浮动隔离架构可彻底消除高低压回路间地环路干扰，而集成型数字板卡则可同时完成PWM逻辑输出与多路供电控制。杭州国磊半导体GI-SMUHP011路精密浮动±100V源测量模块，覆盖IGBT驱动高压控制电压区间，浮动隔离架构规避高低压测试回路串扰，精细测量驱动芯片静态功耗、隔离漏电流、欠压保护阈值。搭载于G97-X300平台，配套GI-DMUMS32集成数字测试板卡，PPMU多路可编程电源、VPP高压激励、32路DIO同步输出PWM控制信号，完整复现变频器实际驱动工况。一套硬件同步完成驱动芯片控制侧逻辑验证与功率侧驱动特性测试。 国磊G97-ADC G97-H（72 槽）高并行大规模量产产线，多 site 并行测试，降低单颗芯片测试成本。CAF测试系统行价

国磊G97-ADC 全系统自主设计，针对客户测试过程中的特殊需求快速响应，提供定制化测试方案。赣州CAF测试系统研发公司

    AI算力狂飙带动HBM高带宽内存需求井喷，HBM采用多层硅通孔TSV堆叠工艺，单颗堆叠芯片包含多层裸片，封装完成后若发现缺陷，整颗堆叠器件直接报废，成本较高。KGD裸片测试在堆叠前完成单颗裸片电性、带宽、导通测试，是先进封装降本**工序，但很多企业面临挑战：HBM**ATE完全由日系厂商垄断，采购门槛较高；市面通用国产设备缺少高速存储时序测量子板，无法精细测量HBM裸片读写时序与带宽。科普，HBM的KGD测试**在于大电流稳定供电与高速存储时序测量，堆叠层数越多，单颗裸片良率对整体良率影响呈指数级放大，KGD筛选不严会导致整颗HBM报废。杭州国磊半导体G97-X600量产ATE平台，搭载GI-DMUMS3232路集成型数字测试板卡，集成可编程PPMU电源、DPS功率源与VPP高压激励，提供HBM裸片测试所需大电流稳定供电；配套GI-RIOMS32高速LVDS板卡完成高速存储时序测量。更换不同板卡，同一台主机可适配HBM、DDR5、LPDDR5X等多品类存储芯片KGD与FT测试，帮助先进封装企业建立自主可控的存储测试能力。 赣州CAF测试系统研发公司