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TI德州仪器为工业自动化提供从感知到控制的完整解决方案。其基于AM243x MCU的解决方案支持具有位置反馈功能的六轴实时电机控制以及工业通信协议。TI德州仪器与库卡合作发布了新一代工业机器人控制器KR C5 micro-2。在人形机器人领域，TI德州仪器展示了基于GaN的高功率密度电机控制、用于人类协作的传感器融合等***系统级解决方案。TI德州仪器的技术正在重塑智能、高效、安全的自动化工厂。TI德州仪器先进的模拟和嵌入式技术助力能源基础设施系统的设计。其参考设计包括基于GaN的10kW单相串式光伏逆变器、高达1500V的高压锂离子和磷酸铁锂电池组监测方案。TI德州仪器还提供有源电池包均衡参考设计，有助于在住宅储能系统中的可堆叠电池包之间实现有源和快速的电压平衡。在太阳能应用中，TI德州仪器集成了具有AI算法的C2000 MCU，实现智能电弧故障检测。TI德州仪器正推动太阳能、储能和电动汽车充电基础设施的更高效发展。

    Gainsil(聚洵)低功耗高压LDO线性稳压器Gainsil(聚洵)推出的低功耗高压LDO线性稳压器GS7533系列是一款高精度、低压差、低功耗的线性稳压电路，最高工作电压36V，最大电流可达150mA。该产品具有出色的动态响应，上电时输出无过冲，全电压范围内具有极低的静态功耗，静态电流典型值为2μA，低压差为254mV@50mA，输出电压范围，精度为±2%。GS7533系列ESD（HBM）防护能力达8kV，提供SOT23-3和SOT89-3两种封装形式。GS2401C是一款40V微安功耗高精度低压差稳压器，其1微安功耗使其适合大多数高压节能系统。Gainsil(聚洵)的LDO产品适用于节能和低功耗应用场景，在对输出过冲、动态响应或全温度范围内静态功耗有严格要求的场合中能够提供稳定的电压输出。 INFINEON英飞凌ICE5AR0680AG电子元器件厂家现货腾桩电子代理芯片覆盖芯天下Memory存储，用于智能穿戴与安防。

    ST意法半导体SiCMOSFET在电动汽车中的应用在电动汽车领域，ST意法半导体的碳化硅功率MOSFET产品为牵引逆变器、车载充电器和DC/DC转换器等关键系统提供功率器件支持。其车规级SiCMOSFET产品通过AEC-Q101认证，比较高工作结温可达200°C，有助于简化散热系统设计。以SCT020HU120G3AG为例，这款车规级SiC功率MOSFET耐压1200V，典型导通电阻Ω，额定电流100A，采用HU3PAK顶部冷却封装，兼顾了电气性能和散热性能。ST意法半导体计划推出750V和1200V范围的新一代SiC功率技术，将碳化硅技术的应用从**车型拓展至中型和小型电动汽车。这些产品有助于电动汽车提高续航里程并缩短充电时间。

TI德州仪器的DLP数字光处理技术在显示和光刻领域具有独特优势。DLPC8445显示控制器尺寸*为9mm×9mm，相比上一代尺寸缩小90%，可助力家用投影仪、游戏投影仪和增强现实眼镜等消费类应用实现紧凑设计。设计人员可以在尺寸大幅缩小的情况下实现亚毫秒级显示延迟和高达240Hz的帧速率。TI德州仪器的DLP991UUV则为先进封装数字光刻提供**支撑，以亚微米级精度实现无掩模光刻。

    ST意法半导体在汽车区域控制中的应用ST意法半导体与合作伙伴共同推出ZCU区域控制单元方案，为汽车区域控制提供系统级解决方案。ZCU方案搭载StellarG6/G7作为**计算平台，配套覆盖汽车全系统的PMICSPSB100以及VNF1048、VNF1248、L99DZ200、L99MH98、L9026等**功能器件。在DemoCar展示中，区域式架构按位置对整车负载进行分区，搭载多套ZCU区域控制单元，前舱ZCU负责控制车辆前部负载，后舱ZCU负责控制车辆后部负载，通过以太网实现与网关的高效通信。该方案实现了从灯光控制到音频系统、从车身控制到互联通信的全维度功能覆盖。区域式架构可使线束长度缩短70%至80%，车辆重量减轻15%至20%。 腾桩电子代理芯片供应聚洵Gainsil运放，适合传感器信号调理。INFINEON英飞凌BSC039N06NS电子元器件咨询

腾桩电子代理芯片提供WSON封装闪存，适用于物联网与工业控制。INFINEON英飞凌S29GL256S90TFI010电子元器件厂家现货

    英飞凌INFINEON的IGBT功率器件技术英飞凌INFINEON的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）产品线覆盖从低压到高压的***电压等级，***应用于电动汽车电机控制器、工业变频器和可再生能源逆变器等场景。在电动汽车动力总成中，IGBT模块承担高压动力电池与电机之间的直流至交流能量转换任务。英飞凌INFINEON提供的高性能IGBT模块可***提升车辆的整体续航能力和能源利用效率。其HybridPACK™DriveG2模块基于前代产品在相同紧凑尺寸下提供更高功率密度。在大功率输出场景中，IGBT相对其他功率器件具有自身优势，适用于商用车牵引逆变器等对功率容量要求较高的应用，英飞凌INFINEON碳化硅（SiC）功率器件特点英飞凌INFINEON的CoolSiC™碳化硅功率器件系列涵盖SiCMOSFET和SiC二极管等产品。SiCMOSFET具有更快的开关速度且没有拖尾电流，开关损耗较IGBT具有明显优势。在中小功率等级使用时，SiC器件可提供更低的损耗和更高的效率。英飞凌INFINEON的CoolSiC™JFET采用Q-DPAK顶部散热封装，具备**导通损耗和优异的散热能力，适用于高功率密度固态断路器设计。CoolSiC™JFET可在固态断路器、AI数据中心热插拔模块、电子熔断器、电机软启动器等应用中实现可靠且高效的系统性能。 INFINEON英飞凌S29GL256S90TFI010电子元器件厂家现货