FT测试设备

    量产测试产线**大痛点在于单工位单次只能测试一颗芯片，设备利用率偏低，随着订单增长，只能持续新增测试工位，厂房、设备、人力成本持续攀升。采用多DUT并行测试方案，是提升产能**直接有效的方式。杭州国磊GI模块化测试板卡天然适配多器件并行架构，多通道**隔离设计，通道之间互不干扰。GI-SMUMV04四路**±60VSMU，可同时驱动四颗电源芯片；GI-DMUMS32集成数字板卡配合继电器扩展多路夹具；GI-CBIT120120路高密度继电器驱动，灵活拓展并行测试回路。整套系统可以实现4工位、8工位乃至更多DUT同步供电、激励、参数采集。功率器件、MCU、存储芯片、模拟IC均可落地并行测试方案。值得关注的是，国磊所有SMU模块采用浮动隔离架构，多路并行测试不会出现地环路互相干扰，保障每一路芯片测试精度和单颗测试一致。对比传统单路测试方案，同等机箱空间下产能提升3~6倍，节约厂房面积、减少工控与温控设备投入。针对封测厂大批量FT分选场景，本土技术团队可协助完成并行测试夹具设计、时序同步调试，充分释放测试系统硬件能力，降低单颗芯片分摊测试成本。 杭州国磊半导体PXIe板卡输出的标准数据格式，便于与国产SPC系统对接，构建端到端的信创测试闭环。FT测试设备

    大量芯片企业早年采购进口PXIe机箱控制器，主机硬件状态完好，但配套源测量、数字板卡老化、维修报价昂贵、备件货期漫长，直接更换整套系统投入巨大，众多企业面临“机箱闲置、模块难换”的困境。杭州国磊半导体GI全系列测试板卡遵循标准PXIe总线协议，可直接兼容市面主流PXIe机箱，无需改动工控主机、电源、背板结构，实现存量设备升级改造。不论是实验室老旧测试平台，还是封测厂量产工位现有系统，只需替换功能模块，快速补齐高压SMU、高速LVDS、AWG波形发生、时序测量等短板。GI-SMUMV04四路±60VSMU、GI-DMUMS32集成数字板卡、GI-CBIT120继电器驱动模块均可无缝接入原有硬件架构。区别于海外厂商封闭专属硬件，国磊板卡提供完整底层驱动、API接口，原有测试程序只需少量适配即可复用。2026年半导体企业严控资本开支，存量设备盘活成为降本重点。改造方案相比全新采购整套测试系统，投入降低55%以上，改造周期压缩至1~2周。功率芯片、模拟信号链、MCU、存储器件企业都可以通过模块化升级拓展测试能力，快速搭建CP探针测试、FT分选、样品可靠性验证平台，比较大化挖掘现有设备价值，稳步推进测试硬件国产化替换。 深圳数字板卡精选厂家国磊多功能PXIe测试板卡,纯净信号，精确测量。

    AI服务器HBM、GDDR显存配套接口逻辑芯片，高速差分LVDS数据、纳秒级时序、海量并行通道测试，是当前半导体测试主要难点，海外设备垄断高精存储接口测试硬件，国产高速时序、高速数字板卡供给稀缺。杭州国磊GI-RIOMS3264路高速LVDS数字板卡提供海量高速差分通道，高带宽信号收发，复现HBM高速数据读写工况；配套GI-TMUHA04四路高精度时间测试板卡，皮秒级抖动、建立保持时间测量，精细捕捉存储接口时序失效缺陷，提前筛除良率损耗芯片。可联动GI-WRTHF04高速AWG生成高速读写脉冲激励，搭配GI系列多通道SMU同步测试存储芯片多组电源轨静态功耗，实现存储接口芯片高速信号、时序、电源全参数一体化测试。2026年国内AI算力产业爆发，HBM先进封装测试产能紧缺，头部封测厂加速国产测试硬件验证，进口高速存储测试设备交付周期超8个月，设备投入成本较高，国磊高速数字与时序板卡现货交付，支持与探针台、三温分选机无缝联调。模块化架构可无限扩展通道，适配千通道并行存储测试产线，硬件底层协议完全开放，支持封测企业自主开发存储测试程序，摆脱海外设备软件锁死，大幅降低HBM存储芯片测试环节设备采购成本，加速高精存储测试国产化替代。

    随着物联网、穿戴设备快速发展，低功耗MCU、无源传感芯片、RRAM存储器件量产测试，对nA级、pA级微弱电流测量提出严苛要求。市面上很多通用SMU模块本底噪声偏高，无法精细区分休眠功耗差异，极易造成良品误筛、测试数据重复性差。杭州国磊GI-SMUBV04四路精密浮动±10V源测量模块专为低压小信号场景优化，硬件电路增加多级滤波降噪设计，极低本底噪声，稳定捕捉纳安级静态电流。搭配GI-SMUREF05精密参考源表，消除系统基准漂移带来的数据波动。针对低功耗芯片休眠、唤醒、间歇工作模式，支持长时间持续电流采集，完整记录功耗变化曲线。整套硬件适合蓝牙BLE芯片、MEMS传感器、阻变存储单元实验室表征与量产FT测试。板卡采用浮动隔离架构，规避地环路噪声干扰，搭配GI-CBIT120继电器切换回路，进一步抑制通道串扰。很多企业依靠进口低噪声源表，但货期长、单价高昂。国磊低噪声SMU性能对标进口机型，交付周期短，支持多板卡级联扩展并行工位。在三温高低温环境下依旧保持稳定测量精度，有效降低低功耗芯片误判率，提升良率筛选精细度，助力国产低功耗物联网芯片快速完成性能验证与量产落地。 国磊多功能PXIe测试板卡,高抗干扰设计，确保在复杂电磁环境下仍能完成低频精密测量与微伏级信号捕捉。

    芯片可靠性老化筛选是车规、工业芯片量产必备工序，高温工作老化、高温反偏老化、直流应力测试需要长时间稳定激励，市面上成套老化系统价格高、工位固定，后期扩容成本较高。很多企业选择自主搭建老化平台，主要硬件选型尤为关键。杭州国磊GI全系列源测量模块可作为老化系统主要激励单元，电压覆盖±10V、±60V、±100V、1000V，覆盖从低压模拟芯片到SiC高压功率器件老化需求。GI-SMUREF05提供稳定基准保障长时间激励漂移可控；GI-CBIT120120路继电器驱动实现上百路DUT循环应力加载，故障通道**切断，不影响其他工位持续老化。所有SMU内置硬件OV/OC保护，芯片击穿短路时快速切断输出，防止批量损坏。整套模块化硬件可对接各类国产、进口三温老化箱，实现温度、电压电流同步管控。企业可以分期搭建老化工位，先小规模投入，产能增加后持续叠加SMU与继电器模块。区别于一体式老化系统，硬件灵活拆分，老化任务淡季可以拆卸部分板卡用于实验室样品测试，硬件一机两用，大幅提升资产利用率，是芯片企业自建可靠性老化产线高性价比方案。 含光/倚天芯片同级别测试需求？国磊，为seniorIC研发提供-122dB THD信号源！国产高性价比PXIe板卡

13.相比国际品牌（如NI）服务周期长、成本高，杭州国磊半导体PXIe板卡提供“管家式”技术支持。FT测试设备

    国内众多高校微电子学院、重点实验室开展宽禁带半导体、新型存储、模拟集成电路前沿研究，实验室设备既要支撑教学实验，又要满足博士生样品器件表征需求。预算有限、设备兼顾通用性是主要诉求，单一功能仪器无法覆盖多样课题。杭州国磊GI系列模块化测试板卡搭建通用科研平台，一套硬件覆盖分立器件、模拟芯片、阻变存储器、SiC/GaN器件表征。开展高压功率器件研究配置GI-SMUHV01；模拟放大器、传感器课题选用GI-SMUBV04+GI-WRTLF02；高速数字、时序研究搭配GI-RIOMS32、GI-TMUHA04；可靠性老化实验依靠全系SMU搭配GI-CBIT120继电器模块。硬件总线标准化，可对接探针台、高低温试验箱；驱动程序开源，方便师生基于硬件开展测试算法、测量方法课题研究。相比于采购多台进口台式仪器，模块化PXI架构占地更小，通道后续可按需增补，长期拓展性更强。同时设备可同时用于本科教学实验与前沿科研样品测试，提高仪器使用率。国磊面向科研机构提供优惠方案、技术培训支持，助力高校搭建自主可控的半导体测试实验平台，推动本土微电子人才培养与前沿器件技术研发。 FT测试设备