高性能绝缘电阻测试系统

    在Fabless芯片设计企业的研发与小批量试产环节，很多团队都会遇到这样的现实痛点：进口ATE设备价格高昂、交期漫长，直接上量产大设备投入过重，而简易测试平台精度不足，无法完成模拟类芯片完整参数校验。很多人并不了解，ATE设备并非只有大规模量产机型，针对研发、中小批量场景的中端平台，能够很好平衡性能与成本。杭州国磊半导体G97‑X200测试机，作为中端主力ATE设备，依托模块化硬件设计，通过选配更换不同功能板卡，就可以匹配电源管理IC、驱动芯片、部分混合信号芯片的测试工作。无需采购多台整机，依靠板卡切换，同一台机器完成样品调试、工程验证、小批量FT测试。整机软硬件本土自研，没有海外软件锁死问题，支持二次开发，可对接MES系统。不管是设计公司内部实验室，还是中小型封测厂的试产工位，G97‑X200都可以快速落地。本土技术团队提供板卡选型、程序调试支持，缩短设备导入周期，帮助企业摆脱进口设备供应链制约，在可控预算之下，完成多品类芯片的电性测试，兼顾研发迭代效率与固定资产投入控制。 国磊G97-X200针对国内芯片设计、封测企业差异化测试需求，可快速完成功能定制，缩短客户新品验证周期。高性能绝缘电阻测试系统

    功率类芯片国产化进程加快，工业电源、新能源相关器件对ATE测试提出高压大电流的严苛要求。普通量产设备板卡耐压、载流能力不足，做功率芯片测试容易出现通道损坏，甚至损伤待测芯片。科普，功率芯片测试不能只依靠软件保护，板卡硬件层面必须具备耐压防护、硬件过压过流切断机制，硬件保护优先级高于软件，保障设备与芯片安全。杭州国磊半导体G97‑X600测试机，大产能量产ATE平台，支持选配高压大电流**测试板卡。更换对应板卡，即可适配高压功率IC、大功率电源管理芯片量产FT、CP测试。硬件内置多级防护机制，降低测试过程烧毁风险，同时兼顾普通模拟芯片测试需求。设备并行测试能力强，优化测试节拍，压缩单颗芯片测试时长，降低量产测试成本。支持对接探针台、高低温箱，满足车规、工业芯片全温区测试需求。本土交付与售后，助力功率芯片企业搭建稳定可控的国产量产测试产线。 东莞PCB测试系统厂家直销国磊G97-X200单台设备研发验证方案可无缝平移至量产产线，大幅降低客户设备投入成本。

    后摩尔时代，Chiplet多Die异构集成成为提升芯片性能的**路径，测试从传统单芯片电性测试升级为多Die、多协议、多层堆叠、多物理场耦合的系统级测试，成为制约良率、成本、量产的**瓶颈。很多布局Chiplet的企业面临四大痛点：一是芯粒来源工艺各异，KGD筛选缺失，单颗Die缺陷即导致整颗封装报废；二是UCIe高速D2D互联带宽达数百Gbps，传统ATE带宽通道不足；三是微凸点、TSV隐蔽缺陷无法用传统探针覆盖；四是多物理场耦合影响测试一致性。科普，Chiplet测试**逻辑是"KGD前置+分层测试+高速互联验证"，必须在封装前完成每颗芯粒已知良品筛选，封装后再做系统级互联与功能验证，两层缺一不可。杭州国磊半导体G97-X300工程与中批量量产ATE，支持模块化板卡灵活组合，GI系列SMU梯度覆盖±10V至1000V全电压区间，GI-DMUMS32+GI-RIOMS32覆盖低速到高速全数字IO，GI-WRTHF04高速AWG板卡可生成UCIe高速测试激励。更换不同板卡，即可完成Chiplet芯粒KGD筛选、中介层互联测试与封装后系统级功能验证，一台设备覆盖全测试流程。

    产线多型号设备混用，不同机器软件界面、操作逻辑不一样，工程师要记忆多套操作流程，培训周期长，人员轮岗容易发生误操作，增加产线管理压力。科普，一套成熟ATE产品，应当做到软件平台统一，不同硬件依托板卡区分能力，降低人员学习成本。杭州国磊半导体G97‑X300测试机，工程中批量ATE，和全系列机型共用同一套自研软件平台。通过更换不同测试板卡，适配驱动IC、电源芯片等多品类器件，完成CP、FT测试。工程师只需要掌握一套操作逻辑，就可以完成设备操作、程序编辑、数据导出，培训周期大幅缩短，轮岗上手更快。板卡拆装简单，换产调试效率高，降低人为误操作概率。本土备件库存充足，故障板卡直接替换，减少停机时间。帮助封测厂简化产线人员管理，提升产线运行稳定性，适配多品种柔性代工的业务模式。 国磊G97-X200全模块化 PXIE 总线架构，灵活适配多品类芯片。

    AI算力狂飙带动HBM高带宽内存需求井喷，HBM采用多层硅通孔TSV堆叠工艺，单颗堆叠芯片包含多层裸片，封装完成后若发现缺陷，整颗堆叠器件直接报废，成本较高。KGD裸片测试在堆叠前完成单颗裸片电性、带宽、导通测试，是先进封装降本**工序，但很多企业面临挑战：HBM**ATE完全由日系厂商垄断，采购门槛较高；市面通用国产设备缺少高速存储时序测量子板，无法精细测量HBM裸片读写时序与带宽。科普，HBM的KGD测试**在于大电流稳定供电与高速存储时序测量，堆叠层数越多，单颗裸片良率对整体良率影响呈指数级放大，KGD筛选不严会导致整颗HBM报废。杭州国磊半导体G97-X600量产ATE平台，搭载GI-DMUMS3232路集成型数字测试板卡，集成可编程PPMU电源、DPS功率源与VPP高压激励，提供HBM裸片测试所需大电流稳定供电；配套GI-RIOMS32高速LVDS板卡完成高速存储时序测量。更换不同板卡，同一台主机可适配HBM、DDR5、LPDDR5X等多品类存储芯片KGD与FT测试，帮助先进封装企业建立自主可控的存储测试能力。 国磊G97-X200系统搭载大容量通用测试槽位，支持源表、高精度 AWG、高速数字 I/O、时序测量单元 TMU 混插配置。杭州国磊GEN测试系统厂家

国磊G97-ADC 8 槽研发方案可直接移植到 72 槽量产机，无需重新开发测试程序。高性能绝缘电阻测试系统

    物联网终端设备爆发式增长，低功耗MCU、蓝牙SoC、NB-IoT芯片对静态功耗、待机电流、睡眠电流要求达到nA级，设备需要在芯片多种工作模式间快速切换并精细测量微安甚至纳安级电流。很多物联网芯片企业面临功耗测试难题：普通SMU模块小电流测量分辨率不足，nA级睡眠电流测量误差大，无法准确评估芯片低功耗性能；芯片在工作、睡眠、深度睡眠模式间快速切换，电流变化跨度达数个数量级，普通设备量程切换慢，无法捕捉瞬态电流波形；进口低功耗**测试设备价格昂贵。科普，物联网低功耗芯片测试主要在于"宽量程快速切换+nA级电流分辨率"，芯片不同工作模式电流差异可达6个数量级以上，设备必须支持自动量程快速切换，且**小量程分辨率达到nA级，才能准确测量深度睡眠电流，这直接决定物联网终端电池续航能力。杭州国磊半导体GI-SMUBV044路精密浮动±10V源测量模块，毫伏级电压、纳安级电流测量分辨率，极低本底噪声，专为低压低功耗芯片静态功耗、待机电流、睡眠电流测试设计，四路单独通道可同步对比多颗芯片功耗一致性。搭载于G97-S紧凑型桌面ATE，支持自动量程快速切换，可捕捉芯片模式切换瞬间的瞬态电流波形，完整绘制芯片功耗模式曲线。更换不同板卡。 高性能绝缘电阻测试系统