新能源车800V高压平台普及,SiC功率模块、车载OBC、DC-DC高压功率器件量产规模持续扩大,1000V击穿电压、高温漏电流、多支路并联特性测试,需要高压SMU搭配大规模自动切换继电器,进口高压测试系统通道少、切换工位有限,产线吞吐能力不足。杭州国磊GI-SMUHV011000V高压浮动SMU,具备高绝缘耐压、pA级微电流测量能力,完美适配车载高压功率模块静态击穿、关态漏电流、高温反偏老化测试,浮动隔离设计消除模块多支路测试串扰,测量精度不受高压地环路影响。搭配GI-CBIT120120路继电器驱动板卡,单套系统可自动切换数十个功率模块支路,无需人工插拔夹具,实现全自动并行量产筛选,大幅减少产线人工操作。2026年国内头部车企、功率器件IDM加速自建高压测试产线,进口高压ATE交付周期普遍超半年,延误产线投产进度,国磊高压SMU与继电器板卡现货交付,2周内完成产线系统联调。针对车载AEC-Q101可靠性强制测试项目,整套硬件支持-55℃至175℃三温循环连续测试,硬件内置多重高压安全保护,杜绝产线短路、击穿安全隐患,多套系统并行部署可支撑万级功率模块日产能测试,明显降低车载高压器件测试设备投入,加速新能源车功率半导体国产化量产。 杭州国磊半导体PXIe板卡自成一套“高精度器件 + 自研测量IP + 多层校准 + 稳定性设计 + 软件补偿”的保障体系。南京精密测试板卡市场价格

运算放大器、ADC/DAC、传感器信号调理芯片、MEMS传感IC属于成熟模拟赛道,国产化替代率持续提升,但高精度小信号测试长期依赖进口低噪声源表与波形发生器,设备采购成本高、通道数量受限制约研发迭代速度。杭州国磊GI-SMUBV044路精密浮动±10V源测量模块,毫伏级电压、纳安级电流测量分辨率,极低本底噪声,专为低压模拟芯片失调电压、增益、线性度、输出阻抗测试设计,四路**通道可同步对比多颗芯片参数一致性,大幅缩短研发样品验证周期。搭配GI-WRTLF022路高精度AWG+2路DGT低失真波形发生采集板卡,输出波形谐波失真低于-90dB,可生成正弦、方波、自定义脉冲激励,同步采集模拟输出波形,完整覆盖信号链芯片幅频特性、相位裕度、瞬态响应全套测试项目。2026年消费电子、工业传感芯片订单放量,中小设计公司、实验室预算有限,进口模块化仪器单通道单价高昂,国磊板卡采用国产自研电路,同等性能价格为进口产品60%,支持PXIe标准机箱快速集成,兼容自研测试软件,无高额授权费用。针对MEMS麦克风、压力传感器批量校准场景,多板卡级联可扩展数十路并行测试,兼顾实验室研发与量产分选双重需求,助力本土模拟芯片企业低成本搭建高精度测试平台,加速产品迭代量产。 株洲PXI/PXIe板卡市价超越工具,定义基石。多功能PXIe测试板卡,以国产高精度测试之力,托举中国半导体与前沿科技的自主未来。

2026年AI算力爆发带动RRAM、MRAM、Flash存算一体存储芯片研发热潮,阻变存储单元Set/Reset脉冲激励、高频擦写循环、瞬态阻变特性测试,依赖高带宽、高速边沿波形发生器,普通低速AWG无法满足纳秒级脉冲输出需求。杭州国磊GI-WRTHF044路高速AWG+2路DGT波形测试板卡,超高采样率、亚纳秒边沿速度,四路**波形通道可同步输出多路脉冲序列,精细模拟存储单元擦写激励信号,配套高速数字采集通道实时捕获阻变阻值动态变化,完整绘制R-V、I-V特性曲线,是存储器件实验室表征**硬件。可搭配GI-SMUREF05五路精密参考源表,提供稳定基准电压电流,消除测试系统基准漂移误差,保障存储器件多批次测试数据一致性。当前高精存储测试硬件长期被海外厂商垄断,国产存储研发机构采购进口设备预算压力大,交付周期长达半年,国磊高速波形板卡全自研信号链路,性能对标海外中端高速AWG,价格降低50%,本土技术团队提供快速调试支持。针对晶圆级存储器件探针台联调、多单元并行老化测试场景,多块高速AWG板卡级联扩展通道,同步完成数十个存储单元循环可靠性测试,大幅加速新型存储器件研发验证进度,助力国内存算一体芯片赛道突破海外设备壁垒。
电压基准芯片、万用表校准源、工业采集芯片量产出厂校准,需要稳定、低漂移多路标准基准激励,普通SMU温漂大,无法满足出厂校准ppm级精度要求,进口**校准源设备通道少、设备投入高,量产校准产线吞吐受限。杭州国磊GI-SMUREF055路精密浮动参考源表,低温漂基准电路,全温区温漂低于5ppm/℃,五路**隔离标准电压、电流输出,可同步为多颗待校准芯片提供标准激励,自动完成增益、失调、温漂出厂校准,校准数据一致性远优于普通SMU模块,满足工业级、计量级芯片出厂校准规范。可搭配GI-SMUBV04低压测量SMU同步采集芯片输出校准数据,形成“标准基准输出+高精度参数采集”全自动校准系统,搭配GI-CBIT120继电器扩展多路校准工位,实现无人值守批量校准。2026年国产计量、基准芯片批量出货,出厂校准工位需求快速增长,进口校准**源表供货紧张,国磊五路参考源板卡现货交付,模块化设计可灵活扩展校准通道,现有PXIe测试机箱可直接兼容,无需更换整套设备,产线改造投入极低。硬件长期连续校准稳定性强,7×24小时运行基准漂移可忽略,大幅提升芯片出厂校准效率,降低单颗芯片校准硬件成本,助力国产高精度基准芯片批量推向工业市场。 国磊多功能PXIe测试板卡,云端高效设计,本地精确测试,一站式加速国产芯片量产进程。

芯片可靠性老化筛选是车规、工业芯片量产必备工序,高温工作老化、高温反偏老化、直流应力测试需要长时间稳定激励,市面上成套老化系统价格高、工位固定,后期扩容成本较高。很多企业选择自主搭建老化平台,主要硬件选型尤为关键。杭州国磊GI全系列源测量模块可作为老化系统主要激励单元,电压覆盖±10V、±60V、±100V、1000V,覆盖从低压模拟芯片到SiC高压功率器件老化需求。GI-SMUREF05提供稳定基准保障长时间激励漂移可控;GI-CBIT120120路继电器驱动实现上百路DUT循环应力加载,故障通道**切断,不影响其他工位持续老化。所有SMU内置硬件OV/OC保护,芯片击穿短路时快速切断输出,防止批量损坏。整套模块化硬件可对接各类国产、进口三温老化箱,实现温度、电压电流同步管控。企业可以分期搭建老化工位,先小规模投入,产能增加后持续叠加SMU与继电器模块。区别于一体式老化系统,硬件灵活拆分,老化任务淡季可以拆卸部分板卡用于实验室样品测试,硬件一机两用,大幅提升资产利用率,是芯片企业自建可靠性老化产线高性价比方案。 杭州国磊半导体PXIe板卡DMUMS32对标NI,每通道单独存储,非共享架构,多通道并行不降速。上海PXI/PXIe板卡
杭州国磊半导体PXIe板卡可**验证鲲鹏/飞腾SoC的多域上电时序。南京精密测试板卡市场价格
手机、笔记本快充SOC、升降压快充芯片工作电压比较高60V,多路功率轨同步测试、动态负载瞬态响应、短路保护、待机功耗是主要测试项,单通道SMU测试效率低下,多通道进口设备通道成本高,中小快充芯片设计公司设备投入压力巨大。杭州国磊GI-SMUMV044路精密浮动±60V源测量模块,四路单独隔离通道可同步测试快充芯片输入、输出、控制多路电压轨,微安级待机电流精细采集,高速动态负载模拟功能复现快充充放电切换瞬态工况,完整复现芯片实际工作状态下电学特性。单块板卡四路通道可同时测试四颗快充芯片,并行测试效率提升300%,搭配GI-DMUMS32数字板卡同步完成快充协议数字逻辑验证,一套硬件覆盖快充芯片模拟+数字全参数测试。2026年消费电子快充芯片出海订单激增,第三方封测厂快速扩容快充测试工位,进口60V多通道SMU供货紧张,国磊四路高压SMU批量现货,模块化架构可灵活增减通道,适配小批量研发与大批量量产双重场景。搭配GI-CBIT120继电器板卡扩展多路夹具自动切换,对接三温分选机实现全自动量产测试,硬件全自研无海外芯片卡脖子风险,长期运维备件成本远低于进口设备,助力国内快充芯片企业低成本搭建量产测试产线,抢占全球快充市场份额。 南京精密测试板卡市场价格